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公开(公告)号：CN117010098A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310611486.1
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数圆柱孔阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸范围；S2、将规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸看做种群中的个体，对所有个体进行二进制编码，形成二进制编码位串，并对每个个体逐一进行编号；S3、根据规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算二次电子发射系数曲线并获取对应的最大二次电子发射系数；S4、基于工作频率以及规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算表面阻抗；所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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公开(公告)号：CN119936576A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411973215.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种用于微放电的调零检测的控制方法：步骤1，监测微放电调零电平发生异常时，频谱仪上的调零电平跳变量；步骤2，采用粗调模式调节幅度控制旋钮，并观察频谱仪上的调零电平跳变量的变化；步骤3，在步骤2进行的过程中，实时观察调零电平跳变量是否出现先快速下降而后保持不变或者上升的现象，是则采用精调模式并进入步骤4，否则继续步骤2；步骤4，判断是否满足调零电平跳变量≤‑70dBm时，若是，则完成调零电平的调整，若否，则采用精调模式继续调整。本发明的方法能够提高调节效率和调节精度，解决了现有调零检测法中手动调整幅度或相位导致调整效率与调节精度难以保证的技术问题。
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公开(公告)号：CN119726022A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411876973.1
申请日：2024-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种可3D打印的Ka频段波导滤波器的设计方法，该Ka频段波导滤波器包括五边形谐振体，五边形谐振体包括一体相连通的矩形谐振体和三角形谐振体；矩形谐振体的一端一体连通有输入谐振器，矩形谐振体的另一端一体连通有所述的输出谐振器；三角形谐振体的侧壁上靠近顶角的位置开设有多个电镀孔；金属膜片将五边形谐振体分割为多个五边形谐振器。本发明提出的Ka频段波导滤波器，基于金属3D打印工艺，在三角形谐振体的侧壁上靠近顶角的位置开设有多个电镀孔，在保证电磁波不发生泄露及不影响滤波器整体电性能的基础上，使Ka频段波导滤波器在后期化学电镀时液体充分在Ka频段波导滤波器中流动，达到充分电镀的目的。
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公开(公告)号：CN115261776B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210869639.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114000103B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112281141B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202011024329.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射系数抑制方法，属于介质表面二次电子发射系数抑制技术领域。本发明实现了多约束条件下基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射抑制方法，通过在金属基片表面原子层沉积可控的碳纳米薄膜，实现表面的二次电子发射系数的降低，二次电子发射系数降低幅度超过60％，在解决介质微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111748769A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250-3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111307850A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911378479.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。
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公开(公告)号：CN106835077B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710042283.X
申请日：2017-01-20
Applicant: 陕西科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种抑制微放电效应的多孔Au涂层的制备方法，首先在镀银铝合金表面构筑多孔结构，然后通过溶胶凝胶法在多孔结构表面随形沉积TiO2薄膜，最后采用化学镀法在TiO2薄膜表面制备Au薄膜，从而在镀银铝合金表面形成一种抑制微放电效应的多孔Au涂层，可极大提高镀银铝合金表面的孔隙率和孔数量，从而提高镀银铝合金表面的微放电抑制特性及其环境稳定性。
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公开(公告)号：CN108387597A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711374694.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法，其中装置包括收集极、两只电流表和电子枪；收集极为两层且开口朝下的结构，结构顶部开有预留孔；样品的上表面置于收集极内部且位于预留孔的正下方，电子枪通过预留孔将入射电子打到样品上；一只电流表记为电流表A连接在样品与地之间；另一只电流表记为电流表B连接在收集极内表面与地之间，收集极的外表面接地。
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