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公开(公告)号：CN115831172A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211394121.X
申请日：2022-11-08
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的RRAM灵敏放大器电路，包括线性稳压电路、可调电流镜电路、可调电阻电路、比较器电路、反相器电路、锁存器电路和抗辐射加固版图结构。所述线性稳压电路向存储单元位线提供稳定的读电压，并添加限幅二极管对位线电压进行限幅；所述可调电流镜电路用于调整读电流的放大倍数；所述可调电阻电路用于电流电压转换，并调整放大电压倍数；所述锁存器电路对输入电压进行锁存并输出最终数字信号；所述抗辐射加固版图结构采用环形栅和加固的保护环。本发明设计的RRAM灵敏放大器电路负载范围大，读取速度快，具有很强的抗单粒子、总剂量辐射能力，版图布局易实现。
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公开(公告)号：CN118506829A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410613964.7
申请日：2024-05-17
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于互补存储单元的RRAM灵敏放大器电路，属于非易失性存储器电路设计技术领域，包括正向放大电路、反向放大电路、比较器、数据存储单元和互补存储单元。正向放大电路向数据存储单元提供稳定的读电压，并放大位线电流，转换为电压信号；反向放大电路向互补存储单元提供稳定的读电压，并放大位线电流，转换为电压信号；比较器用于比较两个互补的电压信号；数据存储单元与互补存储单元共同存储逻辑相反的一组数据；本发明设计的RRAM灵敏放大器电路具有更高的读取裕度、更低的读错误率，抗工艺波动能力强，设计复杂度低，电路容易实现。
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公开(公告)号：CN118380030A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410352570.0
申请日：2024-03-26
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 一种基于存储单元单向编程的存储器写保护电路，包括：写保护配置信息存储位，用于接收写保护状态配置信号IN1和IN2并存储写保护状态配置数据；或非门读取控制模块用于接收IN1和IN2并控制写保护配置信息存储位中数据读取通路的开闭；单向编程供电模块用于提供单向编程操作所需电压或电流；灵敏放大器数据读取模块用于读取写保护状态配置数据；逻辑判断模块判断处理写保护状态配置数据，输出写保护控制信号；并入逻辑模块用于接收写保护控制信号，逻辑运算后生成写使能输入信号EN_in；主存储器模块判断主存储器模块是否被允许进行写操作。本发明既可实现存储器的永久写保护功能，也能在启用写保护功能之前允许用户进行存储器存储信息的足够多次编程调试。
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公开(公告)号：CN117976013A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311523868.5
申请日：2023-11-15
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种带Forming保护的RRAM存储器写电路，旨在解决现有的低电压CMOS器件设计的RRAM存储器的写电路在确保写操作过程中不出现超过晶体管耐压能力的可靠性不足的问题。本发明包括：阻变器件、选通NMOS管和选通开关组；阻变器件的两端分别连接位线BL和选通NMOS管的漏级；选通NMOS管的源极连接源线SL；所述选通开关组包括第一部分和第二部分；所述位线BL连接至第一部分；所述源线SL连接至第二部分。本发明降低了电路功耗，使电路可以通过采用低压小线宽晶体管提升电路的集成度和读写速度，使新型存储器RRAM可以采用更小工艺节点，实现更大容量、更高速度和更低功耗。
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