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公开(公告)号：CN119630268A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510151485.2
申请日：2025-02-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种铁磁/重金属异质结自旋霍尔磁电阻调控方法，包括：在不改变重金属材料以及不破坏铁磁/重金属界面的情况下，在铁磁金属层和衬底之间引入反铁磁绝缘层，通过调控反铁磁绝缘层奈尔矢量的方向，对铁磁/重金属异质结自旋流的反射和吸收进行调控，以改变自旋霍尔磁电阻的大小和符号。
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公开(公告)号：CN108928856A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201811061595.6
申请日：2018-09-12
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G53/00
Abstract: 一种热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成方法,属于无机功能材料领域，具体地是通过设计一种将湿化学旋涂法这一非真空沉积过程，并辅助与单晶衬底模板效应和高压退火过程相结合的综合效应，实现降低稀土镍基亚稳定氧化物多晶薄膜材料的生长自由能，从而实现热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成。与以往所使用的脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积等真空方法相比，本发明所提供制备亚稳态稀土镍基钙钛矿化合物的方法不涉及任何真空沉积过程，方法简便，制备成本低廉。所制备材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，在制备功能电子器件、传感器、智能窗户等方面具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN107011923A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710308934.5
申请日：2017-05-04
Applicant: 北京科技大学
IPC: C09K19/54 , C08F283/06 , C08F220/18 , C08F2/48 , C08F2/44 , C08K9/04 , C08K7/24
CPC classification number: C09K19/542 , C08F2/44 , C08F2/48 , C08F283/065 , C08K7/24 , C08K9/04 , C08F2220/1883 , C08F220/18
Abstract: 一种碳纳米管掺杂的聚合物分散液晶膜的制备方法，属于液晶材料应用领域。本发明以向列相液晶、光可聚合单体、光引发剂、玻璃微珠和改性多壁碳纳米管为原料，将所有原料混合超声震荡均匀后夹在两层镀有氧化铟锡的导电塑料薄膜之间，滚轴挤压均匀后形成10微米至30微米的薄层，在液晶/光可聚合单体复合体系的液晶相的清亮点温度以上0.5‑25℃通过3‑15mw/cm2光强的紫外光聚合5‑10min，制备出掺杂改性多壁碳纳米管的聚合物分散液晶膜。改性碳纳米管的掺杂能提高聚合物基体的电导率，从而降低阈值电压、驱动电压。
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公开(公告)号：CN108928856B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811061595.6
申请日：2018-09-12
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G53/00
Abstract: 一种热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成方法,属于无机功能材料领域，具体地是通过设计一种将湿化学旋涂法这一非真空沉积过程，并辅助与单晶衬底模板效应和高压退火过程相结合的综合效应，实现降低稀土镍基亚稳定氧化物多晶薄膜材料的生长自由能，从而实现热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成。与以往所使用的脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积等真空方法相比，本发明所提供制备亚稳态稀土镍基钙钛矿化合物的方法不涉及任何真空沉积过程，方法简便，制备成本低廉。所制备材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，在制备功能电子器件、传感器、智能窗户等方面具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN106480413A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611141905.6
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种稀土镍基氧化物多晶薄膜材料的制备方法，属于无机非金属薄膜材料领域，本发明是在衬底材料表面生长具有与稀土镍基钙钛矿氧化物材料晶格参数相近的氧化物材料缓冲层；在缓冲层表面进一步利用真空沉积法沉积稀土镍基钙钛矿氧化物薄膜。所述稀土镍基钙钛矿氧化物材料的晶体结构为ABO3的钙钛矿结构ReNiO3：Re位为单一稀土元素或多种稀土元素的组合；所述缓冲层材料的组分优选：锶铷氧、钛酸锶、镧掺杂钛酸锶、钕掺杂钛酸锶、钛酸钡、钛酸钙。本发明提供了一种简便高效制备稀土镍基钙钛矿氧化物多晶薄膜材料的方法，所制备的薄膜材料具有优异的温致与氢致性能，可以进一步应用于功能电子器件、燃料电池、红外探测器件等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105218717A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510759664.0
申请日：2015-11-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C08F122/20 , C08F122/14 , C08F120/18 , C08F2/48 , C08G59/22 , C08G59/24 , C08G59/32 , C09K19/38 , C09K19/58
Abstract: 一种利用紫外分步聚合制备宽波段光屏蔽薄膜材料的方法，属于液晶材料领域。将向列相液晶、手性化合物、紫外自由基可聚合单体、紫外自由基光引发剂、紫外阳离子可聚合单体和紫外阳离子光引发剂按照一定的质量比混合均匀，制成螺距随温度的升高而增大的胆甾相液晶复合体系。通过低温下365nm的紫外光辐照，使紫外自由基聚合物网络固定复合体系中较小的螺距，在高温下采用254nm的紫外光辐照复合体系，使紫外阳离子聚合物网络固定另一部分较大的螺距，通过紫外分步聚合形成螺距的非均匀分布，从而制得热、光外场精确调控的宽波段光屏蔽薄膜材料。本发明的优点是制作工艺简单，精确调控，可用于不同波段要求的宽波段光屏蔽薄膜材料。
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公开(公告)号：CN1401793A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02131107.2
申请日：2002-10-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种双取向硅钢的真空退火工艺，涉及金属材料的真空退火。本发明为了改善硅钢双向软磁性能，在钢板表面充分形成旋转立方织构，提出将含硅重量百分数在2.6％至3.2％之间的电工硅钢真空加热，加热温度在1050℃至1150℃之间，加热时间在1至8小时，不仅工艺路线简单，而且能促使相应冷轧硅钢表面形成很强的旋转立方织构，并导致钢板最终优异的双向软磁性能。
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公开(公告)号：CN107316799B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710429845.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于晶格偶极子与载流子相互作用调节电传输性能的方法。本发明通过在重掺杂半导体中引入晶格偶极子，利用偶极子与重掺杂半导体中的载流子的相互作用控制材料电导率、载流子浓度、载流子迁移率等载流子电输运性能。在此基础上,通过改变温度、光触发等外加条件对载流子与偶极子的库伦作用程度，从而实现在不改变材料组分的前提下通过外界条件调节重掺杂半导体电传输性能的目的。本发明所述材料的载流子浓度随温度从20开尔文升高到室温或在低温光照触发下显著增加近两个数量级，而迁移率降低，可进一步应用于制备电子器件导电通道层、光电材料半导体节、热电材料与器件等方面，满足相应器件设计中电极、通道层等的电传输性能与温度、光照等变化关系要求。
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公开(公告)号：CN107240641B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710467699.6
申请日：2017-06-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于氢化稀土镍基氧化物的非线性电阻器件的制备与使用方法，属于电子强关联材料与电子器件领域。本发明通过材料中掺杂质子随电场强度增加而发生逐渐迁移来触发材料中镍元素从强关联电子局域态绝缘体相向弱电子非局域态金属或半导体相转变，从而实现材料电阻随外加电压的变化，即实现电流‑电压非线性变化关系。通过控制材料的稀土元素种类、晶体结构、晶粒晶界状态、应力状态等条件控制质子在氢化稀土镍基钙钛矿氧化物中的迁移活化能与软击穿特性，从而实现对材料非线性电阻动态变化过程的控制。本发明可应用于压敏电阻、滤波与整流、电信号传感、过压保护等方面。与氧化锌、氧化钛等传统压敏非线性电阻材料相比，本发明所制备器件更适用于还原性气氛。
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公开(公告)号：CN107316799A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710429845.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于晶格偶极子与载流子相互作用调节电传输性能的方法。本发明通过在重掺杂半导体中引入晶格偶极子，利用偶极子与重掺杂半导体中的载流子的相互作用控制材料电导率、载流子浓度、载流子迁移率等载流子电输运性能。在此基础上,通过改变温度、光触发等外加条件对载流子与偶极子的库伦作用程度，从而实现在不改变材料组分的前提下通过外界条件调节重掺杂半导体电传输性能的目的。本发明所述材料的载流子浓度随温度从20开尔文升高到室温或在低温光照触发下显著增加近两个数量级，而迁移率降低，可进一步应用于制备电子器件导电通道层、光电材料半导体节、热电材料与器件等方面，满足相应器件设计中电极、通道层等的电传输性能与温度、光照等变化关系要求。
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