公开(公告)号：CN114937741A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210283293.3

申请日：2022-03-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  王利华 ,  张铮 ,  张敬书 ,  卫孝福 ,  陈匡磊 ,  高丽 ,  于慧慧

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种电荷俘获型的二维水平同质结整流器及制备方法，涉及半导体电子技术领域，能够在正栅电场条件下利用石墨炔和二氧化硅绝缘层对双极性二维二硒化钨进行p掺杂和n掺杂，形成的p‑n结可以获得较大的整流比且整流性能稳定；该整流器通过对二维二硒化钨同时进行n型掺杂和p型掺杂，使所述二维二硒化钨在水平方向形成p‑n同质结，从而使其输出电流随着输入漏源电压的正负分别呈现高电平和低电平，实现整流器功能该整流器通过石墨炔薄膜和二氧化硅绝缘层同时与部分二维二硒化钨接触连接，在硅栅电极施加的正向栅电场作用下实现p型和n型掺杂，从而形成同质结。本发明提供的技术方案适用于整流的过程中。

公开(公告)号：CN114937740A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210283282.5

申请日：2022-03-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  王利华 ,  张铮 ,  卫孝福 ,  张敬书 ,  陈匡磊 ,  高丽 ,  于慧慧

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供一种输入电压可调谐的二维逻辑反相器及制备方法，涉及半导体电子技术领域，能够利用石墨炔在正向栅压电场作用下对二维二硒化钨中的电荷俘获作用使二维二硒化钨的阈值电压发生偏移，在电荷转移特征交点前后产生较大的阻态差别，从而构建出反相器；该反相器通过在正向栅压电场作用下使石墨炔薄膜对二维二硒化钨呈现出电荷俘获作用，从而使得电荷俘获区域二维二硒化钨的阈值电压相对于非电荷俘获区域二维二硒化钨的阈值电压发生偏移，实现二维逻辑反相器功能；通过调整正向栅压电场的大小实现所述反相器额定输入电压范围可调。本发明提供的技术方案适用于反相器设计和制备的过程中。