公开(公告)号：CN110546742B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201880014921.X

申请日：2018-04-02

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 加藤惟人 ,  池谷庆彦 ,  涩泽幸伸 ,  清水久志

IPC: H01L21/3065

Abstract: 使用含有通式(1)：CxHyFz所示的饱和或不饱和的氢氟碳化合物的干式蚀刻气体组合物，但1,1,2,2,3‑五氟环丁烷及1,1,2,2‑四氟环丁烷除外，式中，x、y及z为满足2≤x≤4、y+z≤2x+2及0.5＜z/y＜2的整数。通过使用所述含有氢氟碳的蚀刻气体组合物，可以相对于硅氧化膜、非硅系掩模材料或多晶硅膜、选择性地对含(b1)含氮的硅系膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN110546742A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880014921.X

申请日：2018-04-02

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 加藤惟人 ,  池谷庆彦 ,  涩泽幸伸 ,  清水久志

IPC: H01L21/3065

Abstract: 使用含有通式(1)：CxHyFz所示的饱和或不饱和的氢氟碳化合物的干式蚀刻气体组合物，但1,1,2,2,3-五氟环丁烷及1,1,2,2-四氟环丁烷除外，式中，x、y及z为满足2≤x≤4、y+z≤2x+2及0.5＜z/y＜2的整数。通过使用所述含有氢氟碳的蚀刻气体组合物，可以相对于硅氧化膜、非硅系掩模材料或多晶硅膜、选择性地对含(b1)含氮的硅系膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN112673459B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN201980059146.4

申请日：2019-07-10

Applicant: 铠侠股份有限公司 ,  关东电化工业株式会社

Inventor： 石野嵩弥 ,  佐佐木俊行 ,  下田光春 ,  清水久志

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/788 ,  H10B43/27 ,  H01L29/792 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供能够合适地对膜进行蚀刻的半导体装置的制造方法和蚀刻气体。根据一个实施方式，该半导体装置的制造方法包括：使用包含CxHyFz(C表示碳，H表示氢，F表示氟，x表示3以上的整数，且y和z分别表示1以上的整数)所示的链状烃化合物的蚀刻气体对膜进行蚀刻。进而，上述CxHyFz是碳链上的各末端的碳原子仅与氢原子和氟原子中的氟原子键合的链状烃化合物。

公开(公告)号：CN112956002A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201980070061.6

申请日：2019-10-25

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 清水久志 ,  加藤惟人

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供：包含含硫不饱和化合物的、对硅系膜的层叠结构体的蚀刻用途有用的新型蚀刻气体组合物。一种干蚀刻气体组合物，其包含用通式(1)：CxFySz(式中，x、y和z为2≤x≤5、y≤2x、1≤z≤2)表示的、具有不饱和键的含硫碳氟化合物。

公开(公告)号：CN112912994B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201980070063.5

申请日：2019-10-25

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 清水久志 ,  加藤惟人

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供：包含含硫化合物的、相对于低介电常数材料(低‑k材料(SiON、SiCN、SiOCN、SiOC))能对SiO2选择性地进行蚀刻的新型蚀刻气体组合物。一种干蚀刻气体组合物，其包含用通式(1)：CxFySz(式中，x、y和z为2≤x≤5、y≤2x、1≤z≤2)表示的、饱和且环状的含硫碳氟化合物。

公开(公告)号：CN112956002B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN201980070061.6

申请日：2019-10-25

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 清水久志 ,  加藤惟人

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供：包含含硫不饱和化合物的、对硅系膜的层叠结构体的蚀刻用途有用的新型蚀刻气体组合物。一种干蚀刻气体组合物，其包含用通式(1)：CxFySz(式中，x、y和z为2≤x≤5、y≤2x、1≤z≤2)表示的、具有不饱和键的含硫碳氟化合物。

公开(公告)号：CN112912994A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980070063.5

申请日：2019-10-25

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 清水久志 ,  加藤惟人

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供：包含含硫化合物的、相对于低介电常数材料(低‑k材料(SiON、SiCN、SiOCN、SiOC))能对SiO2选择性地进行蚀刻的新型蚀刻气体组合物。一种干蚀刻气体组合物，其包含用通式(1)：CxFySz(式中，x、y和z为2≤x≤5、y≤2x、1≤z≤2)表示的、饱和且环状的含硫碳氟化合物。

公开(公告)号：CN112673459A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201980059146.4

申请日：2019-07-10

Applicant: 铠侠股份有限公司 ,  关东电化工业株式会社

Inventor： 石野嵩弥 ,  佐佐木俊行 ,  下田光春 ,  清水久志

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/788 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/792 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供能够合适地对膜进行蚀刻的半导体装置的制造方法和蚀刻气体。根据一个实施方式，该半导体装置的制造方法包括：使用包含CxHyFz(C表示碳，H表示氢，F表示氟，x表示3以上的整数，且y和z分别表示1以上的整数)所示的链状烃化合物的蚀刻气体对膜进行蚀刻。进而，上述CxHyFz是碳链上的各末端的碳原子仅与氢原子和氟原子中的氟原子键合的链状烃化合物。