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公开(公告)号：CN113684453A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110697294.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113684453B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110697294.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113543614B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110655098.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明涉及一种大型无源互调屏蔽暗室，属于微波天线测试技术领域；包括外围钢结构框架、内层铝质屏蔽层和连接结构；其中，外围钢结构框架包括立柱、格构式梁、桁架和底面网格骨架；立柱、格构式梁、桁架和底面网格骨架组成屏蔽暗室的外围钢结构框架；内层铝质屏蔽层通过连接结构固定安装在外围钢结构框架的内壁上，实现封闭；连接结构包括铝管和4个绝缘件；绝缘件包括2个半连接环和2个绝缘柱；本发明通过材料和过程中的焊接工艺，连接工艺实现了高屏蔽和低互调的性能。
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公开(公告)号：CN113543614A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110655098.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明涉及一种大型无源互调屏蔽暗室，属于微波天线测试技术领域；包括外围钢结构框架、内层铝质屏蔽层和连接结构；其中，外围钢结构框架包括立柱、格构式梁、桁架和底面网格骨架；立柱、格构式梁、桁架和底面网格骨架组成屏蔽暗室的外围钢结构框架；内层铝质屏蔽层通过连接结构固定安装在外围钢结构框架的内壁上，实现封闭；连接结构包括铝管和4个绝缘件；绝缘件包括2个半连接环和2个绝缘柱；本发明通过材料和过程中的焊接工艺，连接工艺实现了高屏蔽和低互调的性能。
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