公开(公告)号：CN116477849B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202310395496.6

申请日：2023-04-10

Applicant: 之江实验室

Inventor： 宋睿烜 ,  阮罗渊 ,  陈焕坚 ,  孙沐晨 ,  唐燕如 ,  白石根 ,  杜瑀 ,  林虹宇 ,  单玉凤 ,  邓惠勇 ,  戴宁

IPC: C03C17/34 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/25 ,  C03C17/00

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法，包括：准备衬底和铁酸铋溶胶；在衬底上旋涂铁酸铋溶胶得到铁酸铋薄膜，对铁酸铋薄膜刻蚀得到铁酸铋纳米柱阵列模板；在铁酸铋纳米柱阵列模板的阵列面旋涂PVA溶液或PI溶液后经过真空保压和烘干，得到的薄膜作为纳米阵列子模板；在纳米阵列子模板的阵列面旋涂铁酸铋溶胶并经过真空保压处理，将得到样品以铁酸铋贴合的方式转移到铁酸铋薄膜后，经过真空条件退火处理、超声清洗后得到铁酸铋纳米柱阵列。该制备方法成本低，可行性较高，同时具有良好的重复性，所制备的铁酸铋纳米柱阵列可以应用于光电、铁电微纳器件中。

公开(公告)号：CN116477849A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310395496.6

申请日：2023-04-10

Applicant: 之江实验室

Inventor： 宋睿烜 ,  阮罗渊 ,  陈焕坚 ,  孙沐晨 ,  唐燕如 ,  白石根 ,  杜瑀 ,  林虹宇 ,  单玉凤 ,  邓惠勇 ,  戴宁

IPC: C03C17/34 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/25 ,  C03C17/00

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法，包括：准备衬底和铁酸铋溶胶；在衬底上旋涂铁酸铋溶胶得到铁酸铋薄膜，对铁酸铋薄膜刻蚀得到铁酸铋纳米柱阵列模板；在铁酸铋纳米柱阵列模板的阵列面旋涂PVA溶液或PI溶液后经过真空保压和烘干，得到的薄膜作为纳米阵列子模板；在纳米阵列子模板的阵列面旋涂铁酸铋溶胶并经过真空保压处理，将得到样品以铁酸铋贴合的方式转移到铁酸铋薄膜后，经过真空条件退火处理、超声清洗后得到铁酸铋纳米柱阵列。该制备方法成本低，可行性较高，同时具有良好的重复性，所制备的铁酸铋纳米柱阵列可以应用于光电、铁电微纳器件中。