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公开(公告)号：CN116230761A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310174874.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。本发明垂直双栅极电压调控的二维可重构晶体管应用于未来集成电路时，同等算力条件下，可以节省大量的晶体管，减少集成电路占用面积，降低集成电路成本和整体的能耗，满足未来人工智能、物联网等应用的发展需求。
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公开(公告)号：CN113401880B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110661178.0
申请日：2021-06-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法，属于纳米材料技术领域，所述方法包括以下步骤：将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中，取出干燥，即得所述厚度减薄的碲纳米片；本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应，对碲纳米片进行减薄，可实现碲纳米片厚度的精确调控；采用本发明的方法制备得到薄层碲纳米片，可充分发挥p型碲纳米片的优势，满足不同器件对材料性能的要求，可利用电子束曝光及真空蒸发电极材料的方式构筑基于碲纳米片的电子及光电器件，与传统半导体加工工艺兼容性良好；本发明可实现碲纳米片厚度、载流子浓度及场效应开关比的多重调控，对发展性能稳定，满足多场景需求的二维p型半导体材料提供了支持。
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公开(公告)号：CN114937740A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210283282.5
申请日：2022-03-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种输入电压可调谐的二维逻辑反相器及制备方法，涉及半导体电子技术领域，能够利用石墨炔在正向栅压电场作用下对二维二硒化钨中的电荷俘获作用使二维二硒化钨的阈值电压发生偏移，在电荷转移特征交点前后产生较大的阻态差别，从而构建出反相器；该反相器通过在正向栅压电场作用下使石墨炔薄膜对二维二硒化钨呈现出电荷俘获作用，从而使得电荷俘获区域二维二硒化钨的阈值电压相对于非电荷俘获区域二维二硒化钨的阈值电压发生偏移，实现二维逻辑反相器功能；通过调整正向栅压电场的大小实现所述反相器额定输入电压范围可调。本发明提供的技术方案适用于反相器设计和制备的过程中。
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公开(公告)号：CN116190436B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310174922.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法，包括：绝缘衬底、第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组；基于二维半导体层、介电层、第一电极组形成所述悬空沟道区域，其中，悬空沟道区域用于抑制静态电流；第一电极组包括：输出电极和输入电极，介电层包括：第一介电层和第二介电层，第二电极组包括：驱动电极和接地电极。本发明制备的同质结型逻辑反相器制备方法简便可行，具有普适性，能够有效抑制了逻辑反相器运行时静态电流的上升，从而降低功耗，并且能够提高逻辑反相器的工作寿命和服役稳定性。
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公开(公告)号：CN114784130A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210429697.9
申请日：2022-04-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种静电自掺杂二极管及其制备方法，属于二维半导体材料技术领域。所述静电自掺杂二极管的结构包括：依次堆叠的绝缘衬底、漏极、介电层、二维半导体层和源极，其中，二维半导体层需要与漏极接触。本发明制备的静电自掺杂二极管具有服役稳定性好、普适性好等优异性能，同时，加工工艺简单。本发明提供的制备方法旨在避免化学掺杂，物理掺杂，缺陷调控等手段带来的材料极性不稳定的问题，提出一种简便可行，无损可逆的二极管构筑新途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551632A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210177350.X
申请日：2022-02-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二维碲和过渡金属硫化物的PN结型自驱动光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述PN结型自驱动光电探测器包括：二维P型半导体层碲，漏极，二维N型半导体层过渡金属硫化物，源极，绝缘衬底；其中二维P型半导体层碲位于绝缘衬底一侧的上端，漏极位于二维P型半导体层碲的上端且与所述二维N型半导体层过渡金属硫化物不相连，二维N型半导体层过渡金属硫化物位于二维P型半导体层碲的上方并向绝缘衬底的另一侧上端延伸，源极位于二维N型半导体层过渡金属硫化物与绝缘衬底直接接触部分的上端。制备的二维碲和过渡金属硫化物的PN结型自驱动光电探测器的响应时间短，灵敏度高，暗电流小。
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公开(公告)号：CN113401880A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110661178.0
申请日：2021-06-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法，属于纳米材料技术领域，所述方法包括以下步骤：将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中，取出干燥，即得所述厚度减薄的碲纳米片；本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应，对碲纳米片进行减薄，可实现碲纳米片厚度的精确调控；采用本发明的方法制备得到薄层碲纳米片，可充分发挥p型碲纳米片的优势，满足不同器件对材料性能的要求，可利用电子束曝光及真空蒸发电极材料的方式构筑基于碲纳米片的电子及光电器件，与传统半导体加工工艺兼容性良好；本发明可实现碲纳米片厚度、载流子浓度及场效应开关比的多重调控，对发展性能稳定，满足多场景需求的二维p型半导体材料提供了支持。
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公开(公告)号：CN116230761B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310174874.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。本发明垂直双栅极电压调控的二维可重构晶体管应用于未来集成电路时，同等算力条件下，可以节省大量的晶体管，减少集成电路占用面积，降低集成电路成本和整体的能耗，满足未来人工智能、物联网等应用的发展需求。
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公开(公告)号：CN116705889B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310774784.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器及其制备方法，包括：源电极、半导体基底、二维层状材料、一维半导体纳米柱阵列、石墨烯层、绝缘层和漏电极；源电极设置在所述半导体基底上表面的一侧，一维半导体纳米柱阵列设置于半导体基底上表面图案化区域，绝缘层设置在半导体基底上表面远离源电极的另一侧以及一维半导体纳米柱阵列的间隙位置，二维层状材料置于一维半导体纳米柱阵列和绝缘层上，石墨烯层置于二维层状材料上，漏电极设置在所述石墨烯层上方。本发明具有一定的普适性，不仅局限于使用的几种材料，凡是可以构筑出类似结构的材料均可由此方法进行研究，拓宽了材料应变工程的研究范围。
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公开(公告)号：CN114429988B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210107442.0
申请日：2022-01-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构，所述半导体模块为二维半导体材料，所述金属电极模块为表面无悬挂键的二维半金属材料，所述二维半导体材料与二维半金属材料之间界面为表面粗糙度在0.01‑1nm且表面无悬挂键的范德华界面，所述二维半导体材料与二维半金属材料的层间距小于1nm；本发明的二维半金属材料具有合适的高功函数，以匹配半导体材料的能带边缘，并最终确保接近零的肖特基势垒，其场效应晶体管在室温下显示出创纪录高迁移率，减少肖特基势垒的全二维接触，并展示了其减少肖特基势垒的优化机制，有助于基于二维半导体的肖特基结设计和优化。
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