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公开(公告)号:CN116981802A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202280020425.1
申请日:2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石,其中,X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下,所述X射线衍射摇摆曲线的半值宽度按照以下方式进行测定:在基于双晶法的X射线衍射中,第一晶体使用金刚石晶体,(004)面平行配置,通过CuKα射线进行测定,拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下,蚀坑密度为10000个/cm2以下,所述蚀坑密度通过蚀刻实验来测定,氮的原子数基准的含有率为大于0.1ppm且50ppm以下。
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公开(公告)号:CN116997689A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202280020013.8
申请日:2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石,其中,X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下,拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下,蚀坑密度为10000个/cm2以下,氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下,13C的原子数基准的含有率小于0.01%。
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公开(公告)号:CN116964258A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202280020017.6
申请日:2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石,其中,X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下,拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下,蚀坑密度为10000个/cm2以下,氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下,13C的原子数基准的含有率为0.01%以上且1.0%以下。
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公开(公告)号:CN101595075B
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN200880003554.X
申请日:2008-01-23
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/5831 , B23B27/14
CPC classification number: C04B35/5831 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3804 , C04B2235/3813 , C04B2235/3847 , C04B2235/3856 , C04B2235/386 , C04B2235/3865 , C04B2235/3886 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/42 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/725 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C22C1/051 , C22C1/1084 , C22C26/00 , B22F3/14 , B22F3/1216
Abstract: 本发明涉及一种复合烧结体,其含有大于或等于20体积%且小于或等于80体积%的立方氮化硼颗粒,以及粘结剂;其中所述粘结剂含有:选自由元素周期表中的第4a族元素、第5a族元素、以及第6a族元素的氮化物,碳化物,硼化物和氧化物以及它们的固溶体所组成的组中的至少一种物质;选自由Zr、Si、Hf、Ge、W和Co的单体,其化合物以及它们的固溶体所组成的组中的至少一种物质;以及Al化合物;并且当所述复合烧结体中含有W和/或Co时,W和/或Co的总重量低于2.0重量%,并且所述复合烧结体中含有Zr、Si、Hf和Ge(下文中称之为“X”)中的一种或多种,并且当所述复合烧结体含有所述X时,各X的含量为大于或等于0.005重量%且低于2.0重量%,并且X/(X+W+Co)为大于或等于0.01且小于或等于1.0,并且此外,Al的重量为大于或等于2.0重量%且小于或等于20.0重量%。
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公开(公告)号:CN117500961A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202280042140.8
申请日:2022-05-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种合成单晶金刚石,所述合成单晶金刚石以原子数基准计包含50ppm以上且1000ppm以下的浓度的氮原子,其中,所述合成单晶金刚石包含由一个空位和与所述空位相邻地存在的两个取代型氮原子构成的聚集体,所述合成单晶金刚石的第二努普压痕的长的一方的对角线的长度b相对于第一努普压痕的长的一方的对角线的长度a之比b/a为0.90以下,所述第一努普压痕是在所述合成单晶金刚石的{110}面中的 方向上,依据JIS Z 2251:2009,在温度为23℃±5℃、以及试验载荷为4.9N的条件下将努普压头压入的状态下,形成于所述合成单晶金刚石的表面的压痕,所述第二努普压痕是在解除所述试验载荷后残留在所述合成单晶金刚石的表面的努普压痕。
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