公开(公告)号：CN120035160A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510011666.5

申请日：2025-01-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  谭聪伟 ,  唐浚川

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D64/27 ,  H10D64/23

Abstract: 本发明提供一种二维环栅晶体管的制备方法、二维环栅晶体管及芯片，首先在加工基底上制备背电极；采用可控氧化工艺或原子层沉积工艺制备二维半导体‑外层栅介质环栅异质结；二维半导体‑外层栅介质环栅异质结包括二维半导体沟道和外层栅介质；将二维半导体‑外层栅介质环栅异质结设置到背电极上；在二维半导体‑外层栅介质环栅异质结的第一区域上形成环栅电极，环栅电极和背电极对第一区域的二维半导体‑外层栅介质环栅异质结全包覆；在二维半导体‑外层栅介质环栅异质结的第二区域和第三区域上刻蚀源极/漏极接触区域；在源极/漏极接触区域上原位形成源极/漏极。本发明的二维环栅晶体管符合埃米节点对于低功耗、高性能晶体管的要求。

公开(公告)号：CN117265667A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210666295.0

申请日：2022-06-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  于梦诗 ,  谭聪伟 ,  唐浚川

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开了一种批量化制备晶圆级单一取向二维Bi2O2Se垂直鳍(Fin)阵列及的方法。该方法包括如下步骤：以氧化物MgO(110)单晶晶圆为基底，Bi2O3粉末、Bi2Se3块体和高纯氩/氧混合气为原料进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述二维Bi2O2Se垂直Fin阵列晶圆。该方法经济、流程简单，所得晶圆级单一取向二维Bi2O2Se垂直Fin阵列具有广阔应用前景。