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公开(公告)号：CN117010098A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310611486.1
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数圆柱孔阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸范围；S2、将规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸看做种群中的个体，对所有个体进行二进制编码，形成二进制编码位串，并对每个个体逐一进行编号；S3、根据规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算二次电子发射系数曲线并获取对应的最大二次电子发射系数；S4、基于工作频率以及规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算表面阻抗；所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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公开(公告)号：CN116842693A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310613273.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立表征规则阵列矩形槽结构的尺寸及变化范围；S2、根据规则阵列矩形槽结构的尺寸计算并获取最大二次电子发射系数以及二次电子发射系数曲线；S3、基于工作频率以及规则阵列矩形槽结构的尺寸计算表面阻抗；S4、将规则阵列矩形槽结构的尺寸看做种群中的个体，计算每个微粒的适应度值，获取最优矩形槽阵列结构尺寸组合。所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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公开(公告)号：CN111307850B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911378479.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。
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公开(公告)号：CN113737134A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111028756.3
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法，包括下层材料薄膜、上层材料薄膜和基底；下层材料薄膜设置在基底上，上层材料薄膜设置在下层材料薄膜上；下层材料薄膜原子间隙小于上层材料薄膜的原子间隙，下层材料薄膜的原子间隙嵌套进上层材料薄膜的原子间隙，形成嵌套的微陷阱结构。本发明利用磁控溅射技术生长具有嵌套的微陷阱结构的薄膜，通过控制溅射功率进而形成上下两层密度不同的薄膜，下层薄膜溅射功率小，材料密度大，原子间距小，原子间存在小空隙；而上层薄膜溅射功率大，材料密度小，原子间距较大，原子之间存在大空隙，上下两层的大小空隙组成嵌套的微陷阱结构。
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公开(公告)号：CN119530717A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411438280.4
申请日：2024-10-15
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种抑制介质材料表层局域带电的方法，该方法包括介质材料，该方法是在介质材料表面引入一层纳米级厚度的半导体材料薄膜；半导体材料薄膜是由一种或一种以上的半导体材料薄膜的原料制备而成；半导体材料薄膜的原料是并五苯、8‑羟基喹啉铝、酞菁铜或富勒烯；富勒烯是C60或C70。本发明提出的方法成本低，在抑制了介质材料表层局域带电的同时插入损耗较小，在介质材料带电防护技术领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111748769B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110323527B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109524750B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201811369293.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，涉及微波无线通信领域。本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，利用介质法兰实现金属‑空气‑金属的接触，利用介质片实现金属‑非导电介质‑金属的接触，实现抑制微波部件无源互调。本发明装置包括非导电介质法兰、固定非导电介质法兰所需的金属螺钉、非导电介质片、非导电介质套、非导电介质螺钉。本发明具有结构简单、重量轻、设计成本率高、设计周期短的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。
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公开(公告)号：CN110323527A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109546274A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811368226.1
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开一种降低同轴滤波器无源互调装置及方法，涉及微波无线通信领域。包括调频率、调耦合螺钉、金属盖板、金属腔体、谐振杆。所述产生无源互调位置包括调频率、调耦合螺钉处、同轴谐振杆的结构与金属腔体连接处、金属腔体连接处、金属盖板与金属腔体连接处。通过非导电介质实现金属-非导电介质-金属的接触，通过增压圈实现金属盖板和金属腔体的高压接触，实现抑制同轴滤波器带来的无源互调。本发明具有结构简单、重量轻、设计周期短、设计成本低的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。
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