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公开(公告)号：CN111918861B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201980021962.6
申请日：2019-03-29
Applicant: 关东电化工业株式会社
IPC: C07C319/20 , C07C323/03 , C07B61/00
Abstract: 本发明的目的在于，提供简便地以低成本且工业上制造含氟硫化物、尤其是含有氢和氟的硫化物的方法。一种下述式(2)：(F)n‑A3‑S‑A4‑(F)m(2)(式中，A3和A4独立地为碳原子数1～3的任选被取代的烃基，n和m表示与A3和A4键合的氟原子的数量，满足n+m＝1～13)所示的含氟硫化物的制造方法，其包括：使下述式(1)：(Cl)n‑A1‑S‑A2‑(Cl)m(1)(式中，A1和A2独立地为碳原子数1～3的任选被取代的烃基，n和m表示与A1和A2键合的氯原子的数量，满足n+m＝1～13)所示的含氯硫化物与氟化剂发生反应。
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公开(公告)号：CN111655659B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201980010885.4
申请日：2019-02-01
Applicant: 关东电化工业株式会社
IPC: C07C17/269 , C07C21/20 , C07B61/00
Abstract: 本发明的目的在于，提供简便地以低成本且工业制造具有包含氢且包含氟和/或氯的多烯骨架的化合物的方法。一种式(1)：A1A2C＝CA3‑CA4＝CA5A6[式中，A1、A2、A5和A6独立地表示氢、氟或氯、碳原子数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A3和A4独立地表示氢、氟或氯；A1～A6中的至少一者表示氢，A1～A6中的至少一者表示氟或氯]所示的卤代二烯的制造方法，其包括如下工序：在0价的金属和金属盐的存在下，使式(2)：A7A8C＝CA9X[式中，A7和A8独立地表示氢、氟或氯、碳原子数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A9独立地表示氢、氟或氯；X表示溴或碘]所示的相同或不同的卤代烯烃发生偶联反应。
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公开(公告)号：CN110546125A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026542.2
申请日：2018-04-26
Applicant: 关东电化工业株式会社 , 国立大学法人群马大学
IPC: C07C17/269 , C07C21/20 , C07B61/00
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种简便地以低成本工业制造具有含有氢且含有氟和/或氯的多烯骨架的化合物的方法。一种卤代二烯的制造方法，所述卤代二烯用式(1)：A1A2C＝CA3-CA4＝CA5A6[式中，A1、A2、A5和A6独立地表示氢、氟或氯、碳数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A3和A4独立地表示氢、氟或氯；A1～A6中的至少1者表示氢；A1～A6中的至少1者表示氟或氯。]表示，所述制造方法包括如下工序：在0价金属的存在下，使式(2)：A7A8C＝CA9X[式中，A7和A8独立地表示氢、氟或氯、碳数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A9独立地表示氢、氟或氯；X表示溴或碘。]所示的相同或不同的卤代烯烃发生偶联反应的工序。
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公开(公告)号：CN112313780A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980041905.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 关东电化工业株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种等离子体蚀刻方法，其在半导体制造工艺中，可以对掩模材料选择性地加工由SiO2、SiN之类的单独的材料、或SiO2、SiN的复合材料形成的膜，而且加工时得到良好的垂直加工形状。将包含通式(1)：Rf1‑S‑Rf2(1)(式中，Rf1为CxHyFz所示的一价的有机基团，Rf2为CaHbFc所示的一价的有机基团)式(1)所示的具有硫醚骨架的气体化合物的混合气体、或将单独进行等离子体化，对由SiO2、SiN之类的单独的材料、或复合材料形成的膜进行蚀刻，从而与使用通常的氢氟碳气体的情况相比，氟原子的含量少，而且包含硫原子的保护膜沉积，从而可以实现改善与掩模材料、其它非蚀刻对象材料的选择性、降低对侧壁的损伤、抑制向横向的蚀刻等。
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公开(公告)号：CN111655659A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980010885.4
申请日：2019-02-01
Applicant: 关东电化工业株式会社
IPC: C07C17/269 , C07C21/20 , C07B61/00
Abstract: 本发明的目的在于，提供简便地以低成本且工业制造具有包含氢且包含氟和/或氯的多烯骨架的化合物的方法。一种式(1)：A1A2C＝CA3-CA4＝CA5A6[式中，A1、A2、A5和A6独立地表示氢、氟或氯、碳原子数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A3和A4独立地表示氢、氟或氯；A1～A6中的至少一者表示氢，A1～A6中的至少一者表示氟或氯]所示的卤代二烯的制造方法，其包括如下工序：在0价的金属和金属盐的存在下，使式(2)：A7A8C＝CA9X[式中，A7和A8独立地表示氢、氟或氯、碳原子数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A9独立地表示氢、氟或氯；X表示溴或碘]所示的相同或不同的卤代烯烃发生偶联反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110546742A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880014921.X
申请日：2018-04-02
Applicant: 关东电化工业株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 使用含有通式(1)：CxHyFz所示的饱和或不饱和的氢氟碳化合物的干式蚀刻气体组合物，但1,1,2,2,3-五氟环丁烷及1,1,2,2-四氟环丁烷除外，式中，x、y及z为满足2≤x≤4、y+z≤2x+2及0.5＜z/y＜2的整数。通过使用所述含有氢氟碳的蚀刻气体组合物，可以相对于硅氧化膜、非硅系掩模材料或多晶硅膜、选择性地对含(b1)含氮的硅系膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN108883933A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021363.5
申请日：2017-03-29
Applicant: 关东电化工业株式会社
IPC: C01B7/24 , C07B39/00 , H01L21/3065
CPC classification number: C01B7/24 , C07B39/00 , H01L21/3065
Abstract: 提供稳定地产生产业上可利用的氟化氯(ClF)、可以控制流量、连续地供给的氟化氯供给装置及供给方法。本发明的氟化氯的供给方法为供给氟化氯的供给方法，所述氟化氯是通过将含有氟原子的气体和含有氯原子的气体导入到流通式的加热反应装置或等离子体反应装置而产生的，对于难以高压填充、可以填充到储气瓶等气体容器的量有限的氟化氯而言，通过使能够安全地液化填充到气体容器的2种以上的气体原料反应、或这种气体原料与固体原料反应，能够稳定地产生氟化氯并安全地连续长时间供给。
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公开(公告)号：CN112313780B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201980041905.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 关东电化工业株式会社
IPC: H01L21/3065
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公开(公告)号：CN110546742B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880014921.X
申请日：2018-04-02
Applicant: 关东电化工业株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 使用含有通式(1)：CxHyFz所示的饱和或不饱和的氢氟碳化合物的干式蚀刻气体组合物，但1,1,2,2,3‑五氟环丁烷及1,1,2,2‑四氟环丁烷除外，式中，x、y及z为满足2≤x≤4、y+z≤2x+2及0.5＜z/y＜2的整数。通过使用所述含有氢氟碳的蚀刻气体组合物，可以相对于硅氧化膜、非硅系掩模材料或多晶硅膜、选择性地对含(b1)含氮的硅系膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN108883933B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201780021363.5
申请日：2017-03-29
Applicant: 关东电化工业株式会社
IPC: C01B7/24 , C07B39/00 , H01L21/3065
Abstract: 提供稳定地产生产业上可利用的氟化氯(ClF)、可以控制流量、连续地供给的氟化氯供给装置及供给方法。本发明的氟化氯的供给方法为供给氟化氯的供给方法，所述氟化氯是通过将含有氟原子的气体和含有氯原子的气体导入到流通式的加热反应装置或等离子体反应装置而产生的，对于难以高压填充、可以填充到储气瓶等气体容器的量有限的氟化氯而言，通过使能够安全地液化填充到气体容器的2种以上的气体原料反应、或这种气体原料与固体原料反应，能够稳定地产生氟化氯并安全地连续长时间供给。
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