城市规划实体关系抽取模型训练方法、抽取方法及装置

    公开(公告)号:CN119415944A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411363303.X

    申请日:2024-09-27

    Abstract: 本发明提供一种城市规划实体关系抽取模型训练方法、抽取方法及装置。涉及城市规划技术领域,包括:基于预设城市规划实体关系抽取提示词,通过预设大语言模型对预处理后的城市规划标准数据进行数据标注,得到多个携带有关系类型标注的城市规划实体数据;将所述携带有关系类型标注的城市规划实体数据输入目标Roberta模型后,输出标注语料词向量表征;基于所述标注语料词向量表征对预设实体关系抽取模型进行训练,得到城市规划实体关系抽取模型;其中,所述城市规划实体关系抽取模型用于批量抽取城市规划标准中的实体和关系。

    一种双踏板的新型全身振动平台
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119792010A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510065056.3

    申请日:2025-01-15

    Abstract: 本发明提供了一种双踏板的新型全身振动平台及其使用方法,在每侧踏板配置有:活塞装置,与所述踏板连接;浮力臂,通过第一旋转连杆与所述活塞装置连接;振动幅度调节装置,包括:振动幅度盘,浮力臂通过第二轴承装置安装在振动幅度盘上;振动幅度调节电机,连接有伺服减速机;旋转角度调节曲柄,一端与伺服减速机连接,另一端通过第二旋转连杆与振动幅度盘连接;振动频率调节装置,包括:旋转轴,与浮力臂连接设置;振动频率调节电机,通过旋转传递机构与旋转轴连接。本发明所述全身振动平台解决了振动发生结构所需电机扭矩与功率要求高、输出频率与振幅和预设差异大、左右两脚加速度差异增大的难题,在振动过程中能保持输出参数与预设一致。

    调试代码文件的方法及装置、非易失性存储介质

    公开(公告)号:CN115543858A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211534158.8

    申请日:2022-12-02

    Inventor: 李若 张敏

    Abstract: 本申请公开了一种调试代码文件的方法及装置、非易失性存储介质。其中,该方法包括:获取代码文件;解析代码文件,得到代码文件中断点的第一断点信息;将执行代码文件的过程中获取的断点的第二断点信息与第一断点信息进行匹配,得到匹配结果;如果匹配结果为第二断点信息与第一断点信息不匹配,确定继续执行代码文件;如果匹配结果为第二断点信息与第一断点信息匹配,当代码文件执行至第二断点信息对应的断点所在的位置时,暂停执行代码文件,并对代码文件进行调试。本申请解决了由于相关技术调试代码文件时存在错误定位调试位置,造成的调试时间长,调试效率低的技术问题。

    一种分布式光纤声波传感系统中衰落噪声的消除系统

    公开(公告)号:CN119901367A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202510083165.8

    申请日:2025-01-20

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开的一种分布式光纤声波传感系统中衰落噪声的消除系统,包括光源、光移频调制器、光放大器、光环形器、光电探测器、数据采集卡和数据解调器;光源发出的激光经光移频调制器调制为具有频率差的双脉冲光,双脉冲光经光放大器放大后通过光环形器注入光纤内,光纤内产生的瑞利背向散射光发射回光环形器,经光环形器出射的光经光电探测器探测转换为电信号,电信号经数据采集卡采集转换为数字信号,数据解调器对数字信号采用衰落噪声消除方法解调得到消除了衰落噪声的信号。因此,本发明可以有效消除分布式光纤声波传感系统中的衰落噪声,提高信号的质量,消除错误信号干扰。

    一种GaN单晶生长装置及方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118668282A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410715034.2

    申请日:2024-06-04

    Abstract: 本发明公开一种GaN单晶生长装置及其方法,包括:籽晶;加热组件;反应釜,所述加热组件设置于反应釜外侧,反应釜用于容纳反应原料和籽晶;升降机构,升降机构包括固定部、升降部和悬挂部,固定部设置于反应釜的外部,悬挂部设置于反应釜的内部,升降部的一端连接于所述固定部,升降部的另一端穿过反应釜的上端连接于悬挂部,籽晶设置于悬挂部;旋转机构,反应釜固定于旋转机构上。本发明通过反应釜的旋转实现籽晶的提升与下降,实现当N离子浓度较高时,籽晶浸入熔体,当N离子浓度较低时,籽晶与熔体分离,可以间断性控制GaN单晶的生长,保证了籽晶一直处于N离子的高浓度环境中,提高了GaN单晶的生长质量。

    一种压电薄膜柔性触觉传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118624084A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410693380.5

    申请日:2024-05-31

    Inventor: 张敏 朱婕菲

    Abstract: 本申请涉及一种压电薄膜触觉传感器,包括:柔性衬底;位于柔性衬底上的第一压电薄膜结构,包括:第一上电极;第一压电薄膜;第一下电极;位于柔性衬底上的第二压电薄膜结构,包括:第二上电极;第二压电薄膜;第二下电极;其中,第一压电薄膜和第二压电薄膜的切向不同,第一压电薄膜结构和第二压电薄膜结构配置为分别检测施加在柔性触觉传感器上的法向应力和剪切应力。本申请提出的压电薄膜触觉传感器能够实现同时对法向应力和剪切应力的无串扰检测。本申请还提出了一种压电薄膜柔性触觉传感器的制备方法。

    一种石墨烯量子点生物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118330002A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410485916.4

    申请日:2024-04-22

    Inventor: 张敏 祝洋 潘媛

    Abstract: 本申请涉及一种石墨烯量子点生物传感器,包括衬底;位于衬底上方的有源层,所述有源层包括半导体型碳纳米管;位于所述衬底上方的与所述有源层电连接的源漏电极;位于所述有源层上方的钝化层,其覆盖所述有源层的部分区域;通过ΠΠ堆叠的方式固定于未被所述钝化层覆盖的所述有源层中碳纳米管的石墨烯量子点;与所述石墨烯量子点连接的生物探针;以及栅电极。

    一种晶体生长装置及方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118223107A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410326262.0

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置及方法,生长装置包括具有中空内腔的反应釜,反应釜包括生长段和解离段;其中,反应釜具有第一位姿、第二位姿和第三位姿,反应釜可受驱在第一位姿、第二位姿和第三位姿之间旋转切换;当反应釜位于第一位姿时,生长段处于直立状态,使解离腔内的熔体与生长腔内的籽晶分离;当反应釜倾斜至第二位姿时,解离腔内的内容物能够倾倒至流入生长腔中;当反应釜倾斜至第三位姿时,生长段内的内容物能够倾倒至流入解离腔中。本发明将氮元素的解离与生长过程彻底分离,有效解决了初始成核表面不平整的问题,同时能够解决由于蓝宝石与氮化镓单晶之间晶格失配导致的破裂问题,从而有效改善了生长所得的氮化镓单晶的质量。

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