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公开(公告)号：CN120039821A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510024248.X
申请日：2025-01-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种具有微金字塔结构的PDMS薄膜制备方法及PDMS薄膜，衬底包括衬底本体和位于其表面的氧化层，在氧化层表面采用电子束蒸发沉积生成一层铬金属层，在铬金属层表面旋涂光刻胶，烘干后形成光刻胶层，通过光刻或紫外曝光在光刻胶层表面生成若干正方形孔洞图案，湿法腐蚀去除铬金属层的暴露区域，离子刻蚀去除氧化层的暴露区域，湿法腐蚀刻蚀衬底本体的暴露区域，以在衬底本体上形成具有斜锥状凹槽的倒微金字塔结构，将液态PDMS旋涂至衬底上固化后剥离，以得到具有微金字塔结构的PDMS薄膜。该制备方法能够提高形成的微金字塔结构的稳定性和精确性，还可以简化加工步骤，降低生产成本，有利于PDMS薄膜的大规模推广和应用。
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公开(公告)号：CN108928856A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201811061595.6
申请日：2018-09-12
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G53/00
Abstract: 一种热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成方法,属于无机功能材料领域，具体地是通过设计一种将湿化学旋涂法这一非真空沉积过程，并辅助与单晶衬底模板效应和高压退火过程相结合的综合效应，实现降低稀土镍基亚稳定氧化物多晶薄膜材料的生长自由能，从而实现热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成。与以往所使用的脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积等真空方法相比，本发明所提供制备亚稳态稀土镍基钙钛矿化合物的方法不涉及任何真空沉积过程，方法简便，制备成本低廉。所制备材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，在制备功能电子器件、传感器、智能窗户等方面具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN120009572A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411980588.1
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于超高真空扫描探针显微镜的探针、样品的安装组件及方法，该安装组件包括针尖托、样品托和抓手；针尖托包括第一承托柱和设置在第一承托柱圆周面上的第一卡接部，第一承托柱的一端具有探针安装部，第一卡接部靠近探针安装部设置，第一承托柱具有第一扫描头安装部；样品托包括第二承托柱、第二卡接部、样品安装部和第二扫描头安装部；样品安装部设置在第二承托柱的一端，第二卡接部和第二扫描头安装部均设置在第二承托柱的圆周面上，第二卡接部远离样品安装部设置；抓手包括套筒，套筒的一端具有限位结构，限位结构能与第一卡接部或第二卡接部配合。本发明能够提高送样准确度、简化操作流程，并集成多种扫描功能。
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公开(公告)号：CN119997792A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510126476.8
申请日：2025-01-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于电流‑自旋流转换的磁性异质结结构、自旋电子器件和制备方法，所述磁性异质结结构包括：基片；以及形成在所述基片上的磁性异质结，所述磁性异质结包括：铁磁层和非磁性层，所述非磁性层为元素周期表第IIIA族元素的材料和第VA族元素的材料形成的合金层；其中，所述铁磁层具有垂直磁各向异性。本发明能够利用来自P轨道自旋流的贡献，利用制备出的高质量III‑V族合金薄膜得到高质量的磁性异质结结构，并由此得到高质量的电子器件，为提高自旋电流效率开辟了一条道路，而且还扩大了可用于自旋电子学应用的材料范围。
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公开(公告)号：CN119376186A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411993179.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种在柔性薄膜材料上进行图案化沉积的方法，涉及柔性电子微纳加工技术领域；所述方法包括：将预设聚合物溶液涂抹在预设衬底上并进行固化，得到固化弹性层；将柔性薄膜材料粘附在固化弹性层上，得到复合结构层；在复合结构层上采用二次匀胶工艺涂抹二层光刻胶，得到待光刻基底，二层光刻胶包括高灵敏度光刻胶和低灵敏度光刻胶；按照预设光刻图案对待光刻基底进行光刻处理和材料沉积处理，在柔性薄膜材料上生成图案化沉积结构；利用显影液去除柔性薄膜材料上的光刻胶；将柔性薄膜材料从固化弹性层上剥离，得到有图案化沉积结构的柔性薄膜；能够解决剥离过程中薄膜容易破损或者形变的问题，减少薄膜的破损或形变，提高器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107240641A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710467699.6
申请日：2017-06-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于氢化稀土镍基氧化物的非线性电阻器件的制备与使用方法，属于电子强关联材料与电子器件领域。本发明通过材料中掺杂质子随电场强度增加而发生逐渐迁移来触发材料中镍元素从强关联电子局域态绝缘体相向弱电子非局域态金属或半导体相转变，从而实现材料电阻随外加电压的变化，即实现电流‑电压非线性变化关系。通过控制材料的稀土元素种类、晶体结构、晶粒晶界状态、应力状态等条件控制质子在氢化稀土镍基钙钛矿氧化物中的迁移活化能与软击穿特性，从而实现对材料非线性电阻动态变化过程的控制。本发明可应用于压敏电阻、滤波与整流、电信号传感、过压保护等方面。与氧化锌、氧化钛等传统压敏非线性电阻材料相比，本发明所制备器件更适用于还原性气氛。
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公开(公告)号：CN119881378A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510126017.X
申请日：2025-01-27
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01Q30/18 , G01Q30/10 , F16F15/023 , F16F15/02
Abstract: 本发明提供一种用于低温扫描探针显微镜的减震系统，包括：各自分体设置的制冷装置、减震装置和测试平台，制冷装置和测试平台设置在减震装置的两侧；制冷装置包括冷源和输送管道，输送管道的两端分别连接冷源和扫描部件；减震装置包括墙体结构和减震颗粒，减震颗粒设置在墙体结构内部，减震颗粒在墙体结构内部紧密排列，墙体结构具有第一管道连接部，第一管道连接部与输送管道的部分结构相连，用于吸收输送管道的震动。本发明中的制冷装置和测试平台分体设置，大大减少了二者之间的接触面积，减少了震动的传导；输送管道的震动传导至第一管道连接部，减震颗粒将震动转化为热能或通过减震颗粒的压缩和流动来消耗震动能量，从而达到减震的效果。
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公开(公告)号：CN119375795A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202510004696.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明提供一种薄膜材料磁阻效应测量方法、系统、存储介质及程序产品，涉及电学测量技术领域；所述方法包括：按照设定电流信息，控制供电模块对电磁器件进行循环通电；电磁器件用于在通电后生成磁场；待测薄膜器件设置在磁场的范围内，通过磁场对待测薄膜器件施加电流；设定电流信息用于指示循环测量次数和每次循环测量对应的通电电流值；在每次循环测量中，获取测量模块对待测薄膜器件进行测量得到的测量数据，并基于测量数据和磁场对应的磁感应强度，实时绘制得到待测薄膜器件对应的磁阻效应关系图并显示；能够解决薄膜器件的磁阻效应测量的测量效率低且成本较高的问题；提高了薄膜器件磁阻效应测量的效率；同时，减少了设备和人力成本。
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公开(公告)号：CN107316799B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710429845.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于晶格偶极子与载流子相互作用调节电传输性能的方法。本发明通过在重掺杂半导体中引入晶格偶极子，利用偶极子与重掺杂半导体中的载流子的相互作用控制材料电导率、载流子浓度、载流子迁移率等载流子电输运性能。在此基础上,通过改变温度、光触发等外加条件对载流子与偶极子的库伦作用程度，从而实现在不改变材料组分的前提下通过外界条件调节重掺杂半导体电传输性能的目的。本发明所述材料的载流子浓度随温度从20开尔文升高到室温或在低温光照触发下显著增加近两个数量级，而迁移率降低，可进一步应用于制备电子器件导电通道层、光电材料半导体节、热电材料与器件等方面，满足相应器件设计中电极、通道层等的电传输性能与温度、光照等变化关系要求。
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公开(公告)号：CN107240641B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710467699.6
申请日：2017-06-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于氢化稀土镍基氧化物的非线性电阻器件的制备与使用方法，属于电子强关联材料与电子器件领域。本发明通过材料中掺杂质子随电场强度增加而发生逐渐迁移来触发材料中镍元素从强关联电子局域态绝缘体相向弱电子非局域态金属或半导体相转变，从而实现材料电阻随外加电压的变化，即实现电流‑电压非线性变化关系。通过控制材料的稀土元素种类、晶体结构、晶粒晶界状态、应力状态等条件控制质子在氢化稀土镍基钙钛矿氧化物中的迁移活化能与软击穿特性，从而实现对材料非线性电阻动态变化过程的控制。本发明可应用于压敏电阻、滤波与整流、电信号传感、过压保护等方面。与氧化锌、氧化钛等传统压敏非线性电阻材料相比，本发明所制备器件更适用于还原性气氛。
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