公开(公告)号：CN103855229B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210520713.1

申请日：2012-12-06

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 魏峰 ,  曾亭 ,  杜军 ,  熊玉华

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了属于光电器件技术领域的一种增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件及其制备方法。本发明的石墨烯光电器件，包括背电极、半导体衬底、石墨烯、顶电极以及位于所述石墨烯和顶电极之间的阻挡功能层材料，阻挡功能层材料由一层金属氧化物薄膜。本发明采用某些金属氧化物薄膜作为阻挡功能层，利用氧化物薄膜材料的高透光度和阻挡空穴传输电子的功能，获得了具有提高光电效应的石墨烯基半导体异质结器件。本发明的光电器件具有制备方法简单、光电转换效率明显提高并且与新型的石墨烯材料相兼容等优点。

公开(公告)号：CN103855229A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210520713.1

申请日：2012-12-06

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 魏峰 ,  曾亭 ,  杜军 ,  熊玉华

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了属于光电器件技术领域的一种增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件及其制备方法。本发明的石墨烯光电器件，包括背电极、半导体衬底、石墨烯、顶电极以及位于所述石墨烯和顶电极之间的阻挡功能层材料，阻挡功能层材料由一层金属氧化物薄膜。本发明采用某些金属氧化物薄膜作为阻挡功能层，利用氧化物薄膜材料的高透光度和阻挡空穴传输电子的功能，获得了具有提高光电效应的石墨烯基半导体异质结器件。本发明的光电器件具有制备方法简单、光电转换效率明显提高并且与新型的石墨烯材料相兼容等优点。