公开(公告)号：CN117120862A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280024748.8

申请日：2022-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 出口洋成 ,  辰巳夏生 ,  林司 ,  西林良树

IPC: G01R33/20

Abstract: 金刚石光磁传感器包含：金刚石，其具有带电子自旋的色心，并且被照射激发光；以及照射部，其向金刚石照射色心的激发光以及磁共振用的电磁波，照射部接收振幅调制后的调制光，调制光的调制频率包含在微波的频带中。

公开(公告)号：CN117099008A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202280025980.3

申请日：2022-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 出口洋成 ,  辰巳夏生 ,  林司 ,  西林良树

IPC: G01R33/20

Abstract: 本发明的金刚石光磁传感器(100)包含：金刚石(102)，其具有带电子自旋的色心；传输电路(106)，其传输电磁波；以及照射部，其将由传输电路(106)传输的电磁波照射到金刚石(102)，传输电路(106)包含阻抗转换器(108)，该阻抗转换器(108)用于使输出电磁波的电磁波源(110)的阻抗从照射部观察时变低或变高，照射部包含谐振器(104)。

公开(公告)号：CN117157546A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280011673.X

申请日：2022-01-26

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 西林良树 ,  中西裕美 ,  出口洋成 ,  林司 ,  辰巳夏生

IPC: G01R33/02

Abstract: 一种金刚石传感器单元，包括：金刚石，具有色心，所述色心带有电子自旋；激发光照射部，向金刚石照射激发光；第一贴片天线，接收电磁波；电磁波照射部，向金刚石照射由第一贴片天线接收到的电磁波；检测部，检测在向金刚石照射激发光及电磁波之后从金刚石的色心放射的放射光；以及光波导，传输激发光及放射光。

公开(公告)号：CN117120863A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280025308.4

申请日：2022-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 出口洋成 ,  辰巳夏生 ,  林司 ,  西林良树

IPC: G01R33/20

Abstract: 金刚石光磁传感器包含：金刚石，其具有带电子自旋的色心；以及反射面，其反射经由光学系统传播并射入到金刚石的内部的激发光，反射面反射从被激发光激发的色心放射的放射光，使其向光学系统的方向聚光。

公开(公告)号：CN116745632A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280010841.3

申请日：2022-01-26

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 西林良树 ,  中西裕美 ,  出口洋成 ,  林司 ,  辰巳夏生

IPC: G01R33/02

Abstract: 一种金刚石磁传感器单元，包括：传感器部，包括具有色心的金刚石，所述色心带有电子自旋；激发光照射部，向金刚石照射激发光；以及检测部，检测来自金刚石的色心的放射光，检测部检测通过不向金刚石照射电磁波而由激发光照射部向金刚石照射激发光从而产生的放射光，所述金刚石磁传感器单元能够包括导电部件，所述导电部件与传感器部间隔10mm以上而配置，传播电磁波。

公开(公告)号：CN116848422A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280011208.6

申请日：2022-01-26

Applicant: 日新电机株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  中西裕美 ,  出口洋成 ,  林司 ,  辰巳夏生

IPC: G01R33/02

Abstract: 一种金刚石传感器单元，包括：传感器部，包括具有色心的金刚石，所述色心带有电子自旋；照射部，向金刚石照射激发光；检测部，检测来自金刚石的色心的放射光；以及光波导，传输激发光及放射光。

公开(公告)号：CN1242594A

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN99110936.8

申请日：1999-06-26

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 三宅浩二 ,  林司 ,  桑原创

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22 ,  H01J37/317 ,  H05H1/00

Abstract: 注入氢负离子的方法包括以下步骤。产生含氢等离子体。在等离子体中产生氢负离子。在等离子体和衬底间形成电场。利用该电场加速来自等离子体的氢负离子,从而将氢负离子注入到衬底的预定深度。

公开(公告)号：CN117651874A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280050481.X

申请日：2022-10-26

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 水落宪和 ,  恩斯特·大卫·赫布施莱布 ,  森下弘树 ,  済藤纮矢 ,  出口洋成 ,  辰巳夏生 ,  林司

IPC: G01R25/00 ,  G01R21/08 ,  G01R21/00

Abstract: 本发明高灵敏度地测定多个物理场之间的相位差。相位差测定装置(10)包括：电磁波照射部(2)，将用来对因与由交流信号产生的第一物理场或第二物理场的相互作用而发生变化的量子传感器元件(1)的电子自旋状态进行操作的电磁波重复照射至量子传感器元件(1)；及相位差测定部(3)，获取与第一物理场或第二物理场进行相互作用后的多个电子自旋状态，并基于所获取的多个电子自旋状态，对多个物理场之间的相位差进行测定。

公开(公告)号：CN1169191C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN99110936.8

申请日：1999-06-26

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 三宅浩二 ,  林司 ,  桑原创

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22 ,  H01J37/317 ,  H05H1/00

Abstract: 注入氢负离子的方法包括以下步骤。产生含氢等离子体。在等离子体中产生氢负离子。在等离子体和衬底间形成电场。利用该电场加速来自等离子体的氢负离子，从而将氢负离子注入到衬底的预定深度。

公开(公告)号：CN1934679B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580009526.5

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治 ,  三上隆司 ,  岸田茂明 ,  加藤健治 ,  东名敦志 ,  林司 ,  绪方洁 ,  节原裕一

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。