公开(公告)号：CN100589097C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200610165260.X

申请日：2006-12-15

Applicant: 北京北大方正电子有限公司 ,  北京大学 ,  北大方正集团有限公司

Inventor： 邓涛 ,  刘玉静 ,  张建国

IPC: G06F17/21 ,  G06F17/25

Abstract: 本发明涉及一种沿曲线做文字排版的方法，属于印刷排版技术领域。本发明所述的方法：先应用普通排版规则将文字排入到一个足够高的，长度等于曲线的矩形块中，再将排版后的文字通过一定的坐标映射转换到曲线上，并计算出文字输出的旋转角度。采用本发明所述的方法，可以迅速方便的将一行文字按曲线轨迹输出，并在保留排版规则的前提下，实现了拱型、风筝、阶梯多种排版效果和错切、字号颜色渐变等文字艺术效果。

公开(公告)号：CN1975711A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610165260.X

申请日：2006-12-15

Applicant: 北京北大方正电子有限公司 ,  北京大学 ,  北大方正集团有限公司

Inventor： 邓涛 ,  刘玉静 ,  张建国

IPC: G06F17/21 ,  G06F17/25

Abstract: 本发明涉及一种沿曲线做文字排版的方法，属于印刷排版技术领域。本发明所述的方法：先应用普通排版规则将文字排入到一个足够高的，长度等于曲线的矩形块中，再将排版后的文字通过一定的坐标映射转换到曲线上，并计算出文字输出的旋转角度。采用本发明所述的方法，可以迅速方便的将一行文字按曲线轨迹输出，并在保留排版规则的前提下，实现了拱型、风筝、阶梯多种排版效果和错切、字号颜色渐变等文字艺术效果。

公开(公告)号：CN106783552A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710056998.0

申请日：2017-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  尹建波 ,  谈振军 ,  刘玉静 ,  吴金雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明公开了一种二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件。该制备二维硒氧化铋晶体的方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料，在基底上进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述二维硒氧化铋晶体。用该种方法得到的二维硒氧化铋近红外探测器，被有效应用在近红外探测、显示、成像上。

公开(公告)号：CN108930065A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201710372702.6

申请日：2017-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  刘玉静 ,  吴金雄 ,  谈振军 ,  谭聪伟

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/46 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明公开了一种高迁移率二维Bi2O2Se晶体的化学刻蚀方法。该方法包括下述步骤：将二维Bi2O2Se晶体浸润于刻蚀液中进行反应，其中，所述刻蚀液是由双氧水、浓硫酸和去离子水按照体积比(0.5-2)：(0.5-4)：4组成的混合液。本发明的化学刻蚀方法条件温和、简单经济，将其与光刻或电子束曝光技术结合可以实现对二维Bi2O2Se晶体特定图案化的选区化学刻蚀，构筑阵列化图案结构，在集成化器件领域具有广阔应用前景。