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公开(公告)号：CN108151735A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711295820.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01C21/16
Abstract: 本发明公开了一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法，主要包括以下步骤：(1)处理SOI片：在SOI片的器件层上制作驱动电容极板和封装凸点，采用深硅刻蚀工艺加工刻蚀槽直至SOI片的牺牲层，完成硅基检验质量块和弹簧的一体化加工；在支撑层上制作掩膜，采用深硅刻蚀工艺制作释放孔结构直至SOI片的牺牲层；通过释放孔刻蚀SOI片的牺牲层，使可活动的部件被释放；(2)制作盖板；(3)将SOI片与盖板两者进行对准封装，形成MEMS惯性传感器。本发明通过对关键器件层、支撑层的选取，以及对电容位移检测方式进行改进，与现有技术相比能够有效制作大检验质量块和较高的电容位移检测精度、解决MEMS惯性传感器精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN109036953B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810870754.0
申请日：2018-08-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01H35/14
Abstract: 本发明公开一种微机械万向开关，包括：器件层、衬底和封帽，所述器件层上下分别为衬底和封帽；器件层包括：质量块、螺旋形弹簧梁和框架；质量块通过螺旋形弹簧梁支撑在框架上，质量块的上镀有动电极；封帽包括：径向电极分布在质量块的四周，轴向电极位于质量块的下方，弧形电极位于径向电极和轴向电极的弧形连接方向；当质量块受到外界径向加速度时，动电极与径向电极接触，开关闭合；当质量块受到外界轴向加速度时，动电极与轴向电极接触，开关闭合；当质量块受外界加速度方向与轴向和径向各成一定夹角时，动电极与弧形电极接触，开关闭合。本发明在轴向0～90度范围内具有相同的加速度阈值，实现万向触发。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109036953A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810870754.0
申请日：2018-08-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01H35/14
Abstract: 本发明公开一种微机械万向开关，包括：器件层、衬底和封帽，所述器件层上下分别为衬底和封帽；器件层包括：质量块、螺旋形弹簧梁和框架；质量块通过螺旋形弹簧梁支撑在框架上，质量块的上镀有动电极；封帽包括：径向电极分布在质量块的四周，轴向电极位于质量块的下方，弧形电极位于径向电极和轴向电极的弧形连接方向；当质量块受到外界径向加速度时，动电极与径向电极接触，开关闭合；当质量块受到外界轴向加速度时，动电极与轴向电极接触，开关闭合；当质量块受外界加速度方向与轴向和径向各成一定夹角时，动电极与弧形电极接触，开关闭合。本发明在轴向0～90度范围内具有相同的加速度阈值，实现万向触发。
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公开(公告)号：CN116223843A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310332069.3
申请日：2023-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01P15/093
Abstract: 本发明提供了一种拓宽光学干涉式加速度传感器量程的方法及传感器，光学干涉式加速度传感器的光学干涉腔长随着外界激励加速度信号的变化而发生变化，包括：确定输入到光学干涉式加速度传感器的激光波长失谐锁定的谐振峰的线性工作点；当所述光学干涉腔长在外界加速度下发生变化时，光学干涉腔的谐振波长产生频移，激光波长与谐振峰的失谐量发生变化；参考所述失谐量对所述激光的波长进行闭环反馈跟踪，使得所述激光波长始终跟随所述谐振峰波长移动，与谐振峰波长保持失谐锁定在所述线性工作点，以拓宽所述光学干涉式加速度传感器的量程。本发明基于激光频率闭环反馈跟踪的加速度检测方法打破了光学干涉传感对量程的限制，拓宽了加速度检测量程。
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公开(公告)号：CN108151735B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201711295820.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01C21/16
Abstract: 本发明公开了一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法，主要包括以下步骤：(1)处理SOI片：在SOI片的器件层上制作驱动电容极板和封装凸点，采用深硅刻蚀工艺加工刻蚀槽直至SOI片的牺牲层，完成硅基检验质量块和弹簧的一体化加工；在支撑层上制作掩膜，采用深硅刻蚀工艺制作释放孔结构直至SOI片的牺牲层；通过释放孔刻蚀SOI片的牺牲层，使可活动的部件被释放；(2)制作盖板；(3)将SOI片与盖板两者进行对准封装，形成MEMS惯性传感器。本发明通过对关键器件层、支撑层的选取，以及对电容位移检测方式进行改进，与现有技术相比能够有效制作大检验质量块和较高的电容位移检测精度、解决MEMS惯性传感器精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN108039338A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711193289.3
申请日：2017-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于微纳加工制造领域，更具体地，涉及一种消除介质层针孔缺陷影响的方法。本发明介质层位于第一金属层与第二金属层之间，其为第一金属层与第二金属层之间的电气绝缘层，通过在沉积第二金属层之前，将第一金属层连同表面沉积的介质层进行湿法刻蚀，刻蚀液通过介质层中的针孔缺陷进入第一金属层表面，发生第一金属层的各向同性刻蚀，使得第一金属层形成无金属区域，无金属区域的横向尺寸大于针孔缺陷的横向尺寸，纵向尺寸等于第一金属层的厚度，这样再沉积上层金属即第二金属层时就不会在两金属层之间形成导通，由此解决现有技术的介质层薄膜IMD中普遍存在的针孔缺陷带来的金属层间短路引起的良品率下降的技术问题。
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公开(公告)号：CN119987013A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510318337.5
申请日：2025-03-18
Abstract: 本发明公开了一种MEMS扫描镜，涉及MEMS扫描镜制造技术领域，MEMS扫描镜包括：反射镜、多个第一压电驱动结构、支撑框架、多个第一弹性件、多个第二压电驱动结构和多个第二弹性件，多个第一压电驱动结构沿反射镜的周向围绕反射镜间隔布置，每个第一压电驱动结构的一端固定于支撑框架，每个第一压电驱动结构的另一端均通过相应第一弹性件与反射镜相连，多个第二压电驱动结构沿支撑框架的周向围绕支撑框架间隔布置，每个第二压电驱动结构的另一端均通过相应第二弹性件与支撑框架相连。根据本申请的MEMS扫描镜，可以增大反射镜的偏转角度，有利于增大反射镜反射光线的范围，有利于提高MEMS扫描镜的扫描范围。
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