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公开(公告)号：CN102738244B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110087509.0
申请日：2011-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/792 , H01L21/336 , G11C16/04
CPC classification number: H01L29/792 , G11C16/0466 , H01L21/28282
Abstract: 本发明公开了一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括衬底、源漏和沟道，沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅控制栅；其特征在于，所述衬底为轻掺杂硅；源漏的掺杂类型不同，分别为P+区和N+区。该器件与现有标准CMOS工艺有着较好的兼容性，在具有一般SONOS快闪存储器保持特性较好的优势的同时，可以有效地提高编程效率、降低功耗、抑制穿通效应，且小尺寸特性理想。
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公开(公告)号：CN101976676A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010279505.8
申请日：2010-09-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L27/249 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供一种三维结构阻变存储器阵列及其制造方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明三维结构阻变存储器阵列包括衬底和底电极/隔离介质堆栈结构，在底电极/隔离介质堆栈结构上刻蚀出深槽，在深槽侧壁上淀积阻变材料以及顶电极层，其中底电极和顶电极在深槽侧壁上呈十字交叉，交叉点之间有阻变材料，每个交叉点形成一个阻变存储器单元，所有的阻变存储器单元形成三维阻变存储器阵列，阵列中的三维阻变存储器由隔离介质层隔离。本发明可以提高阻变存储器的存储密度，并且简化工艺，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN102456403B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201010523322.6
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京大学
IPC: G11C16/06
CPC classification number: H01L29/42352 , G11C16/0475 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 本发明公开了利用分裂槽栅快闪存储器实现四位存储的方法，所述分裂槽栅快闪存储器如专利号为200710105964.2中国专利中所述，在该快闪存储器的两个沟槽与沟道接触的一侧区域采用沟道热电子注入的方法实现对电子的编程；而在两个沟槽与源或漏接触的一侧区域采用FN注入的方法实现对电子的编程。从而通过编程模式的改变实现四位存储的功能，使得这种器件在性能得到提升的同时，存储密度也有较大的改善。
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公开(公告)号：CN102270503B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110074350.9
申请日：2011-03-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种闪存存储器的阵列结构及其编程方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明的闪存存储器阵列，包括存储单元，连接存储单元的字线和位线，其中连接存储单元漏端的位线和连接存储单元控制栅的字线不是互相垂直，而是成角度交叉，每两条位线之间两个沿沟道方向相邻的存储单元的控制栅分别由两条字线控制，漏端分别由两条位线控制，源端共享。本发明还提供了该闪存存储器阵列结构的编程方法，可实现低功耗编程。
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公开(公告)号：CN101615616A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910088876.5
申请日：2009-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/108 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种无电容式动态随机存储器，属于超大规模集成电路中的半导体存储器技术领域。本发明存储器包括源区，漏区，源漏之间的沟道，和沟道上的栅区，其特征在于，源区和漏区是宽禁带的能带工程材料，其导带和硅相同，但价带低于硅，两者的价带差＞0eV且≤0.5eV，比如0.3eV。所述宽禁带的能带工程材料优选为碳化硅。本发明无电容式动态随机存储器可以提高栅长的等比例缩小能力，提高信号电流和保持时间，实现更高的存储密度，在高密度，高性能DRAM应用中，有着明显的优势和广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738244A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110087509.0
申请日：2011-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/792 , H01L21/336 , G11C16/04
CPC classification number: H01L29/792 , G11C16/0466 , H01L21/28282
Abstract: 本发明公开了一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括衬底、源漏和沟道，沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅控制栅；其特征在于，所述衬底为轻掺杂硅；源漏的掺杂类型不同，分别为P+区和N+区。该器件与现有标准CMOS工艺有着较好的兼容性，在具有一般SONOS快闪存储器保持特性较好的优势的同时，可以有效地提高编程效率、降低功耗、抑制穿通效应，且小尺寸特性理想。
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公开(公告)号：CN102738169A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110092483.9
申请日：2011-04-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/04
CPC classification number: H01L29/788 , H01L29/66825 , H01L29/7391 , H01L29/8616
Abstract: 本发明公开了一种快闪存储器及其制备方法，属于半导体存储器技术领域。本存储器包括埋氧层，其上设有源端、沟道、漏端，沟道位于源端与漏端之间，沟道之上依次为隧穿氧化层、多晶硅浮栅、阻挡氧化层、多晶硅控制栅，源端与沟道之间设有一氮化硅薄层。本方法为：1)浅槽隔离SOI硅衬底，形成有源区；2)在硅衬底上依次生长隧穿氧化层、第一多晶硅层并制备多晶硅浮栅，生长阻挡氧化层、第二多晶硅层并制备多晶硅控制栅；3)刻蚀生成栅堆栈结构；4)在栅堆栈结构一侧的制备漏端；对另一侧的硅薄膜进行刻蚀，生长一氮化硅薄层，然后进行硅材料的回填并制备源端。本发明具有编程效率高、功耗低、有效抑制源漏穿通效应。
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公开(公告)号：CN102194849A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010124705.6
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/24
CPC classification number: G11C11/5621
Abstract: 本发明公开了一种多位快闪存储器，包括衬底、源端和漏端，以及依次层叠在沟道之上的遂穿氧化层、多晶硅浮栅(对应于浮栅型闪存)或氮化硅陷阱层(对应于分离陷阱型闪存)、阻挡氧化层、金属下电极、阻变材料层和金属上电极。其中金属下电极在读取时，通过外面串联的电阻接地，使得阻变材料层起到明显的分压效果。本发明以现有的快闪存储单元为基本架构，融入了阻变材料存储单元，与当前的主流闪存制备工艺兼相兼容，并在很大程度上提高了单位面积上的存储密度。
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公开(公告)号：CN101859602B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010199022.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G11C16/0433 , H01L27/11526
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式非挥发存储器单元及其工作方法、存储阵列，属于存储器技术领域。本方法为：将选择晶体管的栅极作为存储器的浮栅，其源、漏电极作为存储器的源、漏电极，然后通过电极电压的变化改变器件的阈值，实现信息的存储和变化；本非挥发存储单元为在P阱层上制作存储单元，N阱层环绕P阱层，深N阱层位于N阱层和P阱层的下方，并与N阱层相连；本存储阵列包括若干存储单元，每一存储单元内，选择管的栅极与存储阵列的字线连接，其源/漏端与非挥发存储单元的源/漏端连接，另一源/漏端与存储阵列的公共源端连接，非挥发存储单元的另一源/漏端与存储阵列的位线连接。本发明具有面积设计小，工作电压低，工作速度高，可靠性强。
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公开(公告)号：CN102142455B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010103868.6
申请日：2010-01-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件，包括MOSFET结构中的衬底、栅介质层、栅极、源区和漏区，其中源区的掺杂浓度比漏区高，栅介质层是由阻变材料构成的阻变介质层，当该阻变介质层为高阻态时该器件为MOSFET，低阻态时则转变为BJT，MOSFET的栅极、源区和漏区对应地分别变为BJT的基极、发射极和集电极。该器件的制作工艺简单，和主流平面CMOS工艺兼容，生产成本低，根据需要在栅极(或基极)与衬底之间施加一定的电压就可以使阻变介质层的电阻发生转变，从而实现BJT和MOSFET的互变，在存储器电路和逻辑电路方面有着很好的应用潜力。
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