一种基于FAPbBr3晶体的个人剂量装置

    公开(公告)号:CN119986751A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510175069.6

    申请日:2025-02-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于FAPbBr3晶体的个人剂量装置,包括电极件以及壳体件,与传统的盖革计数器相比,能够在低剂量和高剂量环境下均实现精准测量,克服了盖革计数器在高剂量下响应饱和的问题,并提高了在低剂量环境中的检测能力,FAPbBr3晶体能够区分不同能量的辐射光子,降低了对电源系统的要求,同时也减少了设备的整体尺寸和重量,提升了便携性。铝合金材料的壳体件为内部组件提供了物理保护,增强了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。当辐射粒子或射线穿过FAPbBr3晶体时,直接将辐射能量转换为可量化的电信号,进而通过数据处理件进行分析和记录,提供了更精确、可靠且适应性强的个人辐射防护解决方案。

    一种单层非易失存储器的动态编解码方法

    公开(公告)号:CN108418589B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201810179013.8

    申请日:2018-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种单层非易失存储器的动态编解码方法,属于数据编解码技术领域。本发明首先对写入的缓存行数据进行压缩;再对压缩节省的空间进行计算,根据节省空间的大小动态选择对单层非易失存储器编码效果最好的编码方式利用压缩节省的空间对数据进行编码,最后再将编码之后的数据写入到单层非易失存储器阵列中。同时本发明还实现了本申请动态编码方式对应的解码方法。本发明方法在极小的空间开销下减少对单层非易失存储器的写,从而降低单层非易失存储器的写能耗、提升寿命,由此解决现有编解码技术中的为降低存储器的写能耗而增加空间开销的问题。

    一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法及系统

    公开(公告)号:CN107195321B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201710337957.9

    申请日:2017-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法,属于计算机存储器技术领域。本发明方法针对交叉开关结构的阻变式存储器,在存储体内部的每个阵列的位线两端都设计写驱动,上端的写驱动使能阵列上半部分的ReRAM单元,而下端的写驱动使能阵列下半部分的ReRAM单元,同时根据阵列内部不同行延迟不同的特性,将阵列进行快慢区域划分,将热数据映射到快区域,将冷数据映射到慢区域,快区域中确保写入的二进制“0”最少;在慢区域内确保写入的二进制“0”最多。本发明还实现了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化系统。本发明技术方案最大化地降低了ReRAM的访问延迟,提升了ReRAM阵列的可靠性。

    一种基于数据关联性感知的闪存阵列校验更新方法

    公开(公告)号:CN108009041B

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201711358322.3

    申请日:2017-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于数据关联性感知的闪存阵列校验更新方法,包括:S1:离线识别关联更新的数据,以获取频繁序列集;S2:将步骤S1获取到的频繁序列集中的序列重组到新的条带中;S3:根据步骤S2的条带重组结果,修改重组后的条带映射关系、有效数据映射关系以及无效数据映射关系;S4:利用校验缓存推迟校验更新操作。本发明可有效降低局部条带更新的比例、提高校验缓存的利用率,从而有效降低闪存阵列校验更新的开销,同时提高闪存阵列的性能和持久性。

    一种降低闪存误码率的编、解码器和编、解码方法

    公开(公告)号:CN107590021B

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201710725340.4

    申请日:2017-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种降低闪存误码率的编、解码器和编、解码方法,属于闪存芯片编译技术领域。本发明编码器在写数据时,判断写入热数据中“1”的个数是否超过半数,是则翻转热数据后写入闪存;判断写入冷数据中高页数据中“1”或低页数据中“0”的个数是否超过半数,是则翻转冷数据后写入闪存;本发明解码器在读数据时,分析读数据的翻转状态,若翻转状态中“1”的个数超过半数,则将读数据进过翻转后输出;否则直接输出读数据。本发明还是实现了一种降低闪存误码率的编、解码方法。本发明技术方案降低了闪存中数据的出错概率,降低原始误码率,为现有纠错码方案提供更准确的输入,提高译码成功率,从而进一步提高闪存可靠性。

    二穗短柄草抗旱基因和表达载体及其编码蛋白质与应用

    公开(公告)号:CN108103074A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711426688.X

    申请日:2017-12-26

    CPC classification number: C07K14/415 C12N15/8273

    Abstract: 本发明提供了一种二穗短柄草抗旱基因和表达载体及其编码蛋白质与应用。该基因的核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示的序列或与SEQ ID NO.1所示的序列互补的核苷酸序列。该蛋白质由权利要求1所述的基因编码得到,所述蛋白质的氨基酸序列如SEQ ID NO.2所示。所述基因用于在提高植物对干旱胁迫的耐受性方面的应用。本发明所述基因调节植物通过关闭气孔减少蒸腾作用损失的水分;在干旱条件下具有更发达的根系保证水分吸收;能够提高抗氧化酶系统中过氧化氢酶、过氧化物酶、超氧化物歧化酶等酶活力以及时清除活性氧ROS,降低活性氧对细胞造成的氧化损伤,提高植物对干旱的耐受性。

    一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法及系统

    公开(公告)号:CN107195321A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710337957.9

    申请日:2017-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法,属于计算机存储器技术领域。本发明方法针对交叉开关结构的阻变式存储器,在存储体内部的每个阵列的位线两端都设计写驱动,上端的写驱动使能阵列上半部分的ReRAM单元,而下端的写驱动使能阵列下半部分的ReRAM单元,同时根据阵列内部不同行延迟不同的特性,将阵列进行快慢区域划分,将热数据映射到快区域,将冷数据映射到慢区域,快区域中确保写入的二进制“0”最少;在慢区域内确保写入的二进制“0”最多。本发明还实现了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化系统。本发明技术方案最大化地降低了ReRAM的访问延迟,提升了ReRAM阵列的可靠性。

    一种交叉开关结构阻变存储器的优化方法

    公开(公告)号:CN109448770B

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN201811107853.X

    申请日:2018-09-21

    Abstract: 本发明公开了一种交叉开关结构阻变存储器的优化方法,属于计算机存储技术领域。本发明方法在每个crossbar阵列的四端都设计电压源,在字线和位线上同时缓解电压下降问题,同时将阵列划分为快、中、慢三种类型的块,将热数据映射到快块,将温数据映射到中块,将冷数据映射到慢块,同时也探索块类型、RESET延迟以及选定字线上低阻单元所占比例范围之间的关系,将最合适的RESET延迟暴露给内存控制器调用,动态加速RESET操作,并且设计电路与体系结构相结合的方案来解决读写干扰问题,由此优化ReRAM的性能和可靠性。

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