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公开(公告)号：CN110658149B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201911042266.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 北京航天控制仪器研究所 , 华中科技大学
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明公开了一种用于硅基红外气体传感器的硅基气室，属于红外气体传感器领域，具体包括上层硅片和下层硅片；上层硅片和下层硅片通过键合方式连接；上层硅片包括红外光源窗口和红外探测器窗口；下层硅片上设置气室腔体和气体扩散槽；红外光源窗口和红外探测器窗口为贯穿上层硅片的通孔；气室腔体为棱台型结构；气体扩散槽位于下层硅片与上层硅片交界面的四周；棱台型两端的斜面为反射面，气室腔体与上层硅片的下表面反射面构成红外光的反射腔室；气体扩散槽用于使外界气体进入气室腔体的内部。本发明公开的硅基气室便于与红外光源、探测器和其他电路模块在外部集成，提高集成设计自由度。
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公开(公告)号：CN110658149A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911042266.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 北京航天控制仪器研究所 , 华中科技大学
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明公开了一种用于硅基红外气体传感器的硅基气室，属于红外气体传感器领域，具体包括上层硅片和下层硅片；上层硅片和下层硅片通过键合方式连接；上层硅片包括红外光源窗口和红外探测器窗口；下层硅片上设置气室腔体和气体扩散槽；红外光源窗口和红外探测器窗口为贯穿上层硅片的通孔；气室腔体为棱台型结构；气体扩散槽位于下层硅片与上层硅片交界面的四周；棱台型两端的斜面为反射面，气室腔体与上层硅片的下表面反射面构成红外光的反射腔室；气体扩散槽用于使外界气体进入气室腔体的内部。本发明公开的硅基气室便于与红外光源、探测器和其他电路模块在外部集成，提高集成设计自由度。
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公开(公告)号：CN110927094B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911161561.9
申请日：2019-11-20
Applicant: 华中科技大学 , 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明公开了一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法，属于红外气体传感器技术领域。该传感器包括光电探测器、MEMS红外光源、上层硅片、下层衬底和信号处理ASIC芯片；所述上层硅片和下层衬底键合形成气室，气室内蒸镀有反射层，硅片键合面上分布有气体扩散槽；所述光电探测器、MEMS红外光源和信号处理ASIC芯片设于所述气室上部，在所述上层硅片上开设有分别对准所述光电探测器和MEMS红外光源的光电探测器窗口和红外光源窗口，MEMS红外光源发出的光从红外光源窗口入射至所述反射层，发生多次反射后进入光电探测器。本发明利用MEMS工艺实现了NDIR气体传感器的进一步微型化、全集成，并提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN110927094A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911161561.9
申请日：2019-11-20
Applicant: 华中科技大学 , 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明公开了一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法，属于红外气体传感器技术领域。该传感器包括光电探测器、MEMS红外光源、上层硅片、下层衬底和信号处理ASIC芯片；所述上层硅片和下层衬底键合形成气室，气室内蒸镀有反射层，硅片键合面上分布有气体扩散槽；所述光电探测器、MEMS红外光源和信号处理ASIC芯片设于所述气室上部，在所述上层硅片上开设有分别对准所述光电探测器和MEMS红外光源的光电探测器窗口和红外光源窗口，MEMS红外光源发出的光从红外光源窗口入射至所述反射层，发生多次反射后进入光电探测器。本发明利用MEMS工艺实现了NDIR气体传感器的进一步微型化、全集成，并提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN111965231B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010762909.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学同济医学院附属协和医院
IPC: G01N27/327 , G01N27/48 , G01N27/27 , G01N33/569 , G01N33/68
Abstract: 本发明属于生化传感技术领域，公开了一种用于病毒检测的半导体传感器及其制备方法与应用，其中制备方法包括以下步骤：(1)准备氧化物或硫族化合物胶体半导体纳米材料；(2)在胶体半导体纳米材料表面包被病毒特异性抗原或抗体，得到敏感材料；(3)基于所述敏感材料，采用化学修饰电极或场效应晶体管等器件结构制备病毒检测传感器。本发明通过在胶体半导体纳米材料表面引入病毒特异性抗原或抗体，将病毒抗原抗体之间的特异性结合反应引起的电荷转移通过半导体敏感效应转换为传感器电信号输出，提高病毒检测技术的实时性与便捷性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111965231A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010762909.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学同济医学院附属协和医院
IPC: G01N27/327 , G01N27/48 , G01N27/27 , G01N33/569 , G01N33/68
Abstract: 本发明属于生化传感技术领域，公开了一种用于病毒检测的半导体传感器及其制备方法与应用，其中制备方法包括以下步骤：(1)准备氧化物或硫族化合物胶体半导体纳米材料；(2)在胶体半导体纳米材料表面包被病毒特异性抗原或抗体，得到敏感材料；(3)基于所述敏感材料，采用化学修饰电极或场效应晶体管等器件结构制备病毒检测传感器。本发明通过在胶体半导体纳米材料表面引入病毒特异性抗原或抗体，将病毒抗原抗体之间的特异性结合反应引起的电荷转移通过半导体敏感效应转换为传感器电信号输出，提高病毒检测技术的实时性与便捷性。
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公开(公告)号：CN119310287A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411424929.7
申请日：2024-10-12
Applicant: 华中科技大学 , 温州医科大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: G01N33/68 , G01N33/58 , G01N33/53 , G01N33/532 , G01N27/327 , G01N27/26
Abstract: 本发明属于生化传感技术领域，更具体地，涉及一种基于硫化物胶体量子点的外泌体检测用生物传感器、其制备和应用。将硫化物胶体量子点溶液转移至高电子迁移率晶体管的金属栅电极上或丝网印刷三电极的工作电极上，形成硫化物胶体量子点薄膜；在所述硫化物胶体量子点薄膜上包被抗体蛋白修饰层，并采用牛血清白蛋白封闭所述抗体蛋白修饰层上的非特异性活性位点；所述抗体蛋白能够与待检测外泌体表面对应的跨膜蛋白发生特异性结合，从而将待检测外泌体捕获在所述电极表面，同时基于所述硫化物胶体量子点的独特的理化效应，使得修饰后的电极具有“感知”外界电荷分布变化的能力，从而实现对外泌体的快速、定量检测。
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公开(公告)号：CN108447915B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
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公开(公告)号：CN112666229A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011464478.1
申请日：2020-12-14
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种场效应管氢气传感器及其制备方法，属于气体传感器领域。主要特点是将氢气敏感薄膜与场效应晶体管进行集成，利用场效应管将氢气敏感薄膜与氢气作用发生的物理化学变化转化为电信号，放大实现对低浓度氢气的检测。本发明的氢气传感器具有功耗低、灵敏度高和易于集成的特点。
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公开(公告)号：CN108447915A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
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