用于微通道板型光电倍增管的聚焦极与光电倍增管

    公开(公告)号:CN111883412B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202010718923.6

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明提供一种用于微通道板型光电倍增管的聚焦极与光电倍增管,适用于收集由光电阴极激发出的光电子,其特征在于,包括固定压紧机构、扩张叶片机构、触发杆、触发部和收紧环。在初始状态下金属叶片和支撑板立在聚焦极底座的上方,底部通过转轴和扭簧提供预紧力,具有向外扩张的趋势,通过收紧环压紧。触发部朝向下翻转一定角度,在进入玻璃球壳的颈部后,通过颈部的压迫将其下压拉动触发杆下移,释放对收紧环的约束,利于扭簧的预紧力使扩张金属叶片散开,实现扩张。本发明采用渐变尺寸的扇形叶片+顶部的矩形结合,一方面在扩张状态下减少相互间的干扰和空隙,另一方面进一步提高聚焦极的径向尺寸,提高光电子收集效率和改善改善时间性能。

    高增益、低发光ALD-MCP及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112420477B

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202011191113.6

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 本发明提供一种高增益、低发光ALD‑MCP及其制备方法与应用。高增益、低发光ALD‑MCP的制备方法,包括将MCP基底置于臭氧环境下进行预设时间周期的预处理;以及预处理完成后,在MCP基底上原位制备MgO/Al2O3复合膜层,其中先制备MgO膜层,再制备Al2O3膜层。本发明首先使用臭氧对MCP基底进行处理,减少MCP基底中的氧空位等缺陷;然后采用ALD技术,使用乙基二茂镁与臭氧作为前驱体制备出氧化镁膜层;最后使用三甲基铝与臭氧为前驱体反应制备出氧化铝膜层。如此,依靠具有强氧化能力的臭氧减少通道内壁复合功能膜层以及原始基底内表面的氧空位缺陷,减少与电子复合概率,从而降低发光概率;同时最大程度的提高ALD制备的复合功能膜层的二次电子发射能力获得高增益。

    用于龙虾眼微孔光学元件的气体加压精密球面成形装置与成形方法

    公开(公告)号:CN112537904A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202011191166.8

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 本发明提供一种用于龙虾眼微孔光学元件的气体加压精密球面成形装置与成形方法,包括控制装置、氮气存储装置、压力控制器、真空加热炉、球面模具、气体加压装置以及真空泵。气体加压装置与球面模具的上模具相对的一面布设有数百万垂直微孔结构,氮气经垂直微孔结构对模具进行压力施加,迫使上模具向下移动使得龙虾眼微孔光学元件弯曲成形。本发明在方形微孔聚焦光学元件的制作上,采用特殊的模具材料和镀膜技术确保在高温的球面成形过程中方形微孔光学元件工件与模具不出现粘连,并且在球面成形过程中采用气体压力控制来控制光学元件弯曲,抑制降温过程中从粘弹体到弹性体过程中的回弹现象,减轻由于回弹对于最终成形后的曲率半径变化。

    高增益、低发光ALD-MCP及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112420477A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202011191113.6

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 本发明提供一种高增益、低发光ALD‑MCP及其制备方法与应用。高增益、低发光ALD‑MCP的制备方法,包括将MCP基底置于臭氧环境下进行预设时间周期的预处理;以及预处理完成后,在MCP基底上原位制备MgO/Al2O3复合膜层,其中先制备MgO膜层,再制备Al2O3膜层。本发明首先使用臭氧对MCP基底进行处理,减少MCP基底中的氧空位等缺陷;然后采用ALD技术,使用乙基二茂镁与臭氧作为前驱体制备出氧化镁膜层;最后使用三甲基铝与臭氧为前驱体反应制备出氧化铝膜层。如此,依靠具有强氧化能力的臭氧减少通道内壁复合功能膜层以及原始基底内表面的氧空位缺陷,减少与电子复合概率,从而降低发光概率;同时最大程度的提高ALD制备的复合功能膜层的二次电子发射能力获得高增益。

    用于光电倍增管的硅通道板及其制备方法

    公开(公告)号:CN111785597A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010718865.7

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明提供一种用于光电倍增管的硅通道板及其制备方法,包括:将硅片进行酸洗吹干;在吹干的硅片表面均匀涂覆光刻胶再覆盖掩膜版,采用紫外光照射数分钟后,使用显影液洗去表面光刻胶,在硅片表面获得与掩膜版图案相同或相反的图案;在硅片表面贵金属沉积,获得贵金属层,其中贵金属层在硅片表面形成纳米网状结构;将表面沉积贵金属的硅片放入配置好的HF-H2O2溶液中浸泡若干分钟进行表面蚀刻,获得相应深度的微孔结构;然后将蚀刻完毕的硅片取出,去除沉积的金属层,然后洗净吹干;将清洗完毕并吹干的硅微通道板在高温下氧化,获得氧化硅薄层。本发明通过微通道板结构改善,提高微通道板的增益一致性以及光电倍增管的能量分辨率。

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