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公开(公告)号：CN101295612A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810114587.3
申请日：2008-06-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供一种无金属底托的环状真空吸气元件的制备方法，属真空吸气元件制备领域。制备工艺为：首先用无水乙醇及加拿大胶制备粘结剂溶液，再将粘结剂溶解液慢慢加入到吸气剂粉末中混至均匀，并制成不同粒度组成的吸气剂球形颗粒，将制备的球形颗粒经烘干后，在环形模具中加压，压制成环状坯件，将此环状坯件在真空状态下去除粘结剂，最后将去除粘结剂的环状坯件在真空炉中进行高温烧结，降温出炉后便制得无金属底托环状吸气元件。其优点在于节省了底托金属，简化了工艺操作，降低了制作成本，便于感应加热，吸气元件的激活温度容易控制；去掉金属底托，在同等重量前提下相当于增加了吸气剂的净含量，相对提高了吸气元件单位重量的吸气性能。
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公开(公告)号：CN104752498A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310726832.7
申请日：2013-12-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42364 , H01L29/401 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种具有更高介电常数的MOS结构及其制备方法。该MOS结构包括半导体衬底、在半导体上沉积的栅介质薄膜、以及采用物理气相沉积法沉积的金属栅电极，其中的栅介质薄膜为铪基多元氧化物HfLaTiOx或HfLaTaOx。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗半导体衬底，去除表面的有机污染物、微尘、金属离子及氧化层；(2)采用物理气相沉积、化学气相沉积法或原子层沉积方法向半导体衬底上沉积栅介质薄膜；(3)采用物理气相沉积法向栅介质薄膜上沉积金属栅电极，得到MOS结构。本发明的MOS结构中栅介质薄膜为非晶态，结构稳定。本发明的MOS结构具有较小的漏电流密度和更高的介电常数。本发明的MOS结构的制备方法简单，重复性好。
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公开(公告)号：CN103855229A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520713.1
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/0745 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了属于光电器件技术领域的一种增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件及其制备方法。本发明的石墨烯光电器件，包括背电极、半导体衬底、石墨烯、顶电极以及位于所述石墨烯和顶电极之间的阻挡功能层材料，阻挡功能层材料由一层金属氧化物薄膜。本发明采用某些金属氧化物薄膜作为阻挡功能层，利用氧化物薄膜材料的高透光度和阻挡空穴传输电子的功能，获得了具有提高光电效应的石墨烯基半导体异质结器件。本发明的光电器件具有制备方法简单、光电转换效率明显提高并且与新型的石墨烯材料相兼容等优点。
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公开(公告)号：CN102446627A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010503094.6
申请日：2010-09-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种金属化薄膜电容器，采用双向拉伸聚丙烯薄膜作为介质层，所述的薄膜的厚度为7.5～7.8μm，该薄膜的单面蒸镀锌铝电极，并在该面的宽度方向上的一边留边，留边以外的基条部分蒸镀有锌铝电极，将两卷上述薄膜的留边部分分别放在宽度方向上的不同的一侧上进行卷绕，卷绕成薄膜电容器。该薄膜的宽度为134.6～135.4mm，单边留边宽度为2.1～2.9mm，其在留边上的蒸镀方阻为2～5Ω/□，其在留边以外的基条部分的蒸镀方阻为10～15Ω/□。该电容量为240±5％μF和比能密度达500J/L，在100Hz条件下，其损耗角正切小于8×10-3、工作电压7000V、万次充放电电容损失量＜5％和放电电流达1380～1530A，放电时间约1～1.5ms。
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公开(公告)号：CN100373652C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410102757.8
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Si(100)片上制备n-SnO2-x薄膜层，再在二氧化锡层上制备Pd-Ni层，形成Pd-Ni/SnO2复合膜的气敏元件。本发明制备的Pd-Ni/SnO2复合膜气敏元件，可在常温环境下，大大提高对氢气的选择性和灵敏性。本发明可以提供一种制造工艺简便，价格低廉的半导体气敏元件的制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103894163A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210566972.8
申请日：2012-12-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 一种高性能纳米TiO2光催化剂材料及其制备方法，该光催化剂材料由中空纳米结构多面体TiO2粒子构成，该中空纳米结构多面体TiO2粒子具有暴露面均为{101}面的内外双层高活性面结构，其孔洞大小为100～200nm。其制备方法为：(1)将钛粉、氢氟酸和双氧水在去离子水中混合均匀后再转移到反应釜中；(2)将反应釜密封后，于180℃保温3h；(3)自然冷却，离心分离收集固体产物；(4)将固体产物重新分散到装有乙二醇的反应釜中，密封反应釜置于烘箱中于160～220℃保温48～72h；(5)自然冷却，离心分离，将产物烘干即可。该光催化材料具有高的光催化活性和降解有机污染物的能力，可在室温太阳光照下直接应用于光催化降解水体中的有机污染物。其制备方法简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103187252A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110445993.X
申请日：2011-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供一种界面钝化改善高k栅介质性能的方法，包括在硅衬底上依次沉积非晶体氧化铝薄膜和氧化钆掺杂的氧化铪薄膜。本发明采用特定的陶瓷烧结技术制备高纯度的氧化铝靶材，在硅衬底上沉积非晶氧化铝薄膜层，然后在该氧化铝薄膜层上沉积氧化钆掺杂的氧化铪薄膜。本发明在硅衬底与氧化钆掺杂的氧化铪薄膜之间上沉积非晶体氧化铝薄膜，从而在衬底与高k栅介质层之间形成界面钝化层，有效地阻止了Si、O、Hf原子的互扩散，使Si/Al2O3界面形成单一的SiOx，减少了界面处铪的硅化物或硅酸盐的形成，并且由于Al2O3致密稳定，使界面处的电荷缺陷减少，稳定性增加。
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公开(公告)号：CN101290851B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810114966.2
申请日：2008-06-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供了一种用粉末注射成型制备电真空吸气元件的方法，属于电真空吸气元件制造技术领域。制备工艺为：以Ti粉和Mo粉为原料在混料机上混合，将混合均匀的原料粉末与粘结剂按体积比混合并在混炼机上混炼，冷却后破碎成注射喂料，再进行注射成型，对注射成型的坯件采用二步脱脂工艺处理，先对注射成型坯件进行溶剂脱脂，再进行真空热脱脂，最终对脱脂后的坯件进行真空烧结，制备成真空吸气元件。本发明的优点在于：可以制备出形状复杂、尺寸精度高的吸气元件以满足各类电真空器件不同形状的空间对吸气元件复杂形状及尺寸精度的要求。产品孔径、孔隙度控制均匀，吸气元件的孔隙度可达到50％以上。
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公开(公告)号：CN101325139B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810116163.0
申请日：2008-07-04
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供了一种根部带防掉粉装置的吸气元件的制备方法，属于真空吸气元件制备领域。首先将带双孔的陶瓷片洗净烘干；分别制备粘结剂、钛膏、吸气剂膏。取涂有三氧化二铝绝缘层的螺旋丝作为加热丝。用钛膏将陶瓷片单面均匀涂敷并通过两个小孔固定螺旋加热丝，真空烧结制成加热体。将吸气剂涂敷在带有陶瓷片的加热体上制成吸气元件坯件，将此坯件进行真空烧结，降温出炉制得引出端根部带防掉粉装置的吸气元件。本发明解决了陶瓷片与吸气剂的牢固结合技术，从而有效的用陶瓷片取代三氧化二铝的绝缘层，彻底解决了在振动条件下三氧化二铝的涂层脱落问题，使吸气元件整体强度增强，满足了特殊电真空器件对吸气元件强度性能的苛刻要求。
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公开(公告)号：CN100497944C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610114044.2
申请日：2006-10-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: F04B37/02
Abstract: 一种使用安全大抽速吸气剂泵。该吸气剂泵是在壳体内均布排列若干根吸气剂串，该吸气剂串是在一根支撑杆上串接数片吸气剂片。在壳体上设有一个开口为吸气剂泵口，并在壳体外部设有烘烤加热装置。该气剂泵采用外部烘烤加热方式激活泵体内吸气剂，使用维修方便安全；泵体内部结构设计合理，有利于均匀加热吸气剂、有利于气体扩散，提高抽速。
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