-
公开(公告)号：CN108009041B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201711358322.3
申请日：2017-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于数据关联性感知的闪存阵列校验更新方法，包括：S1：离线识别关联更新的数据，以获取频繁序列集；S2：将步骤S1获取到的频繁序列集中的序列重组到新的条带中；S3：根据步骤S2的条带重组结果，修改重组后的条带映射关系、有效数据映射关系以及无效数据映射关系；S4：利用校验缓存推迟校验更新操作。本发明可有效降低局部条带更新的比例、提高校验缓存的利用率，从而有效降低闪存阵列校验更新的开销，同时提高闪存阵列的性能和持久性。
-
公开(公告)号：CN109448770B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201811107853.X
申请日：2018-09-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种交叉开关结构阻变存储器的优化方法，属于计算机存储技术领域。本发明方法在每个crossbar阵列的四端都设计电压源，在字线和位线上同时缓解电压下降问题，同时将阵列划分为快、中、慢三种类型的块，将热数据映射到快块，将温数据映射到中块，将冷数据映射到慢块，同时也探索块类型、RESET延迟以及选定字线上低阻单元所占比例范围之间的关系，将最合适的RESET延迟暴露给内存控制器调用，动态加速RESET操作，并且设计电路与体系结构相结合的方案来解决读写干扰问题，由此优化ReRAM的性能和可靠性。
-
公开(公告)号：CN106775450B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201611032887.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种混合存储系统中的数据分布方法，包括：将非关键数据分布在低性能存储设备上；将关键数据在高性能存储设备和低性能存储设备上按比例分布。不将所有的关键数据全部集中分布在高性能存储设备上，而是根据关键数据在高性能存储设备与低性能存储设备上能达到的存储性能的比，在各存储设备之间分布关键数据，一方面缓解高性能存储设备被密集访问带来的瓶颈问题，另一方面利用低性能存储设备提高数据访问并行性，从而提高系统的整体存储性能。
-
公开(公告)号：CN106775453A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611036370.6
申请日：2016-11-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/061 , G06F3/0647 , G06F3/0685 , G06F3/0689
Abstract: 本发明公开了一种混合存储阵列的构建方法，包括：S1：将混合阵列划分为三个区域zone‑Ⅰ(HDD存储区域)、zone‑Ⅱ(SSD随机小读存储区域)和zone‑Ⅲ(SSD随机小写存储区域)；S2：利用参数request size、frequency和seek distance对数据历史访问行为进行分析；S3：将数据按条带分为三类S‑Ⅰ(冷数据以及顺序读写类型的热数据)，S‑Ⅱ(随机小读类型的热数据)和S‑Ⅲ(随机小写类型的热数据)；S4将S‑Ⅰ类数据重定位到zone‑Ⅰ，S‑Ⅱ类数据重定位到zone‑Ⅲ，S‑Ⅱ重定位到zone‑Ⅲ，能够在保证可靠性的同时合理分布数据，提高混合存储阵列的性能。
-
公开(公告)号：CN108665926A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810400771.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种交叉开关结构的阻变存储器写干扰优化方法，属于计算机存储领域。本发明基于两端写驱动的高效ReRAM设计，通过对SET干扰和RESET干扰建模，分析出只有RESET干扰会造成数据翻转错误，以此来减小解决写干扰的开销；通过在ReRAM阵列内部设置待选定干扰参考单元，并实时探测选定干扰参考单元的阻值状态，条件性地触发刷新操作，从而确保所有的半选择单元都不会发生数据翻转错误，提升阵列可靠性；通过构建概率模型来显示制程变化对累积干扰的影响，并且根据概率模型得出的结果，合理地修改刷新触发条件，提前触发刷新，保证即使在制程变化的影响下，所有单元也不会因为写干扰而发生数据翻转错误，从而进一步提升ReRAM阵列的可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106775453B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201611036370.6
申请日：2016-11-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种混合存储阵列的构建方法，包括：S1：将混合阵列划分为三个区域zone‑Ⅰ(HDD存储区域)、zone‑Ⅱ(SSD随机小读存储区域)和zone‑Ⅲ(SSD随机小写存储区域)；S2：利用参数request size、frequency和seek distance对数据历史访问行为进行分析；S3：将数据按条带分为三类S‑Ⅰ(冷数据以及顺序读写类型的热数据)，S‑Ⅱ(随机小读类型的热数据)和S‑Ⅲ(随机小写类型的热数据)；S4将S‑Ⅰ类数据重定位到zone‑Ⅰ，S‑Ⅱ类数据重定位到zone‑Ⅲ，S‑Ⅱ重定位到zone‑Ⅲ，能够在保证可靠性的同时合理分布数据，提高混合存储阵列的性能。
-
公开(公告)号：CN109448770A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811107853.X
申请日：2018-09-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种交叉开关结构阻变存储器的优化方法，属于计算机存储技术领域。本发明方法在每个crossbar阵列的四端都设计电压源，在字线和位线上同时缓解电压下降问题，同时将阵列划分为快、中、慢三种类型的块，将热数据映射到快块，将温数据映射到中块，将冷数据映射到慢块，同时也探索块类型、RESET延迟以及选定字线上低阻单元所占比例范围之间的关系，将最合适的RESET延迟暴露给内存控制器调用，动态加速RESET操作，并且设计电路与体系结构相结合的方案来解决读写干扰问题，由此优化ReRAM的性能和可靠性。
-
公开(公告)号：CN106775450A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611032887.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种混合存储系统中的数据分布方法，包括：将非关键数据分布在低性能存储设备上；将关键数据在高性能存储设备和低性能存储设备上按比例分布。不将所有的关键数据全部集中分布在高性能存储设备上，而是根据关键数据在高性能存储设备与低性能存储设备上能达到的存储性能的比，在各存储设备之间分布关键数据，一方面缓解高性能存储设备被密集访问带来的瓶颈问题，另一方面利用低性能存储设备提高数据访问并行性，从而提高系统的整体存储性能。
-
公开(公告)号：CN108665926B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201810400771.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种交叉开关结构的阻变存储器写干扰优化方法，属于计算机存储领域。本发明基于两端写驱动的高效ReRAM设计，通过对SET干扰和RESET干扰建模，分析出只有RESET干扰会造成数据翻转错误，以此来减小解决写干扰的开销；通过在ReRAM阵列内部设置待选定干扰参考单元，并实时探测选定干扰参考单元的阻值状态，条件性地触发刷新操作，从而确保所有的半选择单元都不会发生数据翻转错误，提升阵列可靠性；通过构建概率模型来显示制程变化对累积干扰的影响，并且根据概率模型得出的结果，合理地修改刷新触发条件，提前触发刷新，保证即使在制程变化的影响下，所有单元也不会因为写干扰而发生数据翻转错误，从而进一步提升ReRAM阵列的可靠性。
-
公开(公告)号：CN110413227B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910583452.X
申请日：2019-06-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硬盘设备的剩余使用寿命在线预测方法和系统，属于计算机存储技术领域。本发明以硬盘设备的SMART信息和I/O状态信息为依据，进行硬盘设备的剩余使用寿命在线预测，SMART数据记录了多项硬盘运行状态的可靠性指标，I/O状态信息包含I/O请求在硬盘设备上所消耗的时间，去掉了对硬盘设备寿命无关的时间；基于采集到的I/O状态信息，生成若干衍生变量属性，这些衍生变量与硬盘寿命强相关，反映了硬盘状态信息与故障的内在关系；采用分组标签赋值，避免使用变化较大的临时变量影响训练效果，并选用双向长短时记忆神经网络作为预测模型，结合前后隐藏层对当前值做出合理预测，均方根误差和平均绝对误差均得到了有效降低，从而提高硬盘寿命预测的精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.019 seconds)
