一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN116477849B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202310395496.6

    申请日:2023-04-10

    Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法,包括:准备衬底和铁酸铋溶胶;在衬底上旋涂铁酸铋溶胶得到铁酸铋薄膜,对铁酸铋薄膜刻蚀得到铁酸铋纳米柱阵列模板;在铁酸铋纳米柱阵列模板的阵列面旋涂PVA溶液或PI溶液后经过真空保压和烘干,得到的薄膜作为纳米阵列子模板;在纳米阵列子模板的阵列面旋涂铁酸铋溶胶并经过真空保压处理,将得到样品以铁酸铋贴合的方式转移到铁酸铋薄膜后,经过真空条件退火处理、超声清洗后得到铁酸铋纳米柱阵列。该制备方法成本低,可行性较高,同时具有良好的重复性,所制备的铁酸铋纳米柱阵列可以应用于光电、铁电微纳器件中。

    一种快速研发膜材料的自动化合成测试系统和方法

    公开(公告)号:CN117761327A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311645774.5

    申请日:2023-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种快速研发膜材料的自动化合成测试系统和方法。本发明包含自动化合成子系统、自动化测试子系统、机器学习优化模块,此外配套有数据挖掘模块、搬运子系统、自动化控制模块;方法是在数据挖掘模块给出初始的配方、工艺参数后,输入到自动化合成子系统中合成制备膜材料样片,由自动化测试子系统测试膜材料样片的性能,机器学习优化模块根据性能测试结果采用分析算法推理给出更优配方工艺参数,再输入到自动化合成子系统中合成制备;不断循环迭代操作,实现了膜材料的自动化合成测试。本发明对膜材料的生产同时集成了合成功能和测试功能,也将合成功能和测试功能联系在一起紧密结合反馈,实现了膜材料生产的高效、优化。

    一种微反应器的加工方法

    公开(公告)号:CN115055137B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202210932361.4

    申请日:2022-08-04

    Abstract: 本发明公开了一种微反应器的加工方法,包括以下步骤:步骤S1:将透明陶瓷作为微反应器基片;步骤S2:利用飞秒激光微加工技术在透明陶瓷微反应器基片内部形成改性图样;步骤S3:在透明陶瓷微反应器基片内部形成微通道;步骤S4:利用微通道抛光技术对微通道进行抛光,获得微通道内壁光洁的透明陶瓷微反应器基片;步骤S5:将微通道内壁光洁的透明陶瓷微反应器基片保温退火处理,得到透明陶瓷微反应器。本发明采用透明陶瓷作为微反应器的基体材料,同时利用飞秒激光微加工技术在透明陶瓷微反应器基体内部形成微反应通道。制备的透明陶瓷微反应器,可承受5Mpa以上的流体压力以及‑50℃至1500℃的使用温度,同时可承受酸碱以及有机物腐蚀。

    一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN116477849A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310395496.6

    申请日:2023-04-10

    Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法,包括:准备衬底和铁酸铋溶胶;在衬底上旋涂铁酸铋溶胶得到铁酸铋薄膜,对铁酸铋薄膜刻蚀得到铁酸铋纳米柱阵列模板;在铁酸铋纳米柱阵列模板的阵列面旋涂PVA溶液或PI溶液后经过真空保压和烘干,得到的薄膜作为纳米阵列子模板;在纳米阵列子模板的阵列面旋涂铁酸铋溶胶并经过真空保压处理,将得到样品以铁酸铋贴合的方式转移到铁酸铋薄膜后,经过真空条件退火处理、超声清洗后得到铁酸铋纳米柱阵列。该制备方法成本低,可行性较高,同时具有良好的重复性,所制备的铁酸铋纳米柱阵列可以应用于光电、铁电微纳器件中。

    一种微反应器的加工方法

    公开(公告)号:CN115055137A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210932361.4

    申请日:2022-08-04

    Abstract: 本发明公开了一种微反应器的加工方法,包括以下步骤:步骤S1:将透明陶瓷作为微反应器基片;步骤S2:利用飞秒激光微加工技术在透明陶瓷微反应器基片内部形成改性图样;步骤S3:在透明陶瓷微反应器基片内部形成微通道;步骤S4:利用微通道抛光技术对微通道进行抛光,获得微通道内壁光洁的透明陶瓷微反应器基片;步骤S5:将微通道内壁光洁的透明陶瓷微反应器基片保温退火处理,得到透明陶瓷微反应器。本发明采用透明陶瓷作为微反应器的基体材料,同时利用飞秒激光微加工技术在透明陶瓷微反应器基体内部形成微反应通道。制备的透明陶瓷微反应器,可承受5Mpa以上的流体压力以及‑50℃至1500℃的使用温度,同时可承受酸碱以及有机物腐蚀。

    电学信号振荡器及其应用
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117766591A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311752620.6

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本公开是关于一种电学信号振荡器,该电学信号振荡器包括:p型层、设置于p型层的一个表面上的i型层、以及设置于i型层远离p型层的表面上的n型层;p型层的材料选自p型Si、Ge、GaAs、SiC中的任一者,i型层的材料为SiO2,n型层的材料为竖直生长的MoS2;i型层的厚度选自2nm~50nm;n型层的厚度选自10nm~200nm;本公开所提供的电学信号振荡器,不依赖于环境,就能形成电学信号,无需从环境捕获能量,应用场景不受限制。

    忆阻器、制备方法和电子设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117729778A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311838523.9

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本公开是关于一种忆阻器、制备方法和电子设备;其包括:底电极、设置于底电极的一个表面上的忆阻功能层、以及设置于忆阻功能层远离底电极的表面上的顶电极;忆阻功能层包含非晶MoS2材料;本公开所提供的忆阻器的开关电压高度一致,开关稳定性也得到显著提高,克服了忆阻器的稳定性差的问题,并且还具有可调节的VSET值,使得忆阻器的功耗和工作窗口灵活可调。

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