公开(公告)号：CN116230761A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310174874.8

申请日：2023-02-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  卫孝福 ,  张铮 ,  张先坤 ,  于慧慧 ,  高丽 ,  洪孟羽 ,  陈匡磊 ,  尚金森 ,  都娴 ,  罗雨欣

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。本发明垂直双栅极电压调控的二维可重构晶体管应用于未来集成电路时，同等算力条件下，可以节省大量的晶体管，减少集成电路占用面积，降低集成电路成本和整体的能耗，满足未来人工智能、物联网等应用的发展需求。

公开(公告)号：CN116230761B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202310174874.8

申请日：2023-02-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  卫孝福 ,  张铮 ,  张先坤 ,  于慧慧 ,  高丽 ,  洪孟羽 ,  陈匡磊 ,  尚金森 ,  都娴 ,  罗雨欣

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。本发明垂直双栅极电压调控的二维可重构晶体管应用于未来集成电路时，同等算力条件下，可以节省大量的晶体管，减少集成电路占用面积，降低集成电路成本和整体的能耗，满足未来人工智能、物联网等应用的发展需求。

公开(公告)号：CN117293037A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311273274.3

申请日：2023-09-28

Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 ,  北京科技大学 ,  国网河南省电力公司

Inventor： 史书怀 ,  吕中宾 ,  杜君莉 ,  罗雨欣 ,  夏大伟 ,  何晓宇 ,  张朝峰 ,  李珍平 ,  曹桂州 ,  李超 ,  姚伟 ,  张先坤 ,  汪莉

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/74 ,  H01L29/24 ,  H01L29/43 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种新型二维半导体材料晶闸管的构筑方法，包括以下步骤：制备二维半导体材料、二维金属电极材料、电介质材料和传统金属电极材料；基于传统金属电极材料进行电极沉积；将电介质材料转移到沉积好的电极的基底上，然后将二维半导体材料转移堆叠在电介质材料上，将二维金属电极材料转移至二维半导体材料的一侧，并将传统金属电极材料转移到二维金属电极材料上作为阳极，将传统金属电极材料转移到二维半导体材料的另一侧作为阴极，完成二维半导体材料晶闸管的构筑。本发明将二维半导体材料和二维金属材料引入晶闸管，同时进行与之匹配的晶闸管结构设计，提升晶闸管的性能，为基于二维材料的晶闸管设计和优化提供了建议。