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公开(公告)号：CN103413798B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310335859.3
申请日：2013-08-02
Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/24 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/1035 , H01L2225/1064 , H01L2924/1815 , H01L2924/18162 , H01L2224/03
Abstract: 一种芯片结构、芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：至少两个芯片结构，所述芯片结构的侧壁具有导电槽，所述芯片结构堆叠设置且堆叠的芯片结构的导电槽位置相对应；位于所述导电槽内的导电胶，利用所述导电胶将堆叠的芯片结构中的电路电学连接。由于所述导电槽形成在绝缘层的侧壁，因此后续在形成在所述导电槽内的导电胶不会与芯片直接接触，不会发生电路短路；且由于所述导电槽与接触焊盘之间通过位于绝缘层表面的金属互连层相连接，所述绝缘层不会影响芯片中其他金属互连结构的版图设计，不需要因考虑接触焊盘的位置而设计额外的金属互连结构，可以节省金属互连结构所占据的芯片面积，有利于提高芯片的器件集成度。
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公开(公告)号：CN102157456B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110070278.2
申请日：2011-03-23
Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司
CPC classification number: H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105
Abstract: 本发明涉及三维系统级封装方法，包括步骤：提供载板；在载板上形成胶合层；将包括芯片或包括芯片和无源器件贴于所述胶合层上；形成第一封料层，并暴露第一芯片层中芯片的焊盘或芯片和无源器件的焊盘；在所述第一封料层内形成第一微通孔；在第一微通孔内形成第一纵向金属布线；在所述第一封料层上形成第一布线层；在所述第一封料层上形成多层芯片层。与现有技术相比，本发明请求保护的三维系统级封装方法，可以形成包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品，降低了系统内电阻、电感等干扰因素。此外，可以形成更为复杂的多层互联结构，实现集成度更高的圆片级封装。
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公开(公告)号：CN103165472A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110421731.X
申请日：2011-12-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 南通富士通微电子股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/19105 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种FC-BGA封装凸点分布的热耗散新方法，其特征在于包括：通过凸点的不同分布来有效的改善局部热点的热耗散问题；通过凸点下金属层UBM对芯片的衬底镀一层金属；通过相对应的凸点分布来合理且迅速地把热量传导出去，从而降低芯片的热量，使芯片尽快达到热量平衡，整个封装系统稳定场达到稳定状态。FC-BGA结构中主要通过凸点散热，本发明采用Solidworks软件进行实体建模，模型对结构稳定温度场以及瞬态温度场进行模拟，找到关键凸点即温度较高凸点的位置对凸点位置分类，进而调整凸点分布，在原来的温度较高的凸点位置适当提高凸点分布密度，最终使得热量合理且迅速地通过凸点传输到基板从而耗散出去。
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公开(公告)号：CN1649147A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410065828.1
申请日：2004-12-16
Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/50 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种背对背封装集成电路及其生产方法，金属引线框架特征是：在金属引线框架的正反两面均放置有集成电路芯片，在芯片及引线外覆有塑料封装。方法的特征是：首先准备用于金属引线框架上焊接的芯片表面加热的加热装置，在对二面芯片进行金丝键合时均利用加热块和压板进行焊接，在第一次装片后进行充分固化；在二次装片面框架的内引线进行精压。其有益效果为：结构新颖、设计巧妙、封装容易、引线连接可靠、特别适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN104576405A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410784414.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L2224/02 , H01L2224/03 , H01L2224/04
Abstract: 本发明涉及一种单层基板封装工艺，包括在压合铜箔的上表面形成焊盘，使得焊盘下表面与压合铜箔的上表面紧密接合；将压合铜箔蚀刻露出铜柱，使得焊盘下表面完全外露；在焊盘下表面的边缘和铜柱的至少一部分形成绿油层。采用本发明的单层基板封装工艺，增加了焊盘在受到锡球传递来的拉力或推力时的阻力，可有效地防止焊盘脱落。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104064540A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410308072.2
申请日：2014-06-30
Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的导线焊点强化结构，包括框架内引线，所述框架内引线的表面具有焊接区，所述焊接区焊接有导线，还包括锁定卡；所述锁定卡包括按压部，所述按压部向外悬伸有锁定部，所述按压部压在所述导线上，所述锁定部穿过所述框架内引线，且卡在所述框架内引线背离所述导线的一侧。本发明提供的上述方案，通过锁定卡将焊接于框架内引线上的导线，牢靠的卡箍在框架内引线上，有效的避免了导线与框架内引线剥离的情况发生，加强了导线与框架内引线的电连接，提高了半导体器件，特别是半导体功率器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103413785A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310335423.4
申请日：2013-08-02
Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司
CPC classification number: H01L24/01
Abstract: 一种芯片切割方法及芯片封装方法，所述芯片封装方法，包括：提供至少两个芯片结构，所述芯片结构包括芯片和至少位于芯片侧壁的绝缘层，所述芯片结构的绝缘层的侧壁具有导电槽，将所述芯片结构堆叠设置且不同芯片结构的导电槽位置相对应；在所述导电槽内填充导电胶，利用所述导电胶将不同的芯片结构中的电路电学连接。由于所述导电槽形成在绝缘层的侧壁，因此形成在所述导电槽内的导电胶不会与芯片直接接触，不会发生电路短路；且由于所述导电槽与接触焊盘之间通过位于绝缘层表面的金属互连层相连接，所述绝缘层不会影响芯片中其他金属互连结构的版图设计，可以节省金属互连结构所占据的芯片面积，有利于提高芯片的器件集成度。
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公开(公告)号：CN102157501B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110070487.7
申请日：2011-03-23
Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/485 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/18162 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012
Abstract: 一种三维系统级封装结构，包括：载板；位于载板上的至少两组封装组，所述封装组包括依次位于载板上的贴装层、封料层、布线层；位于顶部封装组上方的保护层，所述保护层设置有贯穿所述保护层的连接线，所述连接线连接于所述布线层；设置于所述保护层上，与所述连接线相连的连接球。本发明三维系统级封装结构实现了系统级功能的封装，并且具有复杂的多层互联结构，具有较高的集成度。
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公开(公告)号：CN102157501A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110070487.7
申请日：2011-03-23
Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/485 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/18162 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012
Abstract: 一种三维系统级封装结构，包括：载板；位于载板上的至少两组封装组，所述封装组包括依次位于载板上的贴装层、封料层、布线层；位于顶部封装组上方的保护层，所述保护层设置有贯穿所述保护层的连接线，所述连接线连接于所述布线层；设置于所述保护层上，与所述连接线相连的连接球。本发明三维系统级封装结构实现了系统级功能的封装，并且具有复杂的多层互联结构，具有较高的集成度。
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公开(公告)号：CN103413785B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310335423.4
申请日：2013-08-02
Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司
CPC classification number: H01L24/01
Abstract: 一种芯片切割方法及芯片封装方法，所述芯片封装方法，包括：提供至少两个芯片结构，所述芯片结构包括芯片和至少位于芯片侧壁的绝缘层，所述芯片结构的绝缘层的侧壁具有导电槽，将所述芯片结构堆叠设置且不同芯片结构的导电槽位置相对应；在所述导电槽内填充导电胶，利用所述导电胶将不同的芯片结构中的电路电学连接。由于所述导电槽形成在绝缘层的侧壁，因此形成在所述导电槽内的导电胶不会与芯片直接接触，不会发生电路短路；且由于所述导电槽与接触焊盘之间通过位于绝缘层表面的金属互连层相连接，所述绝缘层不会影响芯片中其他金属互连结构的版图设计，可以节省金属互连结构所占据的芯片面积，有利于提高芯片的器件集成度。
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