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公开(公告)号：CN116477849B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310395496.6
申请日：2023-04-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法，包括：准备衬底和铁酸铋溶胶；在衬底上旋涂铁酸铋溶胶得到铁酸铋薄膜，对铁酸铋薄膜刻蚀得到铁酸铋纳米柱阵列模板；在铁酸铋纳米柱阵列模板的阵列面旋涂PVA溶液或PI溶液后经过真空保压和烘干，得到的薄膜作为纳米阵列子模板；在纳米阵列子模板的阵列面旋涂铁酸铋溶胶并经过真空保压处理，将得到样品以铁酸铋贴合的方式转移到铁酸铋薄膜后，经过真空条件退火处理、超声清洗后得到铁酸铋纳米柱阵列。该制备方法成本低，可行性较高，同时具有良好的重复性，所制备的铁酸铋纳米柱阵列可以应用于光电、铁电微纳器件中。
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公开(公告)号：CN115988893A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310016492.2
申请日：2023-01-06
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种平面式集成能量挖掘和能量储存的柔性器件，包括：柔性衬底以及集成于所述柔性衬底同一侧的超级电容器和太阳能电池；其中，柔性衬底上间隔设有第一碳电极、第二碳电极和第三碳电极，第二碳电极位于第一碳电极和第三碳电极之间，第二碳电极作为超级电容器的阴极、太阳能电池的阴极以及超级电容器与太阳能电池之间的电连接部分，第一碳电极用于与超级电容器的阳极相连接，第三碳电极用于与太阳能电池的阳极相连接，且第一碳电极、第二碳电极以及第三碳电极均为激光诱导石墨烯碳电极。本发明的柔性器件不仅集成度高，且具有优异的柔韧性以及性能稳定的特点。
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公开(公告)号：CN116358710A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310326136.0
申请日：2023-03-24
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种红外传感像元、非制冷红外探测器及其制作方法。所述红外传感像元包括用于接收红外光的吸收模组；所述吸收模组至少包括第一吸收层和第二吸收层，所述第一吸收层和所述第二吸收层的红外吸收峰不同；所述第一吸收层和所述第二吸收层沿厚度方向抵接，并且，所述第一吸收层和所述第二吸收层的接触位置形成界面，所述界面用于反射红外光。通过上述设置，可提升吸收模组对红外光的吸收率，从而提升红外探测器的响应度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN116093193A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310064073.6
申请日：2023-01-13
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本申请涉及一种阻挡杂质带探测器及其制备方法、探测系统。其中，阻挡杂质带探测器包括：衬底、转接电极与至少一个接收单元；所述衬底具有相对的第一表面与第二表面，所述接收单元从所述第一表面开始朝向所述第二表面延伸；所述接收单元在所述第一表面上阵列排布；所述接收单元被配置为接收辐射，并产生与接收的辐射相对应的电流；每一所述接收单元均包括接触部；所述转接电极位于至少部分所述接触部朝向所述第一表面的一侧，所述转接电极的材料包括石墨烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116017990A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310099269.9
申请日：2023-01-29
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器，包括衬底，背栅区，吸收区和源漏区，其中：背栅区位于衬底上，背栅区为具有周期性铁电畴的P(VDF‑TrFE)铁电薄膜；吸收区位于背栅区上，所述吸收区为WSe2类超晶格薄膜；源漏区位于吸收区上，源漏区为叉指结构金属电极。该光电探测器具有较高的探测范围、探测率和响应率，本发明还提供了一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器的制备方法。该方法能够较为容易的制备出WSe2类超晶格。
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公开(公告)号：CN116477849A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310395496.6
申请日：2023-04-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法，包括：准备衬底和铁酸铋溶胶；在衬底上旋涂铁酸铋溶胶得到铁酸铋薄膜，对铁酸铋薄膜刻蚀得到铁酸铋纳米柱阵列模板；在铁酸铋纳米柱阵列模板的阵列面旋涂PVA溶液或PI溶液后经过真空保压和烘干，得到的薄膜作为纳米阵列子模板；在纳米阵列子模板的阵列面旋涂铁酸铋溶胶并经过真空保压处理，将得到样品以铁酸铋贴合的方式转移到铁酸铋薄膜后，经过真空条件退火处理、超声清洗后得到铁酸铋纳米柱阵列。该制备方法成本低，可行性较高，同时具有良好的重复性，所制备的铁酸铋纳米柱阵列可以应用于光电、铁电微纳器件中。
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公开(公告)号：CN117766591A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311752620.6
申请日：2023-12-19
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本公开是关于一种电学信号振荡器，该电学信号振荡器包括：p型层、设置于p型层的一个表面上的i型层、以及设置于i型层远离p型层的表面上的n型层；p型层的材料选自p型Si、Ge、GaAs、SiC中的任一者，i型层的材料为SiO2，n型层的材料为竖直生长的MoS2；i型层的厚度选自2nm～50nm；n型层的厚度选自10nm～200nm；本公开所提供的电学信号振荡器，不依赖于环境，就能形成电学信号，无需从环境捕获能量，应用场景不受限制。
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公开(公告)号：CN117729778A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311838523.9
申请日：2023-12-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本公开是关于一种忆阻器、制备方法和电子设备；其包括：底电极、设置于底电极的一个表面上的忆阻功能层、以及设置于忆阻功能层远离底电极的表面上的顶电极；忆阻功能层包含非晶MoS2材料；本公开所提供的忆阻器的开关电压高度一致，开关稳定性也得到显著提高，克服了忆阻器的稳定性差的问题，并且还具有可调节的VSET值，使得忆阻器的功耗和工作窗口灵活可调。
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公开(公告)号：CN116145264A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310120928.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格的制备方法，包括在硅衬底上旋涂P(VDF‑TrFE)有机溶液，然后退火得到P(VDF‑TrFE)铁电薄膜；在P(VDF‑TrFE)铁电薄膜表面进行刻写得到具有周期性铁电畴结构的P(VDF‑TrFE)铁电薄膜；通过二维转移工艺将WSe2薄膜转移至具有周期性铁电畴结构的P(VDF‑TrFE)铁电薄膜表面；通过具有周期性铁电畴结构的P(VDF‑TrFE)铁电薄膜产生的静电场对WSe2薄膜进行铁电极化诱导使得WSe2薄膜形成类超晶格的能带结构。该制备方法实现了范德华超晶格能带结构的快速、高效、简单构筑，本发明还公开了周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格。
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