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公开(公告)号：CN120009572A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411980588.1
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于超高真空扫描探针显微镜的探针、样品的安装组件及方法，该安装组件包括针尖托、样品托和抓手；针尖托包括第一承托柱和设置在第一承托柱圆周面上的第一卡接部，第一承托柱的一端具有探针安装部，第一卡接部靠近探针安装部设置，第一承托柱具有第一扫描头安装部；样品托包括第二承托柱、第二卡接部、样品安装部和第二扫描头安装部；样品安装部设置在第二承托柱的一端，第二卡接部和第二扫描头安装部均设置在第二承托柱的圆周面上，第二卡接部远离样品安装部设置；抓手包括套筒，套筒的一端具有限位结构，限位结构能与第一卡接部或第二卡接部配合。本发明能够提高送样准确度、简化操作流程，并集成多种扫描功能。
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公开(公告)号：CN119997792A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510126476.8
申请日：2025-01-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于电流‑自旋流转换的磁性异质结结构、自旋电子器件和制备方法，所述磁性异质结结构包括：基片；以及形成在所述基片上的磁性异质结，所述磁性异质结包括：铁磁层和非磁性层，所述非磁性层为元素周期表第IIIA族元素的材料和第VA族元素的材料形成的合金层；其中，所述铁磁层具有垂直磁各向异性。本发明能够利用来自P轨道自旋流的贡献，利用制备出的高质量III‑V族合金薄膜得到高质量的磁性异质结结构，并由此得到高质量的电子器件，为提高自旋电流效率开辟了一条道路，而且还扩大了可用于自旋电子学应用的材料范围。
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公开(公告)号：CN101550507B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200910082008.6
申请日：2009-04-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种半金属Heusler合金材料Co2Fe(Si1-xBx)，属于磁性材料领域。其特征在于：原子组分为Co2Fe(Si1-xBx)，其中0＜x≤1，晶体结构为L21或B2型Heusler合金结构。本发明的优点在于：通过调节B元素的掺杂比例，可以调节费米面的位置，使其位于次自旋电子带隙的中心，使材料同时具有高自旋极化率和高居里温度，因此它在自旋阀或磁隧道结中应用时能够获得高磁电阻效应，满足高灵敏度和存储密度的磁传感器和磁存储器的使用要求。
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公开(公告)号：CN101593601A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910081790.X
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种半金属合成反铁磁结构，属于磁存储技术领域。其特征在于：以所有Co占据A位置的A2BC型Heusler合金材料作为磁性层，制备出半金属层/钌层/半金属层的三明治结构，两个半金属层的磁化方向实现了反铁磁耦合。本发明的优点在于：在半金属合成反铁磁结构中，半金属材料中的钴元素可以与金属钌形成强反铁磁耦合，保证了三层膜的反铁磁耦合构型，同时，采用高自旋极化率，低饱和磁化强度和低矫顽力的半金属材料作为磁性层，能够使器件的磁翻转场降低，磁电阻率和热稳定性提高，进而使超高存储密度成为可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101202146A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710176460.X
申请日：2007-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种双合成反铁磁结构薄膜材料，属于功能材料领域，应用于自旋阀中，为高密度读出磁头、磁随机存储器、高灵敏度传感器件等自旋电子器件打基础。其特征在于：由贵金属种子层、铁磁性金属层、金属钌层6层金属膜组成；金属多层膜的最底层为贵金属钽、铜，厚度为1～10纳米；从底往上第二层为钴、钴铁合金、镍铁合金铁磁性金属层，厚度为0.5～10纳米；第三层为金属钌层，厚度为0.1～1.2纳米；第四层为钴、钴铁合金、镍铁合金铁磁性金属层，厚度为0.5～10纳米；第五层为金属钌层，厚度为0.1～1.2纳米；第六层为为钴、钴铁合金、镍铁合金铁磁性金属层，厚度为0.5～10纳米。与SyAF结构相比，具有较低的饱和磁化强度，此外还具有较高的饱和场，较低矫顽力以及更好的热稳定性。
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公开(公告)号：CN119857176A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510057883.8
申请日：2025-01-14
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院) , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种复合水凝胶支架的制备方法、复合水凝胶支架及其应用，所述方法包括：将盛装有含有水凝胶前驱体液和若干超顺磁性颗粒的混合液的特定模具置于不均匀磁场，通过磁场诱导技术驱使混合液中的超顺磁性颗粒在设定方向上呈浓度梯度排布，并利用辐射交联技术在混合液中超顺磁性颗粒的高浓度侧进行辐射，得到第一水凝胶支架；将水凝胶前驱体液加入至特定模具中超顺磁性颗粒的低浓度侧，并利用辐射交联技术形成与所述第一水凝胶支架存在界面交联的第二水凝胶支架，从而脱模得到复合水凝胶支架。本发明制备得到的复合水凝胶支架不仅可以适应软骨组织的天然化学组分梯度，而且能够改善材料堆叠造成的空隙问题，以促进骨修复。
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公开(公告)号：CN119376186A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411993179.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种在柔性薄膜材料上进行图案化沉积的方法，涉及柔性电子微纳加工技术领域；所述方法包括：将预设聚合物溶液涂抹在预设衬底上并进行固化，得到固化弹性层；将柔性薄膜材料粘附在固化弹性层上，得到复合结构层；在复合结构层上采用二次匀胶工艺涂抹二层光刻胶，得到待光刻基底，二层光刻胶包括高灵敏度光刻胶和低灵敏度光刻胶；按照预设光刻图案对待光刻基底进行光刻处理和材料沉积处理，在柔性薄膜材料上生成图案化沉积结构；利用显影液去除柔性薄膜材料上的光刻胶；将柔性薄膜材料从固化弹性层上剥离，得到有图案化沉积结构的柔性薄膜；能够解决剥离过程中薄膜容易破损或者形变的问题，减少薄膜的破损或形变，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN107240641A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710467699.6
申请日：2017-06-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于氢化稀土镍基氧化物的非线性电阻器件的制备与使用方法，属于电子强关联材料与电子器件领域。本发明通过材料中掺杂质子随电场强度增加而发生逐渐迁移来触发材料中镍元素从强关联电子局域态绝缘体相向弱电子非局域态金属或半导体相转变，从而实现材料电阻随外加电压的变化，即实现电流‑电压非线性变化关系。通过控制材料的稀土元素种类、晶体结构、晶粒晶界状态、应力状态等条件控制质子在氢化稀土镍基钙钛矿氧化物中的迁移活化能与软击穿特性，从而实现对材料非线性电阻动态变化过程的控制。本发明可应用于压敏电阻、滤波与整流、电信号传感、过压保护等方面。与氧化锌、氧化钛等传统压敏非线性电阻材料相比，本发明所制备器件更适用于还原性气氛。
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公开(公告)号：CN101840993B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010168882.4
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层，厚度约为20～200纳米；从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co2FeAl、Co2FeSi、Co2MnSi、Co2CrAl、Co2(Cr1-xFex)Al[0＜x＜1]、Co2Fe(Al1-xSix)[0＜x＜1]、Co2(Fe1-xMnx)Si[0＜x＜1]等Co占据A位置的A2BC型full-Heusler合金材料，厚度约为2～20纳米；从底层往上第三层为金属钽保护层，厚度约为3～10纳米。
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