一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法

    公开(公告)号:CN109524750B

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201811369293.5

    申请日:2018-11-16

    Abstract: 本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法,涉及微波无线通信领域。本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法,利用介质法兰实现金属‑空气‑金属的接触,利用介质片实现金属‑非导电介质‑金属的接触,实现抑制微波部件无源互调。本发明装置包括非导电介质法兰、固定非导电介质法兰所需的金属螺钉、非导电介质片、非导电介质套、非导电介质螺钉。本发明具有结构简单、重量轻、设计成本率高、设计周期短的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。

    一种降低同轴滤波器无源互调装置及方法

    公开(公告)号:CN109546274A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811368226.1

    申请日:2018-11-16

    Abstract: 本发明公开一种降低同轴滤波器无源互调装置及方法,涉及微波无线通信领域。包括调频率、调耦合螺钉、金属盖板、金属腔体、谐振杆。所述产生无源互调位置包括调频率、调耦合螺钉处、同轴谐振杆的结构与金属腔体连接处、金属腔体连接处、金属盖板与金属腔体连接处。通过非导电介质实现金属-非导电介质-金属的接触,通过增压圈实现金属盖板和金属腔体的高压接触,实现抑制同轴滤波器带来的无源互调。本发明具有结构简单、重量轻、设计周期短、设计成本低的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。

    一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法

    公开(公告)号:CN109359423B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201811369311.X

    申请日:2018-11-16

    Abstract: 本发明公开的一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法,属于微波部件无源互调领域。本发明实现方法为:步骤1:将矩形波导法兰接触面等效为金属‑绝缘层‑金属结构,确定矩形波导法兰接触面两侧的电势差;步骤2:利用矩形波导尺寸、法兰接触面积以及接触面两侧的电势差确定矩形波导法兰接触面产生的3阶非线性电流;步骤3:利用载波频率、矩形波导尺寸以及3阶非线性电流,确定矩形波导法兰3阶无源互调产物的电平。本发明在无需提前获取无源互调低阶产物和表面形貌参数测量值的情况下,通过简单计算获得矩形波导法兰的3阶无源互调产物电平,因而能够大幅提高矩形波导法兰无源互调问题的解决效率,降低成本。

    用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法

    公开(公告)号:CN110359012B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201811368387.0

    申请日:2018-11-16

    Abstract: 本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法,涉及物理电子学相关领域。本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构为双重嵌套式孔结构,在一级大孔内包含了若干二级小孔结构,所述一级大孔作为初级陷阱,若干二级小孔结构作为嵌套陷阱;整体二维嵌套式陷阱结构在基底材料上构型,所述的构型为双重嵌套式孔结构,并对所述双重嵌套式孔结构进行金属溅射并形成纳米级膜。本发明还公开所述嵌套式微陷阱结构的制备方法,本发明能够有效抑制陷阱结构内的二次电子出射和再发射所产生的多级倍增效应,从而达到提高材料表面总二次电子发射抑制效果,并提供所述嵌套式微陷阱结构的制备方法。

    用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法

    公开(公告)号:CN110359012A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201811368387.0

    申请日:2018-11-16

    Abstract: 本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法,涉及物理电子学相关领域。本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构为双重嵌套式孔结构,在一级大孔内包含了若干二级小孔结构,所述一级大孔作为初级陷阱,若干二级小孔结构作为嵌套陷阱;整体二维嵌套式陷阱结构在基底材料上构型,所述的构型为双重嵌套式孔结构,并对所述双重嵌套式孔结构进行金属溅射并形成纳米级膜。本发明还公开所述嵌套式微陷阱结构的制备方法,本发明能够有效抑制陷阱结构内的二次电子出射和再发射所产生的多级倍增效应,从而达到提高材料表面总二次电子发射抑制效果,并提供所述嵌套式微陷阱结构的制备方法。

    一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法

    公开(公告)号:CN109359423A

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201811369311.X

    申请日:2018-11-16

    Abstract: 本发明公开的一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法,属于微波部件无源互调领域。本发明实现方法为:步骤1:将矩形波导法兰接触面等效为金属-绝缘层-金属结构,确定矩形波导法兰接触面两侧的电势差;步骤2:利用矩形波导尺寸、法兰接触面积以及接触面两侧的电势差确定矩形波导法兰接触面产生的3阶非线性电流;步骤3:利用载波频率、矩形波导尺寸以及3阶非线性电流,确定矩形波导法兰3阶无源互调产物的电平。本发明在无需提前获取无源互调低阶产物和表面形貌参数测量值的情况下,通过简单计算获得矩形波导法兰的3阶无源互调产物电平,因而能够大幅提高矩形波导法兰无源互调问题的解决效率,降低成本。

    一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法

    公开(公告)号:CN109524750A

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201811369293.5

    申请日:2018-11-16

    Abstract: 本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法,涉及微波无线通信领域。本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法,利用介质法兰实现金属-空气-金属的接触,利用介质片实现金属-非导电介质-金属的接触,实现抑制微波部件无源互调。本发明装置包括非导电介质法兰、固定非导电介质法兰所需的金属螺钉、非导电介质片、非导电介质套、非导电介质螺钉。本发明具有结构简单、重量轻、设计成本率高、设计周期短的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。

    一种介质二次电子发射产额的测量方法

    公开(公告)号:CN111307850B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201911378479.1

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法,包括:将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面;将入射电子照射到金属导电栅网范围内,测量得到入射电流和样品电流;根据入射电流和样品电流,解算得到测量得到的总体二次电子产额;获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数,以及金属导电栅网自身的二次电子产额;解算得到待测介质表面出射的二次电子产额;解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段,可通用于普通金属二次电子产额测试设备,测量结果准确且不受样品厚度限制,能较好适应于低能端。

    一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113737134A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202111028756.3

    申请日:2021-09-02

    Abstract: 一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法,包括下层材料薄膜、上层材料薄膜和基底;下层材料薄膜设置在基底上,上层材料薄膜设置在下层材料薄膜上;下层材料薄膜原子间隙小于上层材料薄膜的原子间隙,下层材料薄膜的原子间隙嵌套进上层材料薄膜的原子间隙,形成嵌套的微陷阱结构。本发明利用磁控溅射技术生长具有嵌套的微陷阱结构的薄膜,通过控制溅射功率进而形成上下两层密度不同的薄膜,下层薄膜溅射功率小,材料密度大,原子间距小,原子间存在小空隙;而上层薄膜溅射功率大,材料密度小,原子间距较大,原子之间存在大空隙,上下两层的大小空隙组成嵌套的微陷阱结构。

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