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公开(公告)号：CN110346390A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910564205.5
申请日：2019-06-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N23/2005 , G01N23/20058 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种高通量薄膜制备并原位微结构表征的装置及方法，属于薄膜材料高通量制备、微纳加工及微结构表征技术领域。该装置包括基体、激光器、激光加热器、镀膜设备、夹持样品杆、红外测温仪、减薄设备、微结构表征腔、微结构测试样品杆、插板，其中，基体置于镀膜设备的夹持样品杆上，激光器、激光加热器和红外测温仪分别安装在镀膜设备上，镀膜设备、减薄设备、微结构测量部件依次顺序通过插板连接。本发明通过夹持样品杆和微结构测试样品杆完成原位传输及腔体内功能的实现，能最大程度避免外界环境条件对薄膜性能的影响，发挥高通量薄膜技术的优势，精准获得高通量组分和厚度薄膜的结构与物理性质的变化规律。
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公开(公告)号：CN107240641A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710467699.6
申请日：2017-06-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于氢化稀土镍基氧化物的非线性电阻器件的制备与使用方法，属于电子强关联材料与电子器件领域。本发明通过材料中掺杂质子随电场强度增加而发生逐渐迁移来触发材料中镍元素从强关联电子局域态绝缘体相向弱电子非局域态金属或半导体相转变，从而实现材料电阻随外加电压的变化，即实现电流‑电压非线性变化关系。通过控制材料的稀土元素种类、晶体结构、晶粒晶界状态、应力状态等条件控制质子在氢化稀土镍基钙钛矿氧化物中的迁移活化能与软击穿特性，从而实现对材料非线性电阻动态变化过程的控制。本发明可应用于压敏电阻、滤波与整流、电信号传感、过压保护等方面。与氧化锌、氧化钛等传统压敏非线性电阻材料相比，本发明所制备器件更适用于还原性气氛。
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公开(公告)号：CN101840993B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010168882.4
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层，厚度约为20～200纳米；从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co2FeAl、Co2FeSi、Co2MnSi、Co2CrAl、Co2(Cr1-xFex)Al[0＜x＜1]、Co2Fe(Al1-xSix)[0＜x＜1]、Co2(Fe1-xMnx)Si[0＜x＜1]等Co占据A位置的A2BC型full-Heusler合金材料，厚度约为2～20纳米；从底层往上第三层为金属钽保护层，厚度约为3～10纳米。
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公开(公告)号：CN102129863A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010608783.3
申请日：2010-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种通过电场方式调节磁电阻的自旋阀结构，其特征在于：以多铁性材料取代传统自旋阀中的反铁磁层，制备出多铁性反铁磁层\钉扎层\非磁层\自由层的自旋阀结构，通过反铁磁层来对整个自旋阀的磁电阻进行调控。本发明还公开了上述结构的制备工艺。本发明的优点在于：传统自旋阀的调节方式为通过外磁场改变自由层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，而我们的自旋阀则利用多铁性材料的磁电耦合效应，通过施加外电压改变电域方向进而改变其磁域方向，来影响钉扎层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，即可被电场读写的磁性自旋阀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107316799B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710429845.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于晶格偶极子与载流子相互作用调节电传输性能的方法。本发明通过在重掺杂半导体中引入晶格偶极子，利用偶极子与重掺杂半导体中的载流子的相互作用控制材料电导率、载流子浓度、载流子迁移率等载流子电输运性能。在此基础上,通过改变温度、光触发等外加条件对载流子与偶极子的库伦作用程度，从而实现在不改变材料组分的前提下通过外界条件调节重掺杂半导体电传输性能的目的。本发明所述材料的载流子浓度随温度从20开尔文升高到室温或在低温光照触发下显著增加近两个数量级，而迁移率降低，可进一步应用于制备电子器件导电通道层、光电材料半导体节、热电材料与器件等方面，满足相应器件设计中电极、通道层等的电传输性能与温度、光照等变化关系要求。
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公开(公告)号：CN107240641B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710467699.6
申请日：2017-06-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于氢化稀土镍基氧化物的非线性电阻器件的制备与使用方法，属于电子强关联材料与电子器件领域。本发明通过材料中掺杂质子随电场强度增加而发生逐渐迁移来触发材料中镍元素从强关联电子局域态绝缘体相向弱电子非局域态金属或半导体相转变，从而实现材料电阻随外加电压的变化，即实现电流‑电压非线性变化关系。通过控制材料的稀土元素种类、晶体结构、晶粒晶界状态、应力状态等条件控制质子在氢化稀土镍基钙钛矿氧化物中的迁移活化能与软击穿特性，从而实现对材料非线性电阻动态变化过程的控制。本发明可应用于压敏电阻、滤波与整流、电信号传感、过压保护等方面。与氧化锌、氧化钛等传统压敏非线性电阻材料相比，本发明所制备器件更适用于还原性气氛。
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公开(公告)号：CN109852936A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910209136.6
申请日：2019-03-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种原位制备高通量薄膜并原位至微纳加工的装置及方法，属于薄膜材料高通量制备及微纳加工技术领域。该装置包括基体、激光器、加热器、镀膜设备、甩胶腔体和电子束曝光腔，薄膜样品在真空或气氛条件采用激光加热，激光采用垂直照射，能量通过系统设置调整。通过掩膜板，用激光脉冲沉积方法制备成分连续分布、厚度梯度分布的高通量薄膜样品。高通量样品在横向成分连续分布，纵向厚度梯度分布，然后再激光脉冲沉积一层电极层，并通过原位输运至另一腔体中甩胶再原位输运至电子束曝光腔中进行感光胶曝光，原位获得制有图案的高通量薄膜。本发明可以实现高通量薄膜的制备、微纳图样制备并为后续电学测量提供原位的高通量样品。
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公开(公告)号：CN107316799A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710429845.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于晶格偶极子与载流子相互作用调节电传输性能的方法。本发明通过在重掺杂半导体中引入晶格偶极子，利用偶极子与重掺杂半导体中的载流子的相互作用控制材料电导率、载流子浓度、载流子迁移率等载流子电输运性能。在此基础上,通过改变温度、光触发等外加条件对载流子与偶极子的库伦作用程度，从而实现在不改变材料组分的前提下通过外界条件调节重掺杂半导体电传输性能的目的。本发明所述材料的载流子浓度随温度从20开尔文升高到室温或在低温光照触发下显著增加近两个数量级，而迁移率降低，可进一步应用于制备电子器件导电通道层、光电材料半导体节、热电材料与器件等方面，满足相应器件设计中电极、通道层等的电传输性能与温度、光照等变化关系要求。
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公开(公告)号：CN108928856A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201811061595.6
申请日：2018-09-12
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G53/00
Abstract: 一种热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成方法,属于无机功能材料领域，具体地是通过设计一种将湿化学旋涂法这一非真空沉积过程，并辅助与单晶衬底模板效应和高压退火过程相结合的综合效应，实现降低稀土镍基亚稳定氧化物多晶薄膜材料的生长自由能，从而实现热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成。与以往所使用的脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积等真空方法相比，本发明所提供制备亚稳态稀土镍基钙钛矿化合物的方法不涉及任何真空沉积过程，方法简便，制备成本低廉。所制备材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，在制备功能电子器件、传感器、智能窗户等方面具有可观的应用价值。
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