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公开(公告)号：CN112859514A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110310073.0
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G03F1/76
Abstract: 本发明公开了一种图案化转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料的加工领域，包括以下步骤：将目标基底匀上光刻胶，进行图案化曝光、显影，将希望转移石墨炔薄膜图案的地方裸露出来；通过湿法转移法将石墨炔薄膜转移到显影之后的目标基底上；将转移好石墨炔薄膜的目标基底去胶，之后便得到图案化的石墨炔薄膜。本发明的目的是克服现有工艺的不足，提供了一种实验室图案化转移石墨炔薄膜的方法，该方法操作简单，实现图案化转移石墨炔薄膜的精度和成功率高，得到的石墨炔薄膜也比较洁净，解决了石墨炔薄膜转移位置、形状和大小不可控的工艺难题。
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公开(公告)号：CN112542473A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011357492.1
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/18 , H03K19/14
Abstract: 本发明公开了一种光信号驱动的二维逻辑开关及其制备方法，该开关包括：由衬底、二维二碲化钼和电极组成的光电晶体管、由电极和二维氮化硼组成的放大电阻、由衬底、二维二硫化钼和电极组成的逻辑晶体管以及由电极和二维氮化硼组成的逻辑电阻；其中，放大电阻两端并联到光电晶体管的源极和漏极，将光电晶体管输出的电流信号转换为电压信号，并起到放大作用，逻辑晶体管和逻辑电阻串联；光电晶体管产生的电信号，通过放大电阻以栅压的形式传递至逻辑晶体管的栅极，最终在逻辑晶体管的漏极输出电信号，实现光信号驱动的逻辑输出。本发明无需电流放大器，简化了制备工艺，并缩小了器件的体积。
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公开(公告)号：CN114937740A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210283282.5
申请日：2022-03-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种输入电压可调谐的二维逻辑反相器及制备方法，涉及半导体电子技术领域，能够利用石墨炔在正向栅压电场作用下对二维二硒化钨中的电荷俘获作用使二维二硒化钨的阈值电压发生偏移，在电荷转移特征交点前后产生较大的阻态差别，从而构建出反相器；该反相器通过在正向栅压电场作用下使石墨炔薄膜对二维二硒化钨呈现出电荷俘获作用，从而使得电荷俘获区域二维二硒化钨的阈值电压相对于非电荷俘获区域二维二硒化钨的阈值电压发生偏移，实现二维逻辑反相器功能；通过调整正向栅压电场的大小实现所述反相器额定输入电压范围可调。本发明提供的技术方案适用于反相器设计和制备的过程中。
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公开(公告)号：CN112978711B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110308552.9
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B32/15
Abstract: 本发明公开了一种大面积转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料生长之后、器件制备之前的材料转移工艺，包括：将经过氧等离子反应刻蚀减薄的铜箔上的石墨炔薄膜匀上聚甲基丙烯酸甲酯，置于饱和氯化铁溶液中反应刻蚀；使用洁净的硅片将附有聚甲基丙烯酸甲酯的石墨炔薄膜从饱和氯化铁溶液中捞出，去离子水中清洗，以目标基底将所述石墨炔薄膜再次捞出；热板加热烘干，继续加热使石墨炔薄膜与目标基底紧密贴合，置于丙酮溶液中加热去胶，用镊子从丙酮溶液中捞出迅速放入异丙醇溶液中清洗，再捞出用氮气吹干。本发明操作简单，容易实现铜箔上石墨炔薄膜的完全转移，得到的石墨炔薄膜比较洁净，解决了石墨炔薄膜难以从铜箔上大面积定向转移下来的问题。
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公开(公告)号：CN112542473B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011357492.1
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/18 , H03K19/14
Abstract: 本发明公开了一种光信号驱动的二维逻辑开关及其制备方法，该开关包括：由衬底、二维二碲化钼和电极组成的光电晶体管、由电极和二维氮化硼组成的放大电阻、由衬底、二维二硫化钼和电极组成的逻辑晶体管以及由电极和二维氮化硼组成的逻辑电阻；其中，放大电阻两端并联到光电晶体管的源极和漏极，将光电晶体管输出的电流信号转换为电压信号，并起到放大作用，逻辑晶体管和逻辑电阻串联；光电晶体管产生的电信号，通过放大电阻以栅压的形式传递至逻辑晶体管的栅极，最终在逻辑晶体管的漏极输出电信号，实现光信号驱动的逻辑输出。本发明无需电流放大器，简化了制备工艺，并缩小了器件的体积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112859514B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110310073.0
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G03F1/76
Abstract: 本发明公开了一种图案化转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料的加工领域，包括以下步骤：将目标基底匀上光刻胶，进行图案化曝光、显影，将希望转移石墨炔薄膜图案的地方裸露出来；通过湿法转移法将石墨炔薄膜转移到显影之后的目标基底上；将转移好石墨炔薄膜的目标基底去胶，之后便得到图案化的石墨炔薄膜。本发明的目的是克服现有工艺的不足，提供了一种实验室图案化转移石墨炔薄膜的方法，该方法操作简单，实现图案化转移石墨炔薄膜的精度和成功率高，得到的石墨炔薄膜也比较洁净，解决了石墨炔薄膜转移位置、形状和大小不可控的工艺难题。
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公开(公告)号：CN114895529A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210395800.2
申请日：2022-04-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微机械剥离图案化二维材料的制备方法，包括如下步骤：S101：在初始衬底上剥离出过渡金属硫化物的二维材料；S102：将剥离出的所述二维材料转移至所需使用的目标衬底上；S103：在所述基底上旋涂电子束光刻胶，将其烘干后用电子束曝光的方式将所述基底上的电子束光刻胶层图案化；S104：将所述步骤S103处理后的基底浸没在丙酮溶液中，然后取出并加热，去除电子束光刻胶，得到微机械剥离图案化二维材料。本发明的微机械剥离图案化二维材料的制备方法，剥离速度快，操作简单成本低，适用于大范围推广。本发明方法制备得到的图案化的机械剥离二维材料图案化质量高，不易被污染。
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公开(公告)号：CN112929016B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110116864.X
申请日：2021-01-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H03K17/79
Abstract: 本发明提供一种垂直结构的光电逻辑开关，属于半导体光电集成技术领域。所述光电逻辑开关包括：设置于顶层的光探测单元，用于将探测到的光信号转换为电流信号；设置于中间层的阻抗单元，其输入端与所述光探测单元的输出端电连接；所述阻抗单元用于将所述光探测单元产生的电流信号转换为电压信号，并将所述电压信号放大至所述逻辑电路的探测范围；设置于底层的逻辑单元，其输入端与所述阻抗单元的输出端电连接；所述逻辑单元用于实现将所述阻抗单元输出的低电平电压信号反向转换成高电平电压信号输出。本发明能够实现光电集成和逻辑运算，还能简化了制备工艺，缩小器件体积。
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公开(公告)号：CN112929016A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110116864.X
申请日：2021-01-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H03K17/79
Abstract: 本发明提供一种垂直结构的光电逻辑开关，属于半导体光电集成技术领域。所述光电逻辑开关包括：设置于顶层的光探测单元，用于将探测到的光信号转换为电流信号；设置于中间层的阻抗单元，其输入端与所述光探测单元的输出端电连接；所述阻抗单元用于将所述光探测单元产生的电流信号转换为电压信号，并将所述电压信号放大至所述逻辑电路的探测范围；设置于底层的逻辑单元，其输入端与所述阻抗单元的输出端电连接；所述逻辑单元用于实现将所述阻抗单元输出的低电平电压信号反向转换成高电平电压信号输出。本发明能够实现光电集成和逻辑运算，还能简化了制备工艺，缩小器件体积。
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公开(公告)号：CN114937741A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210283293.3
申请日：2022-03-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种电荷俘获型的二维水平同质结整流器及制备方法，涉及半导体电子技术领域，能够在正栅电场条件下利用石墨炔和二氧化硅绝缘层对双极性二维二硒化钨进行p掺杂和n掺杂，形成的p‑n结可以获得较大的整流比且整流性能稳定；该整流器通过对二维二硒化钨同时进行n型掺杂和p型掺杂，使所述二维二硒化钨在水平方向形成p‑n同质结，从而使其输出电流随着输入漏源电压的正负分别呈现高电平和低电平，实现整流器功能该整流器通过石墨炔薄膜和二氧化硅绝缘层同时与部分二维二硒化钨接触连接，在硅栅电极施加的正向栅电场作用下实现p型和n型掺杂，从而形成同质结。本发明提供的技术方案适用于整流的过程中。
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