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公开(公告)号:CN114655953B
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202210130434.8
申请日:2015-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供:一种制造金刚石的方法,所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦;一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石;和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。本发明的通过气相合成法制造金刚石的方法包括如下步骤:准备包含金刚石籽晶的基板;通过气相合成法在所述基板的主表面上形成光吸收层;通过气相合成法在所述光吸收层的主表面上生长金刚石层;和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎,从而将所述金刚石层与所述基板分离。
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公开(公告)号:CN117099008A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202280025980.3
申请日:2022-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: G01R33/20
Abstract: 本发明的金刚石光磁传感器(100)包含:金刚石(102),其具有带电子自旋的色心;传输电路(106),其传输电磁波;以及照射部,其将由传输电路(106)传输的电磁波照射到金刚石(102),传输电路(106)包含阻抗转换器(108),该阻抗转换器(108)用于使输出电磁波的电磁波源(110)的阻抗从照射部观察时变低或变高,照射部包含谐振器(104)。
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公开(公告)号:CN106574393B
公开(公告)日:2019-10-08
申请号:CN201580039728.8
申请日:2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04 , B23B27/14 , B23B27/20 , B24B53/047 , C23C16/27
Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在,各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点,所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外,在所述单晶金刚石(20)中,平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此,提供一种单晶金刚石,所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。
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公开(公告)号:CN107109691A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201680006136.0
申请日:2016-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , B21C3/025 , C23C16/27 , C23C16/274 , C30B9/00 , C30B25/105 , C30B25/186 , C30B25/20
Abstract: 在单晶金刚石材料中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中,非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下,置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具,其包含单晶金刚石拉丝模,其中在所述单晶金刚石拉丝模中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面,所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。
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公开(公告)号:CN116745632A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202280010841.3
申请日:2022-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: G01R33/02
Abstract: 一种金刚石磁传感器单元,包括:传感器部,包括具有色心的金刚石,所述色心带有电子自旋;激发光照射部,向金刚石照射激发光;以及检测部,检测来自金刚石的色心的放射光,检测部检测通过不向金刚石照射电磁波而由激发光照射部向金刚石照射激发光从而产生的放射光,所述金刚石磁传感器单元能够包括导电部件,所述导电部件与传感器部间隔10mm以上而配置,传播电磁波。
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公开(公告)号:CN108474136A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201780007532.X
申请日:2017-01-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: A44C27/00 , C01B32/26 , C23C16/01 , C23C16/27 , C30B25/08 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种制造单晶金刚石的方法、所述方法包括如下步骤:在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜的步骤;准备金刚石籽晶衬底的步骤;将具有保护膜的辅助板和金刚石籽晶衬底布置在腔室内的步骤,在所述具有保护膜的辅助板中所述保护膜形成在所述辅助板上;以及在将含碳气体引入所述腔室内的同时通过化学气相沉积法在所述金刚石籽晶衬底的主面上生长单晶金刚石的步骤。
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公开(公告)号:CN107923067A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680046754.8
申请日:2016-10-14
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: B21C3/025 , B21C3/02 , B23B27/14 , B23B27/20 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供了一种单晶金刚石,其包括一组彼此相对的主表面,其中,在主表面中,杂质浓度沿着第一方向变化。
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公开(公告)号:CN106661759A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580043048.3
申请日:2015-08-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种能缩短分离衬底和金刚石层的分离时间的金刚石复合体、衬底和制造金刚石的方法、以及从所述金刚石复合体获得的金刚石和包括所述金刚石的工具。所述金刚石复合体包括:包括金刚石籽晶并在主表面中具有沟槽的衬底,形成在所述衬底的主表面上的金刚石层,以及在距所述衬底和所述金刚石层之间的界面恒定深度处形成在衬底侧上的非金刚石层。
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