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公开(公告)号：CN117010098A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310611486.1
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数圆柱孔阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸范围；S2、将规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸看做种群中的个体，对所有个体进行二进制编码，形成二进制编码位串，并对每个个体逐一进行编号；S3、根据规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算二次电子发射系数曲线并获取对应的最大二次电子发射系数；S4、基于工作频率以及规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算表面阻抗；所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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公开(公告)号：CN116842693A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310613273.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立表征规则阵列矩形槽结构的尺寸及变化范围；S2、根据规则阵列矩形槽结构的尺寸计算并获取最大二次电子发射系数以及二次电子发射系数曲线；S3、基于工作频率以及规则阵列矩形槽结构的尺寸计算表面阻抗；S4、将规则阵列矩形槽结构的尺寸看做种群中的个体，计算每个微粒的适应度值，获取最优矩形槽阵列结构尺寸组合。所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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公开(公告)号：CN119936576A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411973215.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种用于微放电的调零检测的控制方法：步骤1，监测微放电调零电平发生异常时，频谱仪上的调零电平跳变量；步骤2，采用粗调模式调节幅度控制旋钮，并观察频谱仪上的调零电平跳变量的变化；步骤3，在步骤2进行的过程中，实时观察调零电平跳变量是否出现先快速下降而后保持不变或者上升的现象，是则采用精调模式并进入步骤4，否则继续步骤2；步骤4，判断是否满足调零电平跳变量≤‑70dBm时，若是，则完成调零电平的调整，若否，则采用精调模式继续调整。本发明的方法能够提高调节效率和调节精度，解决了现有调零检测法中手动调整幅度或相位导致调整效率与调节精度难以保证的技术问题。
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公开(公告)号：CN119710852A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411879046.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于精密电铸技术的微波部件二次电子发射抑制方法，包括如下步骤：硅片表面清洗、匀胶、前烘、光刻、显影、后烘竖膜、剥离、硅基“电子陷阱”向微波器件的精密电铸复型。本发明方法在微波部件表面形成规则的电子陷阱结构阵列尺寸可控、排列规整、长径比高，对二次电子发射特性抑制幅度大、均匀性好，可实现航天器大功率微波部件表面二次电子发射的抑制。
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公开(公告)号：CN115261776B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210869639.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113684453A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110697294.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111934065A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010621279.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽带抗磨损的圆波导旋转关节及设计方法，该圆波导旋转关节包括：第一圆波导、圆柱面金属凸体阵列、滚珠、轴承、第二圆波导、屏蔽腔和轴承固定腔；第一圆波导末端设置有金属凸体阵列，金属凸体阵列中每个金属凸体上内嵌一个滚珠；第二圆波导末端依次设置有屏蔽腔和轴承固定腔；第一圆波导的末端插入屏蔽腔内，第一圆波导与第二圆波导的波导端口面不接触；滚珠与屏蔽腔以间隙配合形式相接触，配合轴承构成圆波导旋转关节。本发明中，旋转部位通过构建滚珠支撑结构的宽带电磁带隙结构，在保证旋转关节宽带特性的同时具有一定的抗磨损性能，且提高了功率容量和力学结构可靠性，可广泛应用于各种通信、雷达及天线馈电系统中。
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公开(公告)号：CN109524750A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811369293.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，涉及微波无线通信领域。本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，利用介质法兰实现金属-空气-金属的接触，利用介质片实现金属-非导电介质-金属的接触，实现抑制微波部件无源互调。本发明装置包括非导电介质法兰、固定非导电介质法兰所需的金属螺钉、非导电介质片、非导电介质套、非导电介质螺钉。本发明具有结构简单、重量轻、设计成本率高、设计周期短的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。
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公开(公告)号：CN106835077B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710042283.X
申请日：2017-01-20
Applicant: 陕西科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种抑制微放电效应的多孔Au涂层的制备方法，首先在镀银铝合金表面构筑多孔结构，然后通过溶胶凝胶法在多孔结构表面随形沉积TiO2薄膜，最后采用化学镀法在TiO2薄膜表面制备Au薄膜，从而在镀银铝合金表面形成一种抑制微放电效应的多孔Au涂层，可极大提高镀银铝合金表面的孔隙率和孔数量，从而提高镀银铝合金表面的微放电抑制特性及其环境稳定性。
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公开(公告)号：CN105207623B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510633214.7
申请日：2015-09-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H03B19/00
Abstract: 一种W波段高功率集成化合成倍频源，输入信号为Ku波段，经过有源二倍频，产生Ka波段信号，然后经过一个Ka波段巴伦实现等幅反相功率分配，分配后的两路信号分别经过Ka波段功率放大，驱动各自支路的W波段无源三倍频器，所产生的W波段信号分别放大后进行功率合成输出。本发明采用功率合成倍频的方式提高输出功率，并通过在W波段功率合成部分增加机械调节机构实现功率合成的幅相平衡性调节，减小两合成支路间不平衡性对输出功率的影响，提高合成效率。同时在Ka巴伦部分采用电磁EBG结构实现腔体谐振抑制，增加腔体间隔离。最终实现覆盖75～110GHz全W波段的稳定集成化高功率输出倍频源。
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