公开(公告)号：CN110546742B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201880014921.X

申请日：2018-04-02

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 加藤惟人 ,  池谷庆彦 ,  涩泽幸伸 ,  清水久志

IPC: H01L21/3065

Abstract: 使用含有通式(1)：CxHyFz所示的饱和或不饱和的氢氟碳化合物的干式蚀刻气体组合物，但1,1,2,2,3‑五氟环丁烷及1,1,2,2‑四氟环丁烷除外，式中，x、y及z为满足2≤x≤4、y+z≤2x+2及0.5＜z/y＜2的整数。通过使用所述含有氢氟碳的蚀刻气体组合物，可以相对于硅氧化膜、非硅系掩模材料或多晶硅膜、选择性地对含(b1)含氮的硅系膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN110546742A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880014921.X

申请日：2018-04-02

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 加藤惟人 ,  池谷庆彦 ,  涩泽幸伸 ,  清水久志

IPC: H01L21/3065

Abstract: 使用含有通式(1)：CxHyFz所示的饱和或不饱和的氢氟碳化合物的干式蚀刻气体组合物，但1,1,2,2,3-五氟环丁烷及1,1,2,2-四氟环丁烷除外，式中，x、y及z为满足2≤x≤4、y+z≤2x+2及0.5＜z/y＜2的整数。通过使用所述含有氢氟碳的蚀刻气体组合物，可以相对于硅氧化膜、非硅系掩模材料或多晶硅膜、选择性地对含(b1)含氮的硅系膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN119855803A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380065195.5

申请日：2023-10-02

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 涩泽结花 ,  涩泽幸伸 ,  河合广洋

IPC: C07C17/25 ,  C07B61/00 ,  C07C21/18

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够解决现有技术问题的氟烯烃的制造方法，该方法的反应转化率和目标产物的选择率高，能够以高收率得到目标产物，副产物的比率低，也不产生废液。一种氟烯烃的制造方法，其特征在于，在含有金属盐的活性炭的存在下使氟化烷烃进行脱氟化氢反应。

公开(公告)号：CN108884548A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021008.8

申请日：2017-03-16

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 泷泽浩树 ,  菊池翔 ,  涩泽幸伸

IPC: C23C8/08 ,  C23C28/00

CPC classification number: C23C8/08 ,  C23C28/00

Abstract: 在材料的至少一部分具有由于与含有ClF的气体接触而产生的氟化物的钝化膜(28)。