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公开(公告)号：CN115261776A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210869639.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119682327A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411659629.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有能量选择特性的卫星用热控薄膜，具有能量选择特性的卫星用热控薄膜为多层复合结构，多层复合结构包括热控防护层、基底层和能量选择层，热控防护层与基底层的一侧贴合，基底层的另一侧与能量选择层贴合；热控防护层、基底层和能量选择层均为薄膜结构。本发明提出的在能量选择层上采用二极管的周期性结构，一方面发射太阳光谱，接收具有能量选择特性的卫星用热控薄膜的太阳吸收率，提升热控性能，另一方面能量选择层可以根据入射电磁信号的强弱而改变自身的表面阻抗特性，进而改变具有能量选择特性的卫星用热控薄膜的表面阻抗特性，实现弱电磁信号低损通过和强电磁信号抑制传输的空间强电磁环境防护能力，解决了现有技术的不足。
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公开(公告)号：CN115261776B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210869639.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117454599A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311255108.0
申请日：2023-09-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F30/20 , G01R31/12 , G06F111/08 , G06F111/10
Abstract: 一种微波部件微放电阈值确定方法，包括如下步骤：(1)对种子电子状态初始化；(2)分析微波部件内部电磁场；(3)设定时间步长，推进电子运功轨迹；(4)判断电子是否与微波部件表面碰撞，若不碰撞返回(3)；(5)计算发射二次电子能量、角度以及电子与材料作用时间；(6)更新电子状态；(7)判断电子是否达到设定仿真周期；(8)根据电子数目随时间变化趋势判断是否发生微放电。本发明方法更加客观、准确地表征了高频段下微放电效应发生的物理过程，可用于高频段微波部件的抗微放电设计。
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公开(公告)号：CN119753628A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411836384.0
申请日：2024-12-13
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种抑制空间行波管微小放电的方法，包括空间行波管，该方法是采用多种前驱体交替的作用方式在陶瓷原样表面上沉积三氧化二铝薄膜；陶瓷原样为空间行波管的陶瓷表面未沉积任何薄膜。多种前驱体为三甲基铝和水；沉积温度为250℃～350℃。本发明中利用在陶瓷原样表面沉积三氧化二铝薄膜的方式实现了陶瓷原样表面的二次电子发射系数的降低和沿面闪络电压的提高，从而降低了空间行波管微小放电发生的概率，在解决空间行波管微小放电的方面有较好的应用前景，对于提高航天器中空间行波管的可靠性具有重要应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118158878A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410215527.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体面阵的强电磁脉冲防护装置及方法，强电磁脉冲防护装置包括基板及在基板上阵列排布的气体放电管，气体放电管内设置有正偏置电极和负偏置电极，正偏置电极和负偏置电极连接电源正负极，在正偏置电极和负偏置电极间形成偏置电压。本发明创造性地提出预置偏置电极与偏置电压的方法，解决了直接应用等离子体管能耗高、电磁信号截止等问题。通过构造气体放电管面阵，扩大了有效防护面积和应用范围；二者相结合，可有效弥补传统气体放电管及直接应用等离子体管的不足，从而可实现对卫星载荷射频通道的自适应强电磁脉冲防护，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117452150A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311237987.4
申请日：2023-09-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种确定窄间隙低气压放电电压的方法及系统，综合考虑在窄间隙条件下，二次电子发射电流与场发射电流同时存在且共同作用的特点，修正了传统帕邢定理。同时考虑了窄间隙时，针‑板结构放电多路径效应，优化得到最终的窄间隙低气压放电电压确定方法，获得了与实验结果较吻合的窄间隙低气压放电电压值。
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公开(公告)号：CN117410695A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311216810.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01Q1/38
Abstract: 本发明提供一种基于磁电复合材料的磁电天线，为多层复合结构，包括压电层、磁致伸缩层、电极、永磁膜层，磁致伸缩层包括第一磁致伸缩层和第二磁致伸缩层，分别设置在压电层上下两侧；电极分布在压电层与磁致伸缩层之间，分上下两侧两个电极，所述压电层与磁致伸缩层通过环氧树脂胶粘接形成复合结构。在单侧或双侧磁致伸缩层一侧设置永磁膜层实现偏置磁场的加载，永磁膜层与磁致伸缩层紧密连接。永磁薄膜加载的方式实现偏置磁场，既降低了磁电天线的体积、重量，利于小型化集成，又提高了偏置磁场的均匀性，有效提高了磁电天线的性能。
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公开(公告)号：CN115639236A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211288248.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 一种基于扫描电子显微镜平台的二次电子产额测试方法，借助已有扫描电子显微镜及法拉第杯，将原来用于聚焦扫描的电子束进行过聚焦后再散斑，得到所需二次电子产额的电子束照射面积，在该照射面积下测试待测样品上的电流，同时在保证扫描电子枪处于相同聚焦参数下通过法拉第杯测试入射电子电流，通过两次测试电流的简单计算即可得到该电子束能量下的二次电子产额。该方法实现了二次电子产额的简便、快捷、可靠的测试，其不仅对于二次电子发射领域的相关研究如空间微波部件微放电效应、电子倍增管性能优化、介质窗微波击穿等具有重要意义，也是对现有测试方法的有效补充。
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公开(公告)号：CN115391737A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210869636.4
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法，包括：测试微波部件不同表面处理的二次电子产额数据；根据测试的二次电子产额数据拟合出入射电子能量下的二次电子产额曲线；根据入射电子能量与二次电子产额关系计算不同入射电子能量的出射电子数目概率；根据出射电子数目概率计算不同入射电子能量下的归一化电子累积出射概率；计算不同二次电子产额曲线对应的临界微放电阈值点；判断不同表面处理发生微放电的风险大小。本发明方法不需要计算微放电阈值，预测结果准确，具有快速、直观的优势，该方法可用于筛选抑制微放电效应的表面镀层，为快速评估抑制微放电效应的表面镀层提供了新方法。
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