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公开(公告)号：CN103103503A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310027701.X
申请日：2013-01-24
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备。本发明采用单槽多管方式，加热液体流入管式基底的内壁，从内部对管式基底加热，再通过管式基底加热反应溶液，反应溶液可以以常温状态存在，而不影响半导体薄膜生长的进行，能够使反应先在管式基底的外壁优先进行，从而节约溶液；采用独立恒温的高温加热箱提供高温的加热液体作为热源，使得半导体薄膜沉积的温度稳定，实现半导体薄膜沉积的高重复性；进一步采用将溢流结构与管式基底的内部加热有效的结合；采用反应溶液溢流循环系统实现溶液的实时更新，减少浓度降低对后期反应过程的影响，降低废液排放量，减少溶液注入量。本发明适用在各种管式基底上沉积半导体薄膜的工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN103103503B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310027701.X
申请日：2013-01-24
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备。本发明采用单槽多管方式，加热液体流入管式基底的内壁，从内部对管式基底加热，再通过管式基底加热反应溶液，反应溶液可以以常温状态存在，而不影响半导体薄膜生长的进行，能够使反应先在管式基底的外壁优先进行，从而节约溶液；采用独立恒温的高温加热箱提供高温的加热液体作为热源，使得半导体薄膜沉积的温度稳定，实现半导体薄膜沉积的高重复性；进一步采用将溢流结构与管式基底的内部加热有效的结合；采用反应溶液溢流循环系统实现溶液的实时更新，减少浓度降低对后期反应过程的影响，降低废液排放量，减少溶液注入量。本发明适用在各种管式基底上沉积半导体薄膜的工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN203270030U
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201320196358.7
申请日：2013-04-18
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开了一种平板CIGS太阳能电池用硫化镉化学水浴镀膜反应器。本实用新型的硫化镉化学水浴镀膜反应器包括：硫化镉反应器、化学水浴槽、热水循环管道、热水循环加热装置及反应镀液配制装置；进一步，硫化镉反应器包括：注液管、排液管、密封件及两片基片，两基片之间的距离为1~5mm。本实用新型的超薄型的硫化镉反应器把镉化学反应镀液的用量降低到极点，因此，本实用新型降低了成本；大大减少镉污染；节省了运行费和镉渣后处理费；相对可节约工序能耗60%左右；加热速度加快，使工序节拍加快，可提高原有设备产能；镀膜工艺条件更加易于控制，更加均匀化，提高了硫化镉镀膜质量；拆装操作方便；更有利于工艺设备的小型化。
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公开(公告)号：CN203055971U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201320040108.4
申请日：2013-01-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开了一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备。本实用新型采用单槽多管方式，加热液体流入管式基底的内壁，从内部对管式基底加热，再通过管式基底加热反应溶液，反应溶液可以以常温状态存在，而不影响半导体薄膜生长的进行，能够使反应先在管式基底的外壁优先进行，从而节约溶液；采用独立恒温的高温加热箱提供高温的加热液体作为热源，使得半导体薄膜沉积的温度稳定，实现半导体薄膜沉积的高重复性；采用将溢流结构与管式基底的内部加热有效的结合；采用反应溶液溢流循环系统实现溶液的实时更新，减少浓度降低对后期反应过程的影响，降低废液排放量，减少溶液注入量，适用在各种管式基底上沉积半导体薄膜的工业化批量生产。
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