公开(公告)号：CN103413770B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201310391143.5

申请日：2013-08-30

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 施建根 ,  吴谦国 ,  陈文军

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种凸点的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有焊垫层和钝化层，所述焊垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的第一开口暴露出焊垫层；在所述焊垫层和所述钝化层上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层和第一掩膜层至露出焊垫层，形成第二开口，所述第二开口位于第一掩膜层内的部分为第一子开口，位于第二掩膜层内的部分为第二子开口，第一子开口面积大于第二子开口面积；在所述第二开口内依次形成金属柱和焊料层；去除第二掩膜层和第一掩膜层；对所述焊料层进行回流焊工艺。本发明所形成芯片封装结构的可靠性高、耐用好。

公开(公告)号：CN104409434A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410431740.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 施建根 ,  吴谦国 ,  陈文军

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/16245 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件封装结构，包括芯片和金属层，芯片上设有电极，电极上键合第一导电柱，第一导电柱远离电极的一端连接焊帽，焊帽连接有第二导电柱，第一导电柱与第二导电柱分置于焊帽的两侧，第二导电柱远离焊帽的一端连接金属层。本发明中芯片电极上键合形成的第一导电柱，能够很好的缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力，解决由于热膨胀不均匀容易引起的电极断裂导致半导体器件的失效问题。

公开(公告)号：CN103811451A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410032792.0

申请日：2014-01-23

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 施建根

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明涉及一种芯片级封装结构，包括：半导体芯片，在其上表面设置有电极；凸点下金属层，设置在所述电极上表面；金属柱，设置在凸点下金属层的上表面。在凸点下金属层上设置金属柱，该金属柱能够缓解热应力，能够减少或消除因为热膨胀不均与而引起的凸点下金属层或电极的断裂，减少了半导体封装结构的失效率。

公开(公告)号：CN103811357A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410033740.5

申请日：2014-01-24

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 施建根

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02016 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供一种超薄形圆片级封装制造方法，包括：提供圆片，所述圆片的一面阵列分布有多个芯片；在所述芯片远离所述圆片的表面形成导电凸点；在圆片形成有导电凸点的一面贴一层保护膜；将圆片形成有导电凸点的一面向下，放置在载片台上，在圆片未形成所述芯片的一面选择性环状减薄，形成周边厚中间薄的环状结构；将选择性环状减薄后的圆片翻转，放置在载片台上；撕去形成于圆片上的保护膜；对去除保护膜的圆片进行测试，测试之后进行切割。本发明提供的超薄形圆片级封装制造方法，实现了同样功能的半导体器件圆片封装的单体芯片厚度越来越薄的目标，并且实现了圆片背部减薄后只有微小翘曲的目标。

公开(公告)号：CN105789066A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610302306.1

申请日：2016-05-09

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 施建根

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L2021/60007

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装结构的制造方法。该制造方法包括以下步骤：提供一基材；在基材上形成介电层；在介电层上形成再布线层；在再布线层上形成第一端子，其中第一端子包括焊料；提供一芯片，芯片包括芯片主体、设置在芯片主体上的电极以及固定在电极上的金属凸块；利用焊料将金属凸块固定于再布线层上。本发明利用金属凸块取代现有技术中的形成于电极上的球状焊料，并利用形成于再布线层上的第一端子中的焊料将金属凸块固定于再布线层上，可有效避免电极间的桥接以及焊料中的α射线对芯片性能的影响。进一步，通过该制造方法所形成的半导体封装结构中端子的节距减小，使在小尺寸芯片上实现多端子成为可能。

公开(公告)号：CN105633034A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511000180.4

申请日：2015-12-25

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 施建根

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L21/56 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13

Abstract: 本发明提供了一种半导体晶圆凸点结构，其包括：晶圆；形成于晶圆上表面的再造钝化层；形成于晶圆下表面的聚合物材料层；形成于聚合物材料层的各裸露面上的背胶层。与现有技术相比，本发明提供的半导体晶圆凸点结构的形成方法，能够削弱晶圆翘曲，从而有利于切割前的测试、打印、植球等工序的制造。

公开(公告)号：CN103811536A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410034804.3

申请日：2014-01-24

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 施建根

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L23/488 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/171

Abstract: 本发明提供一种圆片级封装工艺晶圆减薄结构，包括：晶圆，多个芯片，导电凸点；各所述芯片在所述晶圆一面呈阵列分布；所述导电凸点形成于所述芯片远离所述晶圆的表面；所述晶圆未形成有所述芯片的一面具有周边厚中间薄的环状结构。本发明提供的圆片级封装工艺晶圆减薄结构，实现了同样功能的半导体器件圆片封装的单体芯片厚度越来越薄的目标，并且更重要的是实现了晶圆背部减薄后只有微小翘曲的目标。

公开(公告)号：CN103354224A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310211398.9

申请日：2013-05-29

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 施建根 ,  顾健 ,  王小江

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件扇出倒装芯片封装结构，包括芯片，所述芯片上设有电极，所述芯片和所述电极上选择性的覆盖有钝化层，所述电极上设有绝缘中空柱状件，所述绝缘中空柱状件表面及位于所述绝缘中空柱状件内部的所述电极表面设有金属层，所述金属层上、所述绝缘中空柱状件内设有第一金属柱，所述第一金属柱上及所述金属层上设有第二金属柱，所述第二金属柱上设有铜板。本发明绝缘中空柱状件中的第一金属柱，能够缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力，解决由于热膨胀不均匀容易引起电极断裂，导致半导体器件失效的问题。第二金属柱的外周环状部分通过接触绝缘中空柱状件再接触半导体芯片，缓解了柱状凸点对半导体芯片的压力。

公开(公告)号：CN103325692A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310207422.1

申请日：2013-05-29

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 施建根 ,  王小江 ,  顾健

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，包括以下步骤：制作半导体器件柱状凸点单体及再布线铜板，将半导体器件柱状凸点单体倒扣在再布线铜板上，然后回流；半导体器件柱状凸点单体的制作方法：在半导体芯片上形成电极；在半导体芯片和电极上覆盖钝化层；在钝化层上形成一层聚合物；再有选择的形成绝缘中空柱状件；在表面形成金属层；再形成光刻胶和开口；在绝缘中空柱状件中形成第一金属柱，形成第二金属柱；去除光刻胶和金属层；切割成单体。本发明制备的半导体器件扇出倒装芯片封装结构，能够缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力，解决由于热膨胀不均匀容易引起电极断裂，导致半导体器件失效的问题。

公开(公告)号：CN103151323A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110403787.2

申请日：2011-12-06

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 金鹏 ,  雍珊珊 ,  施建根

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/83191 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出一种基于各向异性导电胶的倒装封装结构及其制造工艺，将各向异性导电胶应用于倒装芯片封装，可有效的提高连接性能，同时工艺简单，降低成本。所述结构由芯片、各向异性导电胶和基板组成，各向异性导电胶在芯片与基板之间，作为连接。所述结构的制造过程为在芯片和基板之间涂上常温的各向异性导电胶，然后送到烤箱或加热固化，形成均匀的导电连接。所述结构的另一种实施方式的结构由芯片和各向异性导电胶组成，各向异性导电胶均匀分布在芯片上。所述结构的制造过程为在晶圆上涂上各向异性导电胶，送到烤箱或加热台上固化，然后切片，完成晶圆级封装。