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公开(公告)号：CN112929016B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110116864.X
申请日：2021-01-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H03K17/79
Abstract: 本发明提供一种垂直结构的光电逻辑开关，属于半导体光电集成技术领域。所述光电逻辑开关包括：设置于顶层的光探测单元，用于将探测到的光信号转换为电流信号；设置于中间层的阻抗单元，其输入端与所述光探测单元的输出端电连接；所述阻抗单元用于将所述光探测单元产生的电流信号转换为电压信号，并将所述电压信号放大至所述逻辑电路的探测范围；设置于底层的逻辑单元，其输入端与所述阻抗单元的输出端电连接；所述逻辑单元用于实现将所述阻抗单元输出的低电平电压信号反向转换成高电平电压信号输出。本发明能够实现光电集成和逻辑运算，还能简化了制备工艺，缩小器件体积。
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公开(公告)号：CN112929016A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110116864.X
申请日：2021-01-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H03K17/79
Abstract: 本发明提供一种垂直结构的光电逻辑开关，属于半导体光电集成技术领域。所述光电逻辑开关包括：设置于顶层的光探测单元，用于将探测到的光信号转换为电流信号；设置于中间层的阻抗单元，其输入端与所述光探测单元的输出端电连接；所述阻抗单元用于将所述光探测单元产生的电流信号转换为电压信号，并将所述电压信号放大至所述逻辑电路的探测范围；设置于底层的逻辑单元，其输入端与所述阻抗单元的输出端电连接；所述逻辑单元用于实现将所述阻抗单元输出的低电平电压信号反向转换成高电平电压信号输出。本发明能够实现光电集成和逻辑运算，还能简化了制备工艺，缩小器件体积。
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公开(公告)号：CN112978711B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110308552.9
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B32/15
Abstract: 本发明公开了一种大面积转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料生长之后、器件制备之前的材料转移工艺，包括：将经过氧等离子反应刻蚀减薄的铜箔上的石墨炔薄膜匀上聚甲基丙烯酸甲酯，置于饱和氯化铁溶液中反应刻蚀；使用洁净的硅片将附有聚甲基丙烯酸甲酯的石墨炔薄膜从饱和氯化铁溶液中捞出，去离子水中清洗，以目标基底将所述石墨炔薄膜再次捞出；热板加热烘干，继续加热使石墨炔薄膜与目标基底紧密贴合，置于丙酮溶液中加热去胶，用镊子从丙酮溶液中捞出迅速放入异丙醇溶液中清洗，再捞出用氮气吹干。本发明操作简单，容易实现铜箔上石墨炔薄膜的完全转移，得到的石墨炔薄膜比较洁净，解决了石墨炔薄膜难以从铜箔上大面积定向转移下来的问题。
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公开(公告)号：CN112542473B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011357492.1
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/18 , H03K19/14
Abstract: 本发明公开了一种光信号驱动的二维逻辑开关及其制备方法，该开关包括：由衬底、二维二碲化钼和电极组成的光电晶体管、由电极和二维氮化硼组成的放大电阻、由衬底、二维二硫化钼和电极组成的逻辑晶体管以及由电极和二维氮化硼组成的逻辑电阻；其中，放大电阻两端并联到光电晶体管的源极和漏极，将光电晶体管输出的电流信号转换为电压信号，并起到放大作用，逻辑晶体管和逻辑电阻串联；光电晶体管产生的电信号，通过放大电阻以栅压的形式传递至逻辑晶体管的栅极，最终在逻辑晶体管的漏极输出电信号，实现光信号驱动的逻辑输出。本发明无需电流放大器，简化了制备工艺，并缩小了器件的体积。
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公开(公告)号：CN114429988A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210107442.0
申请日：2022-01-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构，所述半导体模块为二维半导体材料，所述金属电极模块为表面无悬挂键的二维半金属材料，所述二维半导体材料与二维半金属材料之间界面为表面粗糙度在0.01‑1nm且表面无悬挂键的范德华界面，所述二维半导体材料与二维半金属材料的层间距小于1nm；本发明的二维半金属材料具有合适的高功函数，以匹配半导体材料的能带边缘，并最终确保接近零的肖特基势垒，其场效应晶体管在室温下显示出创纪录高迁移率，减少肖特基势垒的全二维接触，并展示了其减少肖特基势垒的优化机制，有助于基于二维半导体的肖特基结设计和优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113315507A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110566411.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京科技大学
IPC: H03K19/094 , H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种二维材料光控逻辑门，包括集成在第一衬底上的第一光敏层、第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；集成在第二衬底上的第二光敏层、第五电极和第六电极；第一光敏层和第二光敏层均由二维材料制成；第一衬底、第一光敏层、第一电极和第二电极构成第一光电晶体管；第一衬底、第一光敏层、第二电极和第三电极构成第二光电晶体管；第一衬底、第一光敏层、第三电极和第四电极构成第三光电晶体管；第二衬底、第二光敏层、第五电极和第六电极构成第四光电晶体管；第一光电晶体管、第二光电晶体管及第三光电晶体管串联；第三光电晶体管与第四光电晶体管并联。该二维材料光控逻辑门具有制备工艺简单，器件体积小，利于大规模集成的优点。
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公开(公告)号：CN112978711A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110308552.9
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B32/15
Abstract: 本发明公开了一种大面积转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料生长之后、器件制备之前的材料转移工艺，包括：将经过氧等离子反应刻蚀减薄的铜箔上的石墨炔薄膜匀上聚甲基丙烯酸甲酯，置于饱和氯化铁溶液中反应刻蚀；使用洁净的硅片将附有聚甲基丙烯酸甲酯的石墨炔薄膜从饱和氯化铁溶液中捞出，去离子水中清洗，以目标基底将所述石墨炔薄膜再次捞出；热板加热烘干，继续加热使石墨炔薄膜与目标基底紧密贴合，置于丙酮溶液中加热去胶，用镊子从丙酮溶液中捞出迅速放入异丙醇溶液中清洗，再捞出用氮气吹干。本发明操作简单，容易实现铜箔上石墨炔薄膜的完全转移，得到的石墨炔薄膜比较洁净，解决了石墨炔薄膜难以从铜箔上大面积定向转移下来的问题。
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公开(公告)号：CN112859514A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110310073.0
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G03F1/76
Abstract: 本发明公开了一种图案化转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料的加工领域，包括以下步骤：将目标基底匀上光刻胶，进行图案化曝光、显影，将希望转移石墨炔薄膜图案的地方裸露出来；通过湿法转移法将石墨炔薄膜转移到显影之后的目标基底上；将转移好石墨炔薄膜的目标基底去胶，之后便得到图案化的石墨炔薄膜。本发明的目的是克服现有工艺的不足，提供了一种实验室图案化转移石墨炔薄膜的方法，该方法操作简单，实现图案化转移石墨炔薄膜的精度和成功率高，得到的石墨炔薄膜也比较洁净，解决了石墨炔薄膜转移位置、形状和大小不可控的工艺难题。
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公开(公告)号：CN112542473A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011357492.1
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/18 , H03K19/14
Abstract: 本发明公开了一种光信号驱动的二维逻辑开关及其制备方法，该开关包括：由衬底、二维二碲化钼和电极组成的光电晶体管、由电极和二维氮化硼组成的放大电阻、由衬底、二维二硫化钼和电极组成的逻辑晶体管以及由电极和二维氮化硼组成的逻辑电阻；其中，放大电阻两端并联到光电晶体管的源极和漏极，将光电晶体管输出的电流信号转换为电压信号，并起到放大作用，逻辑晶体管和逻辑电阻串联；光电晶体管产生的电信号，通过放大电阻以栅压的形式传递至逻辑晶体管的栅极，最终在逻辑晶体管的漏极输出电信号，实现光信号驱动的逻辑输出。本发明无需电流放大器，简化了制备工艺，并缩小了器件的体积。
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公开(公告)号：CN112859514B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110310073.0
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G03F1/76
Abstract: 本发明公开了一种图案化转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料的加工领域，包括以下步骤：将目标基底匀上光刻胶，进行图案化曝光、显影，将希望转移石墨炔薄膜图案的地方裸露出来；通过湿法转移法将石墨炔薄膜转移到显影之后的目标基底上；将转移好石墨炔薄膜的目标基底去胶，之后便得到图案化的石墨炔薄膜。本发明的目的是克服现有工艺的不足，提供了一种实验室图案化转移石墨炔薄膜的方法，该方法操作简单，实现图案化转移石墨炔薄膜的精度和成功率高，得到的石墨炔薄膜也比较洁净，解决了石墨炔薄膜转移位置、形状和大小不可控的工艺难题。
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