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公开(公告)号：CN119764242A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411960289.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶圆的转移封装方法及封装结构。所述转移封装方法包括：在直接生长于基底上的石墨烯晶圆表面沉积氧化铝作为转移封装层，在所述转移封装层上旋涂高分子聚合物粘合胶，再贴合支撑层；将支撑层/转移封装层/石墨烯晶圆与所述基底分离；将支撑层/转移封装层/石墨烯晶圆复合结构贴合至目标衬底；热处理使所述支撑层与所述转移封装层分离。本发明的转移封装方法采用氧化铝作为转移封装层，既避免石墨烯晶圆在转移过程中的掺杂和污染，又可以保护石墨烯晶圆转移后不受环境中水氧掺杂，减小衬底带电杂质等对石墨烯晶圆载流子的散射作用同时氧化铝为石墨烯晶圆提供支撑解决了石墨烯晶圆在表面有悬空结构的不平整衬底上直接转移的问题。
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公开(公告)号：CN116812924A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210276554.9
申请日：2022-03-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶圆的转移方法，包括：在直接生长于生长基底上的石墨烯晶圆表面形成转移媒介层，所述转移媒介层包含设置于所述石墨烯晶圆表面的有机小分子化合物层和设置在所述有机小分子化合物层表面的聚甲基丙烯酸甲酯层；在所述转移媒介层上贴合带有粘性的支撑衬底，得到支撑衬底/转移媒介层/石墨烯晶圆/生长基底复合结构；将所述支撑衬底/转移媒介层/石墨烯晶圆与生长基底分离；将支撑衬底/转移媒介层/石墨烯晶圆复合结构贴合至目标衬底；热处理使所述转移媒介层中的所述有机小分子化合物挥发；及将所述转移媒介层与所述石墨烯晶圆分离。本发明的方法不使用有机溶剂来转移媒介层，可以减少石墨烯晶圆表面残留污染物，提升洁净度。
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公开(公告)号：CN116692844A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310862702.X
申请日：2023-07-13
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的无损转移方法。在石墨烯薄膜/金属基底上依次旋涂高分子复合薄膜并贴合热释放胶带TRT，通过机械剥离的方法将石墨烯薄膜与金属基底分离，将其贴合至目标衬底；低温冷却后直接将热释放胶带TRT和高分子复合薄膜撕除，实现了石墨烯薄膜的转移。步骤简单，溶剂只采用水，不涉及有机溶剂，安全环保，得到的石墨烯结构完整，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN118201451A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211599931.9
申请日：2022-12-12
Abstract: 本发明公开了一种单晶石墨烯晶圆薄膜的转移方法。本发明的转移方法能够实现石墨烯晶圆的无损转移，完整度大于>90％。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移，可实现1‑100层的均匀石墨烯晶圆的转移。此外，此转移方法操作简便快速，可在15分钟内轻松完成。
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公开(公告)号：CN116789127A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310890378.2
申请日：2023-07-19
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面旋涂高分子薄膜；在高分子薄膜上贴合热释放胶带TRT，形成TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜/金属基底复合结构；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜与金属基底分离；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜贴合至目标衬底；加热释放热释放胶带TRT，得到高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构，将去除TRT后的高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构继续保持在热台上；用水洗涤去除高分子薄膜，得到石墨烯薄膜/目标衬底复合结构。对石墨烯薄膜的损坏程度更小，可以得到完整度更高的石墨烯薄膜，且操作简便、原料环保，有利于工业化。
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