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公开(公告)号：CN117681438B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410150581.0
申请日：2024-02-02
IPC: B29C64/124 , B29C64/314 , B29C64/30 , B29C64/386 , B33Y40/10 , B33Y50/00 , B33Y40/20
Abstract: 本发明公开了一种基于灰度调控的3D打印矫治器的方法和系统。该方法包括：准备光敏树脂，光敏树脂中添加有UV光吸收剂；从矫治器的3D打印模型中分割出与指定牙齿对应的区域，对指定牙齿对应的区域的灰度进行修改；对矫治器的3D打印模型进行切片处理，获得多个切片图案；基于各个切片图案完成对矫治器各个层的第一次固化，第一次固化的光的波长为第一波长；采用第二波长的光对矫治器进行第二次固化，从而完成矫治器的3D打印。本发明利用对灰度的调控，矫治时能够实现更大的矫治量而不引起患者的不适感；能够缓解无托槽隐形正畸矫治器应力松弛的现象，并且相比于4D打印矫治器不会引入过大的误差。
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公开(公告)号：CN116107963A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310131821.8
申请日：2023-02-17
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的存内逻辑电路、存内逻辑计算系统及应用，属于集成电路技术领域，存内逻辑电路包括：相互并联的第一存储单元和第二存储单元、及产生逻辑运算结果的灵敏放大器；两个存储单元包括串联连接的忆阻器和MOS选通管；用两个忆阻器的阻值态表示第一组逻辑输入信号，两个MOS选通管栅极施加的电位信号表示第二组逻辑输入信号。还提供了一种存内逻辑计算系统及应用。本发明的存内逻辑电路具有结构简单、能够实现非破坏性逻辑计算，将其应用在存内逻辑计算系统中，能够避免忆阻器频繁擦写带来的器件老化对忆阻器计算系统造成的可靠性影响，在提高逻辑计算单元与忆阻器阵列兼容性的同时，能够保证逻辑运算单元可编程的性能。
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公开(公告)号：CN108059619B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201611002249.1
申请日：2016-11-09
Applicant: 北京大学
IPC: C07D239/47 , C07D239/54 , A61K47/22 , A61K9/127
Abstract: 本发明公开了一种碱基乙酰胺甘油醚分子，其化学合成方法及其在基因转运中的应用。该分子具有如式(I)所示的两亲性结构，即以碱基‑1‑乙酸为亲水性头部，通过酰胺键连接作为疏水性尾部的甘油脂肪醚，形成一个两亲性分子。其中Base基团为常见的天然嘌呤和嘧啶碱基，R基团为饱和或不饱和的脂肪族碳链。该化合物可以通过碱基‑1‑乙酸的活化衍生物与2,3‑二烷氧基‑1‑丙胺反应制得，原料廉价，合成方法简单。该化合物可制备成脂质体等超分子结构，且没有明显的细胞毒性，其头部的碱基能够结合核酸，并运载核酸进入细胞膜。因而，该化合物具有成为新型非阳离子基因载体的潜力，在基因治疗领域将得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN103151391A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310084972.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66977 , B82Y10/00 , H01L21/266 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L29/0649 , H01L29/0676 , H01L29/0847 , H01L29/1041 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/413 , H01L29/41775 , H01L29/42376 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/51 , H01L29/518 , H01L29/66356 , H01L29/66439 , H01L29/66484 , H01L29/66666 , H01L29/7391 , H01L29/7827 , H01L29/7831
Abstract: 一种垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法。所述短栅隧穿场效应晶体管具有垂直沟道并且沟道区掺杂为缓变非均匀掺杂，沟道掺杂浓度沿垂直方向呈高斯分布并且靠近漏端处沟道掺杂浓度较高，靠近源端处沟道掺杂浓度较低；另外，在垂直沟道两侧具有双控制栅并且控制栅为L型短栅结构，在靠近漏端处沟道存在一个没有栅覆盖的区域，而在源区存在一个栅过覆盖区域。与现有的TFET相比，本发明所述短栅隧穿场效应晶体管，有效抑制了漏端电场对源端隧穿结处隧穿宽度的影响，弱化了输出隧穿电流对漏端电压的超e指数关系，显著改善了器件输出特性。同时，该隧穿场效应晶体管也有利于增大器件导通电流，获得更陡直的亚阈值斜率。
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公开(公告)号：CN102053093A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010539688.2
申请日：2010-11-08
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 深圳安博电子有限公司
IPC: G01N21/956 , G06T7/00
Abstract: 本发明涉及一种晶圆表面切割芯片的表面缺陷检测方法，包括以下步骤：一、建立无缺陷的晶圆表面的晶圆表面模板图像库；二、获取的待检测的单个芯片的图像；三、将获取的待检测的单个芯片的图像与晶圆表面模板图像库中的图像进行比对，根据比对结果判断晶圆表面切割芯片是否存在表面缺陷。能够准确的识别出崩边、划痕、污染等缺陷，并且具有快速、精确的特点，其处理方法简单，便于作为一个独立的的模块集成到系统中，也降低了芯片的测试成本，稳定了芯片的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102044061A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010596931.4
申请日：2010-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: G06T1/00
Abstract: 本发明公开了一种可逆水印的嵌入方法及其提取方法，属于数字水印技术领域。本嵌入方法为：顺序读取数字图像的像素值，并建立位置标志序列；对位置标志序列进行压缩，对像素值为0或255的像素进行调整；计算数字图像的预测误差序列，选择嵌入过程所需要内部区域和参数T；根据所选参数嵌入可逆水印。本提取方法为：顺序读取数字图像的像素值，并提取各种辅助信息；对压缩后的位置标志序列进行解压缩,得到压缩前的位置标志序列；参照嵌入参数进行反解，可得嵌入信息，根据位置标志序列对像素值进行调整，最后用和依次替换像素值的最低有效位，此时可完全恢复载体图像。本发明可成功实现可逆水印在灰度图像的嵌入和提取，以及原始图像的恢复。
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公开(公告)号：CN115724836A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211485164.9
申请日：2022-11-24
Applicant: 北京大学
IPC: C07D413/14 , C07D417/14 , A61P35/00 , A61K31/496
Abstract: 本发明提供了一种GPX4蛋白降解剂及其制备方法和应用、一种抗肿瘤细胞药物，属于药物应用技术领域。本发明提供的降解剂具有蛋白降解靶向嵌合体(PROTACs)分子结构，以ML210单元为靶向单元，能够有效结合靶蛋白。A2取代基作为结合E3泛素连接酶复合物的小分子配体，A1取代基作为将两个配体连接起来连接基。因为PROTAC与靶蛋白和E3连接酶需要在空间上形成构象稳定的三元复合物才能发挥降解活性，故PROTAC策略具有可增强药物分子靶点选择性的优势，因此GPX4蛋白降解剂能够特异性识并靶向GPX4蛋白，并将GPX4蛋白有效泛素化，从而诱导肿瘤细胞铁死亡。
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公开(公告)号：CN113336748B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110391225.4
申请日：2021-04-12
Applicant: 北京大学
IPC: C07D471/04 , C07K5/062 , C07K1/113 , A61K31/4545 , A61K31/437 , A61K31/496 , A61K38/05 , A61P35/00
Abstract: 本发明提供了一种GPX4蛋白降解剂及其制备方法和一种抗肿瘤细胞药物，属于药物应用技术领域。本发明提供的GPX4蛋白降解剂具有蛋白降解靶向嵌合体(PROTAC)分子结构，其母核结构作为结合靶蛋白的小分子配体，A2取代基作为结合E3泛素连接酶复合物的小分子配体，A1取代基作为将两个配体连接起来连接基，此结构的GPX4蛋白降解剂能够特异性识别GPX4蛋白，并将GPX4蛋白有效泛素化并降解，从而诱导肿瘤细胞铁死亡。
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公开(公告)号：CN103151391B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310084972.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66977 , B82Y10/00 , H01L21/266 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L29/0649 , H01L29/0676 , H01L29/0847 , H01L29/1041 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/413 , H01L29/41775 , H01L29/42376 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/51 , H01L29/518 , H01L29/66356 , H01L29/66439 , H01L29/66484 , H01L29/66666 , H01L29/7391 , H01L29/7827 , H01L29/7831
Abstract: 一种垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法。所述短栅隧穿场效应晶体管具有垂直沟道并且沟道区掺杂为缓变非均匀掺杂，沟道掺杂浓度沿垂直方向呈高斯分布并且靠近漏端处沟道掺杂浓度较高，靠近源端处沟道掺杂浓度较低；另外，在垂直沟道两侧具有双控制栅并且控制栅为L型短栅结构，在靠近漏端处沟道存在一个没有栅覆盖的区域，而在源区存在一个栅过覆盖区域。与现有的TFET相比，本发明所述短栅隧穿场效应晶体管，有效抑制了漏端电场对源端隧穿结处隧穿宽度的影响，弱化了输出隧穿电流对漏端电压的超e指数关系，显著改善了器件输出特性。同时，该隧穿场效应晶体管也有利于增大器件导通电流，获得更陡直的亚阈值斜率。
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