公开(公告)号：CN103018646A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110282433.7

申请日：2011-09-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 崔小乐 ,  李崇仁 ,  程伟 ,  陶玉娟

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种面向SoC芯片的晶圆级高温老化测试调度的方法，利用测试模式下芯片所产生的高热量对芯片进行加热，以电路节点功耗为导向的，通过选择不同温控能力的测试矢量，控制各测试矢量的施加时间，从而控制电路模块或SoC芯片的测试温度，并控制WLTBI测试持续时间；通过优化电路测试路径，安排测试数据在不同测试路径上的发送时序，从而增强测试并行性，减少测试时间。本发明可以根据测试要求，在同一测试架构下灵活配置测试方案，可达提高老化测试的精确性和减少测试成本的目的。

公开(公告)号：CN103745958B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310653257.2

申请日：2013-12-05

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 陶玉娟

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H05K1/181 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/10 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/113 ,  H05K2201/10234 ,  H05K2201/1031 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10522 ,  H05K2201/10962 ,  H05K2201/10977 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装结构，包括：线路载板，线路载板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，线路载板上具有若干呈矩阵排布的承载单元，承载单元的第一表面具有若干输入焊盘，承载单元的第二表面具有若干输出焊盘，输入焊盘和输出焊盘通过互连结构相连；预封面板，预封面板包括第一塑封层，第一塑封层内具有若干呈矩阵排布的集成单元，每个集成单元内具有至少一个半导体芯片，半导体芯片表面上具有若干焊盘，焊盘上具有第一金属凸块；预封面板倒装在线路载板的第一表面上，第一金属凸块与输入焊盘焊接在一起；填充承载单元的第一表面和预封面板之间空间的填充层；位于承载单元的第二表面的输出焊盘上的第二金属凸块。本发明的封装结构集成度提高。

公开(公告)号：CN102176419B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201110069869.8

申请日：2011-03-22

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 陶玉娟 ,  石磊

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及高集成度系统级封装方法，包括步骤：提供基板，在基板上形成至少一组布线封装层，形成所述布线封装层的步骤包括依次在基板上形成的正贴装层、封料层、布线层，在末组布线封装层上形成倒装封装层，形成所述倒装封装层的步骤包括依次形成倒贴装层、底部填充、封料层，在基板下方植球。与现有技术相比，本发明请求保护的高集成度系统级封装方法，可以形成包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品，降低了系统内电阻、电感以及芯片间的干扰因素。此外，可以形成更为复杂的多层互联结构，实现集成度更高的圆片系统级封装。

公开(公告)号：CN102496606B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110428864.X

申请日：2011-12-19

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 陶玉娟 ,  石磊 ,  施建根

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/10

Abstract: 一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，包括芯片、柱体、保护胶和焊料凸点；所述芯片的上表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层覆于芯片焊盘开口以外的上表面；所述焊盘上设有柱体，所述柱体由底部往上依次包括耐热金属层、金属浸润层、附着层和阻挡层；所述保护胶覆于焊盘所在的芯片表面并填充于柱体间，保护胶的上表面与柱体的顶部齐平；所述柱体的顶部即阻挡层的上表面设有焊料凸点。本发明提高了产品的电性能和可靠性，适用于焊盘密间距、输出功能多的圆片级封装。

公开(公告)号：CN102122646B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110034591.0

申请日：2011-02-01

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 陶玉娟 ,  石磊 ,  高国华

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及晶圆封装装置和芯片封装单元，所述晶圆封装装置包括：晶圆，包括多个芯片单元，所述芯片单元具有功能面，所述功能面上具有电性焊盘；凹槽，形成在所述晶圆的芯片单元之间，贯穿所述晶圆；封料层，包覆所述晶圆并填补凹槽，所述功能面裸露；第一保护层，位于所述功能面上，暴露所述电性焊盘。通过切割所述晶圆封装装置形成芯片封装单元，所述封料层层包覆所述芯片单元的背面及侧面，所述功能面裸露；第一保护层，位于所述功能面上，所述电性焊盘裸露。与现有技术相比，本发明请求保护的晶圆封装装置和芯片封装单元在芯片单元的芯片单元表面及四周形成有保护结构，因此可以有效地保护切割后的芯片单元。

公开(公告)号：CN103972200A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410220369.3

申请日：2014-05-22

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 石磊 ,  陶玉娟

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 一种引线框架结构，包括：塑封层，所述塑封层具有若干承载区，所述承载区内具有若干贯穿所述塑封层的第一开口，所述塑封层具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面；位于所述塑封层的第一表面的绝缘层，所述绝缘层内具有暴露出第一开口的第二开口，所述第二开口的尺寸大于第一开口的尺寸，所述第二开口还暴露出位于承载区内的第一开口周围的部分塑封层表面；位于所述第一开口和第二开口内的引脚结构，所述绝缘层暴露出引脚结构的第一表面，所述塑封层暴露出引脚结构的第二表面。所述引线框架形貌和电连接性能改善。

公开(公告)号：CN102157502B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110070940.4

申请日：2011-03-23

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 陶玉娟 ,  石磊 ,  王洪辉

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L2224/24

Abstract: 一种系统级封装结构，包括：基板；位于基板上的至少两组封装组，所述封装组包括依次位于基板上的贴装层、封料层、布线层；位于最上层封装组上的顶部封料层；设置于基板下方的连接球。本发明系统级封装结构具有较高的集成性。

公开(公告)号：CN103745958A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310653257.2

申请日：2013-12-05

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 陶玉娟

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H05K1/181 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/10 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/113 ,  H05K2201/10234 ,  H05K2201/1031 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10522 ,  H05K2201/10962 ,  H05K2201/10977 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装结构，包括：线路载板，线路载板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，线路载板上具有若干呈矩阵排布的承载单元，承载单元的第一表面具有若干输入焊盘，承载单元的第二表面具有若干输出焊盘，输入焊盘和输出焊盘通过互连结构相连；预封面板，预封面板包括第一塑封层，第一塑封层内具有若干呈矩阵排布的集成单元，每个集成单元内具有至少一个半导体芯片，半导体芯片表面上具有若干焊盘，焊盘上具有第一金属凸块；预封面板倒装在线路载板的第一表面上，第一金属凸块与输入焊盘焊接在一起；填充承载单元的第一表面和预封面板之间空间的填充层；位于承载单元的第二表面的输出焊盘上的第二金属凸块。本发明的封装结构集成度提高。

公开(公告)号：CN103745931A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310655302.8

申请日：2013-12-05

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 陶玉娟

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/50 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种引线框架和封装结构的形成方法，所述封装结构的形成方法，包括：提供引线框架，引线框架包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，引线框架上具有若干呈矩阵排布的承载单元和固定承载单元的中筋，每个承载单元具有若干分立的引脚，相邻引脚之间具有第一开口；形成填充满第一开口的第一塑封层；在所述引线框架的第一表面和第一塑封层的表面上形成绝缘层，所述绝缘层中具有暴露引脚的表面的第二开口；提供若干半导体芯片，每个半导体芯片上具有若干焊盘，焊盘上形成有金属凸块；将若干半导体芯片倒装在引线框架上，将半导体芯片上的金属凸块与第二开口暴露的引脚的表面相焊接，形成若干矩阵排布的封装单元。本发明的方法提高了封装效率。

公开(公告)号：CN101840896B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201010163410.X

申请日：2010-04-29

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 陶玉娟 ,  吴晓纯

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105

Abstract: 本发明涉及一种倒装焊高散热球型阵列封装结构，包括芯片、电互联材料、下填充料、基板、塑封料和焊球，该封装结构中还包括弹簧散热器；芯片正面植有电互联材料，并倒装于基板上，通过电互联材料实现与基板之间的电互联；下填充料填补芯片与基板之间的空隙；塑封料塑封弹簧散热器、芯片、电互联材料、下填充料和基板，形成塑封体，弹簧散热器周围被塑封料固定，其一端与芯片相连，另一端裸露于塑封体表面，将芯片的热量散出塑封体外，解决了一些没有外露金属承载底座或倒装芯片封装的散热难题，大大提高了产品的电热性能和可靠性。