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公开(公告)号：CN119792010A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510065056.3
申请日：2025-01-15
Applicant: 北京航空航天大学 , 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)
IPC: A61H1/00
Abstract: 本发明提供了一种双踏板的新型全身振动平台及其使用方法，在每侧踏板配置有：活塞装置，与所述踏板连接；浮力臂，通过第一旋转连杆与所述活塞装置连接；振动幅度调节装置，包括：振动幅度盘，浮力臂通过第二轴承装置安装在振动幅度盘上；振动幅度调节电机，连接有伺服减速机；旋转角度调节曲柄，一端与伺服减速机连接，另一端通过第二旋转连杆与振动幅度盘连接；振动频率调节装置，包括：旋转轴，与浮力臂连接设置；振动频率调节电机，通过旋转传递机构与旋转轴连接。本发明所述全身振动平台解决了振动发生结构所需电机扭矩与功率要求高、输出频率与振幅和预设差异大、左右两脚加速度差异增大的难题，在振动过程中能保持输出参数与预设一致。
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公开(公告)号：CN115543858A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211534158.8
申请日：2022-12-02
Applicant: 北京大学 , 北京大学重庆大数据研究院
IPC: G06F11/36
Abstract: 本申请公开了一种调试代码文件的方法及装置、非易失性存储介质。其中，该方法包括：获取代码文件；解析代码文件，得到代码文件中断点的第一断点信息；将执行代码文件的过程中获取的断点的第二断点信息与第一断点信息进行匹配，得到匹配结果；如果匹配结果为第二断点信息与第一断点信息不匹配，确定继续执行代码文件；如果匹配结果为第二断点信息与第一断点信息匹配，当代码文件执行至第二断点信息对应的断点所在的位置时，暂停执行代码文件，并对代码文件进行调试。本申请解决了由于相关技术调试代码文件时存在错误定位调试位置，造成的调试时间长，调试效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN119901367A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510083165.8
申请日：2025-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开的一种分布式光纤声波传感系统中衰落噪声的消除系统，包括光源、光移频调制器、光放大器、光环形器、光电探测器、数据采集卡和数据解调器；光源发出的激光经光移频调制器调制为具有频率差的双脉冲光，双脉冲光经光放大器放大后通过光环形器注入光纤内，光纤内产生的瑞利背向散射光发射回光环形器，经光环形器出射的光经光电探测器探测转换为电信号，电信号经数据采集卡采集转换为数字信号，数据解调器对数字信号采用衰落噪声消除方法解调得到消除了衰落噪声的信号。因此，本发明可以有效消除分布式光纤声波传感系统中的衰落噪声，提高信号的质量，消除错误信号干扰。
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公开(公告)号：CN118668282A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410715034.2
申请日：2024-06-04
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种GaN单晶生长装置及其方法，包括：籽晶；加热组件；反应釜，所述加热组件设置于反应釜外侧，反应釜用于容纳反应原料和籽晶；升降机构，升降机构包括固定部、升降部和悬挂部，固定部设置于反应釜的外部，悬挂部设置于反应釜的内部，升降部的一端连接于所述固定部，升降部的另一端穿过反应釜的上端连接于悬挂部，籽晶设置于悬挂部；旋转机构，反应釜固定于旋转机构上。本发明通过反应釜的旋转实现籽晶的提升与下降，实现当N离子浓度较高时，籽晶浸入熔体，当N离子浓度较低时，籽晶与熔体分离，可以间断性控制GaN单晶的生长，保证了籽晶一直处于N离子的高浓度环境中，提高了GaN单晶的生长质量。
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公开(公告)号：CN118624084A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410693380.5
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01L5/167
Abstract: 本申请涉及一种压电薄膜触觉传感器，包括：柔性衬底；位于柔性衬底上的第一压电薄膜结构，包括：第一上电极；第一压电薄膜；第一下电极；位于柔性衬底上的第二压电薄膜结构，包括：第二上电极；第二压电薄膜；第二下电极；其中，第一压电薄膜和第二压电薄膜的切向不同，第一压电薄膜结构和第二压电薄膜结构配置为分别检测施加在柔性触觉传感器上的法向应力和剪切应力。本申请提出的压电薄膜触觉传感器能够实现同时对法向应力和剪切应力的无串扰检测。本申请还提出了一种压电薄膜柔性触觉传感器的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118330002A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410485916.4
申请日：2024-04-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01N27/414 , C01B32/182
Abstract: 本申请涉及一种石墨烯量子点生物传感器，包括衬底；位于衬底上方的有源层，所述有源层包括半导体型碳纳米管；位于所述衬底上方的与所述有源层电连接的源漏电极；位于所述有源层上方的钝化层，其覆盖所述有源层的部分区域；通过ΠΠ堆叠的方式固定于未被所述钝化层覆盖的所述有源层中碳纳米管的石墨烯量子点；与所述石墨烯量子点连接的生物探针；以及栅电极。
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公开(公告)号：CN118223107A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410326262.0
申请日：2024-03-21
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置及方法，生长装置包括具有中空内腔的反应釜，反应釜包括生长段和解离段；其中，反应釜具有第一位姿、第二位姿和第三位姿，反应釜可受驱在第一位姿、第二位姿和第三位姿之间旋转切换；当反应釜位于第一位姿时，生长段处于直立状态，使解离腔内的熔体与生长腔内的籽晶分离；当反应釜倾斜至第二位姿时，解离腔内的内容物能够倾倒至流入生长腔中；当反应釜倾斜至第三位姿时，生长段内的内容物能够倾倒至流入解离腔中。本发明将氮元素的解离与生长过程彻底分离，有效解决了初始成核表面不平整的问题，同时能够解决由于蓝宝石与氮化镓单晶之间晶格失配导致的破裂问题，从而有效改善了生长所得的氮化镓单晶的质量。
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公开(公告)号：CN117966275A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410295051.5
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种GaN单晶生长装置，包括开设有NH3进气口、N2进气口和HC l进气口的反应器，反应器内设置有第一通道、第二通道、第三通道、镓舟、生长盘、生长衬底和盖板；第三通道的入口连通NH3进气口，第二通道的入口连通N2进气口，第一通道的入口连通HC l进气口，第三通道、第二通道和第一通道的出口均呈扁平状；镓舟与第一通道连通；生长衬底位于第三通道、第二通道和第一通道的出口的前方，且生长衬底设置在生长盘上；盖板位于生长衬底的上方，且盖板的高度高于第三通道。本发明可在生长衬底上形成稳定的层流流场，从而可确保得到高质量的GaN单晶，有利于GaN单晶的产业化。
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公开(公告)号：CN117626435A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311667754.8
申请日：2023-12-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置及方法，其中，基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置包括装有熔体的反应釜以及加热组件；反应釜内的第一通道的顶端部与第二通道的顶端部通过第一横道相连通，第一通道的底端部与第二通道的底端部通过第二横道相连通；第一通道与第二通道内分别安装有第一特斯拉阀和第二特斯拉阀。上述设计中，第一特斯拉阀以及第二特斯拉阀具有单向流通特征，在温场的条件下，熔体在第一横道、第一特斯拉阀、第二横道以及第二特斯拉阀依次循环流动，熔体内的氮离子也随着熔体循环流动，第一特斯拉阀以及第二特斯拉阀防止熔体出现湍流或者对流现象，有利于氮离子在熔体中的均匀流动，从而籽晶表面的氮化镓生长速率分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN117279462A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311326159.8
申请日：2023-10-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及柔性三维集成电路结构的制备方法、反相器及集成电路，该方法包括：形成第一衬底；在第一衬底上形成P型晶体管；在P型晶体管上沉积N型晶体管的第二栅极介电层；在第二栅极介电层上形成N型晶体管的第二沟道区域；通过第二湿法刻蚀方式蚀刻露出P型晶体管的第一源电极和第一漏电极；以及在第二沟道区域的两侧分别形成N型晶体管的第二源电极和第二漏电极，其中第二漏电极与下方的P型晶体管的第一漏电极相连接，形成反相器的输出端。本申请的方法制备的反相器及集成电路，实现了保持反相器及集成电路的高柔韧性，实现保证反相器及集成电路稳定性能，降低时延的技术效果。
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