-
公开(公告)号：CN117352351A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311260414.3
申请日：2023-09-27
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制作超二代多碱光电阴极时钠锑共蒸锑过量时的处理方法，在制作工艺过程中检测光电流，若光电流低于1500nA则判断为基底层钠锑共同蒸镀时锑过量，进行如下处理：接通蒸Na电源，将蒸钠电流调到初始值；按400mA/min的速率递增蒸钠电流，当检测到光电流出现上升或者下降时，停止增加蒸钠电流并保持当前的蒸钠电流；一分钟后打开蒸锑电源；将蒸锑电流调到初始值，按500mA/min的速率递增蒸锑电流；当检测到光电流上升或下降时，在30秒内先关闭蒸锑电源；一分钟后关闭蒸钠电源，进入下一步工艺。本发明用于改善在超二代多碱光电阴极制作过程中基底层因锑过量导致灵敏度低的问题，对于提高光电阴极灵敏度效果显著。
-
公开(公告)号：CN113215536B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110426312.9
申请日：2021-04-20
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
Inventor： 曾进能 , 赵恒 , 龚燕妮 , 李晓峰 , 褚祝军 , 常乐 , 李廷涛 , 杨琼连 , 李金沙 , 王乙瑾 , 高兵祥 , 马怀超 , 杜木林 , 刘倍宏 , 汪云 , 钟梓源 , 须恃瑜 , 杨振 , 杨小东
Abstract: 本发明公开了一种小晶粒锐钛矿光学薄膜及其制备方法，有效抑制锐钛矿大晶粒现象的技术难题，有效地提高了像增强器输入窗与光电阴极界面的透过率，提高了光电阴极的光电发射效率，属于光电探测领域。本发明所述小晶粒锐钛矿光学薄膜制备在玻璃基底表面。小晶粒锐钛矿光学薄膜由过渡层、锐钛矿薄膜和夹层薄膜组成。锐钛矿薄膜制备在过渡层薄膜表面，在锐钛矿薄膜的基础上制备夹层薄膜，周期性的重复锐钛矿薄膜和夹层薄膜的制作，且表层为锐钛矿薄膜，达到要求的厚度即完成小晶粒锐钛矿光学薄膜制备。
-
公开(公告)号：CN112802726A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110046792.6
申请日：2021-01-14
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
IPC: H01J9/12 , C23C16/30 , C23C16/448
Abstract: 本发明公开了一种提高多碱光电阴极灵敏度均匀性的方法，用于改善锑蒸汽蒸发不均匀导致的AVG输入窗1/2/3/4阴极灵敏度差异较大的问题。方法包括：在微光像增强器多碱光电阴极膜层蒸镀过程中，尤其是基底层制备过程中，当出现锑蒸汽蒸发不均匀时，在AVG输入窗1/2/3/4内表面上形成均匀性较差的基底层。此时，接通K源电流，引入一定量的K，使光电流上升到一定高度，停止K的引入，接通Na源电流，引入Na蒸汽，一定时间后，接通Sb源电流，并使之同时蒸发，在AVG输入窗1/2/3/4内表面上可形成均匀性良好的基底层。如此，从阴极工艺角度解决锑蒸汽不均匀造成的阴极灵敏度均匀性差的问题，有效提高AVG输入窗1/2/3/4阴极灵敏度均匀性。
-
公开(公告)号：CN117316738A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311260423.2
申请日：2023-09-27
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超二代多碱光电阴极制作时蒸钠出现漏电的处理方法，当光电阴极制作过程中出现蒸钠起漏电且漏电在1‑4分钟上升时超过2000nA时，则需要对光电阴极进行漏电处理，方法包括：当漏电上升超过2000nA时，通过停止蒸镀钠，打开钾电源蒸镀钾1‑2分钟，关闭钾电源后等待1‑2分钟，打开钠电源蒸镀1‑2分钟，打开锑电源让钠、锑共蒸镀，观察光电流上升下降5分格关闭锑电源，等待1分钟后关闭钠电源，进入下一工艺，从而达到处理光电阴极制作过程中蒸钠出现漏电的目的，有效提高了光电阴极制作的成品率。
-
公开(公告)号：CN114975036A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210539937.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于微纳光学元件的多碱光电阴极制备方法，包括：接通Na源电流，引入一定量的Na，使光电流上升到一定高度，继续引入Na蒸汽，一定时间后，接通Sb源电流，并使之同时蒸发，在具有微纳光学结构的AVG内表面上形成Na3Sb层；接通K源、Na源和Sb源，Sb源电流以一定速率增加‑快速增加‑下降时，切断Sb源电流；接通Na源电流，以一定速率增加Na蒸汽，使光电流保持下降趋势，当光电流下降到一定高度时，切断K源、Na源和Sb源电流，降温处理，对多碱阴极进行表面激活，完成多碱光电阴极的制备。本发明能够显著地改善微纳光学元件对多碱阴极制备工艺的影响。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113215536A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110426312.9
申请日：2021-04-20
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
Inventor： 曾进能 , 赵恒 , 龚燕妮 , 李晓峰 , 褚祝军 , 常乐 , 李廷涛 , 杨琼连 , 李金沙 , 王乙瑾 , 高兵祥 , 马怀超 , 杜木林 , 刘倍宏 , 汪云 , 钟梓源 , 须恃瑜 , 杨振 , 杨小东
Abstract: 本发明公开了一种小晶粒锐钛矿光学薄膜及其制备方法，有效抑制锐钛矿大晶粒现象的技术难题，有效地提高了像增强器输入窗与光电阴极界面的透过率，提高了光电阴极的光电发射效率，属于光电探测领域。本发明所述小晶粒锐钛矿光学薄膜制备在玻璃基底表面。小晶粒锐钛矿光学薄膜由过渡层、锐钛矿薄膜和夹层薄膜组成。锐钛矿薄膜制备在过渡层薄膜表面，在锐钛矿薄膜的基础上制备夹层薄膜，周期性的重复锐钛矿薄膜和夹层薄膜的制作，且表层为锐钛矿薄膜，达到要求的厚度即完成小晶粒锐钛矿光学薄膜制备。
-
公开(公告)号：CN112802726B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110046792.6
申请日：2021-01-14
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
IPC: H01J9/12 , C23C16/30 , C23C16/448
Abstract: 本发明公开了一种提高多碱光电阴极灵敏度均匀性的方法，用于改善锑蒸汽蒸发不均匀导致的AVG输入窗1/2/3/4阴极灵敏度差异较大的问题。方法包括：在微光像增强器多碱光电阴极膜层蒸镀过程中，尤其是基底层制备过程中，当出现锑蒸汽蒸发不均匀时，在AVG输入窗1/2/3/4内表面上形成均匀性较差的基底层。此时，接通K源电流，引入一定量的K，使光电流上升到一定高度，停止K的引入，接通Na源电流，引入Na蒸汽，一定时间后，接通Sb源电流，并使之同时蒸发，在AVG输入窗1/2/3/4内表面上可形成均匀性良好的基底层。如此，从阴极工艺角度解决锑蒸汽不均匀造成的阴极灵敏度均匀性差的问题，有效提高AVG输入窗1/2/3/4阴极灵敏度均匀性。
-
公开(公告)号：CN115125491A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210675864.8
申请日：2022-06-15
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多碱光电阴极制备用碱源的蒸发特性测量的方法，该方法采用热反应失重法，在真空条件、温度条件与实际多碱光电阴极制备过程相同的情况下，通过对碱源设定蒸发电流和蒸发时间进行蒸发，测量蒸发前后碱源的重量计算得到蒸发速率。生产部门在实际使用该批次碱源制备多碱光电阴极时，能够精确控制碱金属的蒸发，使多碱光电阴极膜层成分和厚度更接近理论值。本发明通过测定不同批次的碱源的蒸发特性，使生产过程中能够更有效更精确地控制碱金属的蒸发，从而获得状态更稳定，性能更优良的多碱光电阴极，产品的平均白光灵敏度由680微安每流明提升至750微安每流明。
-
公开(公告)号：CN112885683B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110047289.2
申请日：2021-01-14
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极及镀制方法，用于消除防光晕视觉玻璃中有害成分对锑碱光电阴极结构的破坏而导致的阴极灵敏度衰退的问题。所述锑碱光电阴极包括AVG输入窗、锑碱光电阴极、微通道板、阳极铝膜、荧光屏及阳极输出面板,在AVG输入窗的内表面与锑碱光电阴极之间镀制一层均匀且致密的SiO2或Al2O3材质的介质膜，使得AVG输入窗的内表面、介质膜以及锑碱光电阴极连为一体。本发明的方法包括镀膜前准备、对真空反应腔抽真空、进行靶材除气、向真空反应腔通入氩气、镀制膜层、取出工件等步骤。本发明能够消除AVG中有害成分对锑碱光电阴极破坏的现象，有效提高锑碱光电阴极的稳定性，满足使用要求。
-
公开(公告)号：CN112885683A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110047289.2
申请日：2021-01-14
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极及镀制方法，用于消除防光晕视觉玻璃中有害成分对锑碱光电阴极结构的破坏而导致的阴极灵敏度衰退的问题。所述锑碱光电阴极包括AVG输入窗、锑碱光电阴极、微通道板、阳极铝膜、荧光屏及阳极输出面板,在AVG输入窗的内表面与锑碱光电阴极之间镀制一层均匀且致密的SiO2或Al2O3材质的介质膜，使得AVG输入窗的内表面、介质膜以及锑碱光电阴极连为一体。本发明的方法包括镀膜前准备、对真空反应腔抽真空、进行靶材除气、向真空反应腔通入氩气、镀制膜层、取出工件等步骤。本发明能够消除AVG中有害成分对锑碱光电阴极破坏的现象，有效提高锑碱光电阴极的稳定性，满足使用要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.029 seconds)
