公开(公告)号：CN103563061B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280025465.1

申请日：2012-05-24

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 下边安雄 ,  村山龙一 ,  三户手启二

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49579 ,  C08K3/08 ,  C08K2003/0806 ,  C09J9/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3224 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3226 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 根据本发明，提供成品率优异的半导体装置。本发明的半导体装置（10）具备：基材（芯片焊盘）（2）；半导体元件（3）；和介于基材与半导体元件（3）之间，将两者粘接的粘接层（1）。在粘接层（1）中含有热传导性填料（8）。该半导体装置（10）在粘接层（1）中分散有热传导性填料（8），在将整个粘接层（1）中的热传导性填料（8）的含有率设为C、将粘接层（1）的从半导体元件（3）侧的界面起至深度2μm的区域1中的热传导性填料（8）的含有率设为C1、并将粘接层（1）的从基材（芯片焊盘）（2）侧的界面起至深度2μm的区域2中的热传导性填料（8）的含有率设为C2时，满足C1＜C并且C2＜C。

公开(公告)号：CN103563061A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280025465.1

申请日：2012-05-24

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 下边安雄 ,  村山龙一 ,  三户手启二

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49579 ,  C08K3/08 ,  C08K2003/0806 ,  C09J9/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3224 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3226 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 根据本发明，提供成品率优异的半导体装置。本发明的半导体装置（10）具备：基材（芯片焊盘）（2）；半导体元件（3）；和介于基材与半导体元件（3）之间，将两者粘接的粘接层（1）。在粘接层（1）中含有热传导性填料（8）。该半导体装置（10）在粘接层（1）中分散有热传导性填料（8），在将整个粘接层（1）中的热传导性填料（8）的含有率设为C、将粘接层（1）的从半导体元件（3）侧的界面起至深度2μm的区域1中的热传导性填料（8）的含有率设为C1、并将粘接层（1）的从基材（芯片焊盘）（2）侧的界面起至深度2μm的区域2中的热传导性填料（8）的含有率设为C2时，满足C1＜C并且C2＜C。