公开(公告)号：CN118380030A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410352570.0

申请日：2024-03-26

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 郭小星 ,  韩旭鹏 ,  刘亚娇 ,  曹炜亦 ,  钱浩 ,  焦博文 ,  姚可欣 ,  王亮

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种基于存储单元单向编程的存储器写保护电路，包括：写保护配置信息存储位，用于接收写保护状态配置信号IN1和IN2并存储写保护状态配置数据；或非门读取控制模块用于接收IN1和IN2并控制写保护配置信息存储位中数据读取通路的开闭；单向编程供电模块用于提供单向编程操作所需电压或电流；灵敏放大器数据读取模块用于读取写保护状态配置数据；逻辑判断模块判断处理写保护状态配置数据，输出写保护控制信号；并入逻辑模块用于接收写保护控制信号，逻辑运算后生成写使能输入信号EN_in；主存储器模块判断主存储器模块是否被允许进行写操作。本发明既可实现存储器的永久写保护功能，也能在启用写保护功能之前允许用户进行存储器存储信息的足够多次编程调试。