一种阵列微通道板、其制作方法与用途

    公开(公告)号:CN117198839A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311096104.2

    申请日:2023-08-29

    Abstract: 本发明涉及一种阵列微通道板、其制作方法与用途,方法包括:1)将不含铅玻璃原料混合、研磨、冲压、成型、切割,得到玻璃薄片材料;2)将所述玻璃薄片材料,进行激光钻孔、化学腐蚀,得到具有孔通道阵列结构的基底材料;3)将所述基底材料,沉积上氧化物半导体电阻性二次电子发射层,得到阵列微通道板。本发明所述阵列微通道板是一种典型的电子倍增器,其通道孔径和孔间距可调、倍增成像鉴别率高、电子增益可调、探测量子效率高、暗电流噪声低、动态范围大,能广泛应用在微光像增强器、光电倍增管、质谱仪、光子计数器和辐射探测等领域。本发明制作方法操作简便、环境友好,工艺条件温和、能耗低,成本低廉、产量大,更有利于实际应用。

    具有电子准直结构的EBAPS结构、EBAPS器件

    公开(公告)号:CN118899211A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410953315.1

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 本申请公开了一种具有电子准直结构的EBAPS结构、EBAPS器件,包括:容纳设置于管壳内的:入射窗、光电阴极、微通道板、支撑基底、背照式图像传感器;入射窗设置于管壳的光学入射端面上;光电阴极设置于入射窗底面上,并朝向微通道板设置;微通道板安装于管壳内中部;光电阴极与微通道板的入口面间设置电压Va;微通道板的入口面、电子出射面间设置电压Vb;微通道板电子出射面与背照式CMOS之间电压为Vc。该结构能在不减小近贴距离的情况下,实现有效抑制光电子渡越弥散,提高低照度下的分辨力,降低击穿或漏电风险。

    一种铅玻璃通孔微通道板、其制作方法与用途

    公开(公告)号:CN117263520A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311096069.4

    申请日:2023-08-29

    Abstract: 本发明涉及一种铅玻璃通孔微通道板、其制作方法与用途,方法包括1)将铅玻璃原料混合、研磨、冲压、成型、切割、磨抛,得到铅玻璃薄片材料;2)将所述铅玻璃薄片材料,进行激光诱导局域改性、化学选择性腐蚀,得到具有铅玻璃通孔阵列结构的基底材料;3)将所述基底材料,通过氢还原处理或原子层沉积,制作电阻性二次电子发射层,得到铅玻璃通孔微通道板。本发明的通道孔径和孔间距可调、倍增成像鉴别率高、电子增益可调、探测量子效率高、暗电流噪声低、动态范围大,能广泛应用在微光像增强器、光电倍增管、质谱仪、光子计数器和辐射探测等领域。本发明制作方法操作简便、环境友好,工艺条件温和、能耗低,成本低廉、产量大,有利于推广应用。

    一种提升特定波段量子效率的多碱阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN117276046A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311186341.8

    申请日:2023-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种提升特定波段量子效率的多碱阴极及其制备方法,该光电阴极由下而上由玻璃基底、SiO2衬底层、多碱光电阴极匹配的减反射层、Al2O3扩散阻挡层、多碱光电阴极层组成。所述的多碱光电阴极减反射层由10‑300对Ta2O5/TiO2/HfO2/Si3N4和SiO2交叠组成,所述的多碱光电阴极层由K3Sb基底层、Na2KSb光吸收层、Cs/Sb激活层及Sb表面层组成。本发明通过引入多碱光电阴极匹配的减反射层,同时控制多碱光电阴极层厚度与多碱光电阴极匹配的减反射层的厚度比例,调控多碱光电阴极特定波段的界面反射率降低,提高多碱光电阴极特定波段的光吸收利用率,最终实现多碱光电阴极特定波段的量子效率提升。

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