一种高透过率条纹变像管加速栅网制备方法

    公开(公告)号:CN110767523B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN201911057145.4

    申请日:2019-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种高透过率条纹变像管加速栅网制备方法。该制备方法包括的步骤有:1)原材料准备、2)镀膜、3)光刻、4)铬的湿法腐蚀、5)铜的湿法腐蚀、6)去铬膜、去胶和7)电镀。本发明的制备方法利用铬与铜的表面粘接性好的特点,具体采用在铜箔表面镀上一层铬、光刻并腐蚀铬做出铬金属掩膜版图案的方法,用金属掩膜图案替代光刻胶掩膜图案,用铬来做铜箔的掩膜,再腐蚀铜箔做出栅网。另外,传统的栅网开口比都在49%以下,本发明设计的栅网开口比在53.8%~68.2%之间,制备出的栅网具有更高的电子透过率。

    微光像增强器测试系统
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109489941B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201811362079.7

    申请日:2018-11-15

    Abstract: 一种微光像增强器测试系统,包括用于容纳被测试的微光像增强器的测试箱、用于给所述被测试的微光像增强器提供工作电源的测试电源组件、用于给所述被测试的微光像增强器提供测试光信号输入的光照组件、以及用于接收由所述被测试的微光像增强器基于所述测试光信号输入而产生的输出光信号,将所述输出光信号转换成测试电信号,并记录所述测试电信号的电压数据的记录组件;所述光照组件包括用于发出测试光信号的发光装置和用于传输测试光信号的导光装置,所述测试电源组件、发光装置和记录组件均设置在所述测试箱之外,所述导光装置设置在所述测试箱内部,用于将所述发光装置发出的测试光信号传输给所述被测试的微光像增强器作为所述测试光信号输入。

    一种电子轰击CMOS图像传感器用高压电源

    公开(公告)号:CN117277817A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311099377.2

    申请日:2023-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种电子轰击CMOS图像传感器用高压电源,包括恒定断续模式反激DC‑AC电路、多级CW正负倍压整流电路、采样电路以及电压线性调控电路。基于PWM控制断续模式下反激变压器较强的升压能力,且变压器次级侧接入了非平衡CW正负倍压整流电路,使得变压器的正向匝比升压及反向激磁升压特性同时被利用,并配合PWM控制器及外围电路设计,保证变压器只能恒定地工作于断续模式,次级匝数可大大减小,小体积变压器得以应用;从CW正负倍压整流电路的低正压输出端取样反馈,使得高精度小阻值的电阻能被使用;利用运放设计调控电路,在PWM控制下输出电压能够全范围调整,提高了线性调控精度,实现了EBCMOS小型化的高度低于5mm的小功率高压电源。

    一种模拟像增强器近贴距离参数的测试装置及方法

    公开(公告)号:CN112378624B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202011252709.2

    申请日:2020-11-11

    Abstract: 本发明公开了一种模拟像增强器近贴距离的参数测试装置及方法,包括紫外光源、阴极输入窗、外置环形磁铁、阴极装配环、导向柱、阳极装配环、管壳、导向筒、观察窗、耦合成像镜头、CCD、内置环形磁铁、旋转筒、微通道板、阳极输出窗及真空腔体。外置环形磁铁带动旋转筒旋转,并带动导向柱沿导向筒的直槽上下垂直移动,使阴极输入窗、阴极装配环以及阳极输出窗、阳极装配环也产生上下垂直移动;真空腔体底部设观察窗,观察窗通过耦合成像镜头与CCD相连接,通过观察CCD在显示器上阴极输入窗所成的分辨力图案的像,判读分辨力图案组数值就获得了未改变像增强器近贴距离或调整了近贴距离后的分辨力指标。本发明进一步提升了现有像增强器的性能水平。

    用于电子轰击CMOS研究中电子图像分辨力的测试装置及方法

    公开(公告)号:CN112378625B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202011254741.4

    申请日:2020-11-11

    Abstract: 本发明公开了一种用于电子轰击CMOS研究中电子图像分辨力的测试装置及方法,装置是在带抽真空排气泵的腔体内,从上到下依次安装第一反射镜、第二反射镜、Au阴极、背照CMOS图像传感器组件的靶面部分,腔体外部设置紫外光源、高压电源、CMOS的电路部分及抽真空泵。由光源发出的紫外平行光经第一反射镜、第二反射镜的反射和会聚作用,亮度增强并形成特定的斜入射角,照射在Au阴极表面,照射范围为整个Au阴极的有效区域,Au阴极吸收紫外光产生的光电子,在腔体外部加速高压的驱动下,轰击CMOS的靶面,产生增强的电子图像,未被Au阴极吸收的紫外光透射至CMOS的靶面产生的光学图像与电子图像完全分离,通过对分辨力图案的判读,可以获得电子轰击CMOS的分辨力指标。

    一种高增益、高分辨力、大口径像增强管的制作方法

    公开(公告)号:CN108022819A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201711296397.3

    申请日:2017-12-08

    Abstract: 本发明公开了一种高增益、高分辨力、大口径像增强管的制作方法,由阴极法兰盘、阳极法兰盘、装配环、接触环四种可伐合金金工零件与陶瓷筒通过钎焊形成管壳体,在管壳体上端,阴极法兰盘通过铟锡合金封接一块大直径阴极面板(有效直径≥φ40mm),阴极面板的大台阶上镀制有与管壳体封接的金属层,构成阴极输入窗,在阴极面板的内部小台阶面上预先制作一层电导层基底,再制作一层对360nm~800nm光谱范围有响应光电子发射的光电阴极,在管壳体的下端焊接一片带荧光屏的大直径阳极面板输出窗(有效直径≥φ40mm),在阴极输入窗和阳极面板输出窗之间安装1片加长通道的MCP;解决了像增强管高增益与高分辨力的矛盾,实现了不损失分辨力且大幅提高增益的效果。

    一种铅玻璃通孔微通道板、其制作方法与用途

    公开(公告)号:CN117263520A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311096069.4

    申请日:2023-08-29

    Abstract: 本发明涉及一种铅玻璃通孔微通道板、其制作方法与用途,方法包括1)将铅玻璃原料混合、研磨、冲压、成型、切割、磨抛,得到铅玻璃薄片材料;2)将所述铅玻璃薄片材料,进行激光诱导局域改性、化学选择性腐蚀,得到具有铅玻璃通孔阵列结构的基底材料;3)将所述基底材料,通过氢还原处理或原子层沉积,制作电阻性二次电子发射层,得到铅玻璃通孔微通道板。本发明的通道孔径和孔间距可调、倍增成像鉴别率高、电子增益可调、探测量子效率高、暗电流噪声低、动态范围大,能广泛应用在微光像增强器、光电倍增管、质谱仪、光子计数器和辐射探测等领域。本发明制作方法操作简便、环境友好,工艺条件温和、能耗低,成本低廉、产量大,有利于推广应用。

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