公开(公告)号：CN111655659B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201980010885.4

申请日：2019-02-01

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 柏仓亘 ,  池谷庆彦 ,  木村凉 ,  澁泽幸伸

IPC: C07C17/269 ,  C07C21/20 ,  C07B61/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供简便地以低成本且工业制造具有包含氢且包含氟和/或氯的多烯骨架的化合物的方法。一种式(1)：A1A2C＝CA3‑CA4＝CA5A6[式中，A1、A2、A5和A6独立地表示氢、氟或氯、碳原子数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A3和A4独立地表示氢、氟或氯；A1～A6中的至少一者表示氢，A1～A6中的至少一者表示氟或氯]所示的卤代二烯的制造方法，其包括如下工序：在0价的金属和金属盐的存在下，使式(2)：A7A8C＝CA9X[式中，A7和A8独立地表示氢、氟或氯、碳原子数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A9独立地表示氢、氟或氯；X表示溴或碘]所示的相同或不同的卤代烯烃发生偶联反应。

公开(公告)号：CN110546125A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880026542.2

申请日：2018-04-26

Applicant: 关东电化工业株式会社 ,  国立大学法人群马大学

Inventor： 网井秀树 ,  下田光春 ,  池谷庆彦 ,  木村凉

IPC: C07C17/269 ,  C07C21/20 ,  C07B61/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种简便地以低成本工业制造具有含有氢且含有氟和/或氯的多烯骨架的化合物的方法。一种卤代二烯的制造方法，所述卤代二烯用式(1)：A1A2C＝CA3-CA4＝CA5A6[式中，A1、A2、A5和A6独立地表示氢、氟或氯、碳数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A3和A4独立地表示氢、氟或氯；A1～A6中的至少1者表示氢；A1～A6中的至少1者表示氟或氯。]表示，所述制造方法包括如下工序：在0价金属的存在下，使式(2)：A7A8C＝CA9X[式中，A7和A8独立地表示氢、氟或氯、碳数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A9独立地表示氢、氟或氯；X表示溴或碘。]所示的相同或不同的卤代烯烃发生偶联反应的工序。

公开(公告)号：CN114206822A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055714.6

申请日：2020-08-26

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 木村凉 ,  前原涉平 ,  中西晶子

IPC: C07C53/46 ,  C07C53/48 ,  C07C51/58

Abstract: 提供：在反应体系中不产生HCl副产物的反应体系、即HCl不与作为产物的羧酰氟形成络合物、且产物的收率得到改善的羧酰氟的制造方法。提供：无需使用光反应装置、特定的氟化氢加成物、且不存在操作工序的复杂化问题的羧酰氟的制造方法。提供：包括使羧酰氯与金属氟化物反应的工序的羧酰氟的制造方法。在该制造方法中，羧酸优选为碳数1～7的羧酸，羧酸优选为被氟取代的羧酸，羧酸优选为三氟乙酸。

公开(公告)号：CN111655659A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201980010885.4

申请日：2019-02-01

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 柏仓亘 ,  池谷庆彦 ,  木村凉 ,  澁泽幸伸

IPC: C07C17/269 ,  C07C21/20 ,  C07B61/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供简便地以低成本且工业制造具有包含氢且包含氟和/或氯的多烯骨架的化合物的方法。一种式(1)：A1A2C＝CA3-CA4＝CA5A6[式中，A1、A2、A5和A6独立地表示氢、氟或氯、碳原子数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A3和A4独立地表示氢、氟或氯；A1～A6中的至少一者表示氢，A1～A6中的至少一者表示氟或氯]所示的卤代二烯的制造方法，其包括如下工序：在0价的金属和金属盐的存在下，使式(2)：A7A8C＝CA9X[式中，A7和A8独立地表示氢、氟或氯、碳原子数1～3的(全氟)烷基、或者(全氟)烯基；A9独立地表示氢、氟或氯；X表示溴或碘]所示的相同或不同的卤代烯烃发生偶联反应。

公开(公告)号：CN114206822B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202080055714.6

申请日：2020-08-26

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 木村凉 ,  前原涉平 ,  中西晶子

IPC: C07C53/46 ,  C07C53/48 ,  C07C51/58

Abstract: 提供：在反应体系中不产生HCl副产物的反应体系、即HCl不与作为产物的羧酰氟形成络合物、且产物的收率得到改善的羧酰氟的制造方法。提供：无需使用光反应装置、特定的氟化氢加成物、且不存在操作工序的复杂化问题的羧酰氟的制造方法。提供：包括使羧酰氯与金属氟化物反应的工序的羧酰氟的制造方法。在该制造方法中，羧酸优选为碳数1～7的羧酸，羧酸优选为被氟取代的羧酸，羧酸优选为三氟乙酸。

公开(公告)号：CN115003652A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180010457.9

申请日：2021-01-22

Applicant: 关东电化工业株式会社

Inventor： 木村凉 ,  中西晶子 ,  前原涉平

IPC: C07C51/64 ,  C07C51/58 ,  C07B61/00

Abstract: 防止杂质混入导致的R‑COF的收率降低，稳定地制造R‑COF的高纯度产品。根据本发明，提供：一种羧酰氟的精制方法，其包括使含有卤化氢的羧酰氟与金属氟化物接触而去除卤化氢的工序；一种高纯度羧酰氟的制造方法，其包含使含有卤化氢的羧酰氟与金属氟化物接触的工序；和通过该方法得到的高纯度羧酰氟；以及，在从含有卤化氢的羧酰氟去除卤化氢的方法中的、使用金属氟化物作为卤化氢吸附剂的方法。