公开(公告)号：CN117187743A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311141420.7

申请日：2023-09-06

Applicant: 北京师范大学珠海校区

Inventor： 吴杰 ,  陈琳 ,  吴嘉锟 ,  欧阳潇 ,  廖斌 ,  张旭 ,  英敏菊

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/485 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种高熵氧化物薄膜负极材料及其制备方法和应用，采用磁过滤阴极真空弧方法在铜箔基片上一步沉积出高熵氧化物薄膜，具体包括以下步骤：将基片放在乙醇溶液中清洗；然后放入真空室抽真空；利用氩气在‑300～‑600V的负偏压条件下对基片进行溅射清洗；采用磁过滤阴极真空弧沉积高熵氧化物薄膜，在弧流为50～200A，正偏压为20～40V、负偏压为‑50～‑300V、氧气流量为5～10sccm条件下进行薄膜沉积，沉积时间为0.5～2h。本发明通过载能离子与金属靶材表面/亚表面的相互作用在室温下一步实现多种金属氧化物的精细成膜，与基于化学合成的方法相比，离子术技术能实现氧化物种类、结构和性能的宽域调控，具有更好的产业化应用前景。